極紫外線光刻機是芯片生產(chǎn)工具，是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設備，對芯片工藝有著決定性的影響。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機生產(chǎn)。2018年4月，中芯國際向阿斯麥下單了一臺EUV(極紫外線)光刻機，于2019年初交貨。阿斯麥公司掌握了90%以上的高端光刻機市場份額。最新的兩代高端光刻機領域，即浸入式(Immersion)和極紫外線式(EUV)光刻機，全部由阿斯麥掌握核心技術。光刻機(又稱曝光機)是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設備，制造和維護需要高度的光學和電子工業(yè)基礎，世界上只有少數(shù)廠家掌握。光刻機的作用是掃描曝光芯片晶圓，刻蝕集成電路。精度越高的光刻機，能生產(chǎn)出納米尺寸更小，功能更強大的芯片。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機生產(chǎn)。

我認為中國也非常想發(fā)展自己的EUV(極紫外光刻)能力，以及適配這一領域的生態(tài)系統(tǒng)。但很坦率地說，我認為他們要做到這一點非常困難?！?月23日，英國《金融時報》援引日本光刻膠巨頭JSR首席執(zhí)行官埃里克?約翰遜(Eric Johnson)的話報道稱。

在半導體制造領域，EUV光刻機和材料的研發(fā)難度的確很高。但約翰遜在美國總統(tǒng)拜登訪日之際做出如此評論，被這篇報道下方的國外網(wǎng)民批評“過于傲慢”。網(wǎng)民評論直言，“如果認為中國在先進芯片領域需要數(shù)十年才能趕上，那就太低估中國的創(chuàng)造力了”、“他們會成功的，這只是時間問題”。實際上，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML)CEO溫彼得也在今年1月表達過和約翰遜類似的觀點，認為“中國不太可能復制出頂尖的EUV光刻機”。但他當時補充稱，永遠別那么絕對，中國的物理定律和全世界是一樣的，“他們肯定會嘗試”。

JSR公司成立于1957年，中文名為日本合成橡膠，是全球主要的光刻膠供應商之一。在應用方面，光刻膠是半導體、液晶面板(LCD)、印刷電路板(PCB) 等產(chǎn)業(yè)的重要原材料。在半導體領域，光刻膠分辨率決定器件的尺寸。按曝光波長分類，光刻膠可以分為g線、i線、KrF、ArF和最先進的EUV(極紫外)光刻膠等。

第三方數(shù)據(jù)顯示，截至2021年，JSR是全球僅有的四家EUV光刻膠供應商之一，這種光刻膠應用于EUV光刻環(huán)節(jié)，是制造最先進芯片必不可少的材料。另外，JSR在ArF光刻膠領域以24%的市場份額位居全球第一;在整個光刻膠領域，JSR以13%的市場份額位居世界第三，日本東京應化和美國陶氏化學分列第一和第二。埃里克?約翰遜目前擔任JSR的CEO，也是日本公司中為數(shù)不多的美國高層。他在接受《金融時報》采訪時稱，中國很難掌握基于極紫外光刻或者被稱為EUV光刻(Extreme Ultra-violet)的復雜芯片制造技術。約翰遜做出這一表態(tài)之際，正值拜登開展亞洲之行。5月20日，拜登和美國商務部長雷蒙多等人抵達韓國后，直接前往三星最先進的3納米工廠參觀，EUV光刻機是實現(xiàn)這種工藝必不可少的設備，拜登在現(xiàn)場強調“要保證半導體供應鏈穩(wěn)定”。

5月23日消息，據(jù)報道，近日日本光刻膠巨頭JSR的首席執(zhí)行官埃里克約翰遜(Eric Johnson)在接受采訪時表示，盡管中國在努力推動芯片的自給自足，但中國半導體產(chǎn)業(yè)必要的基礎設施不足，比如很難掌握基于極紫外(EUV)光刻的復雜芯片制造技術，發(fā)展先進制程的芯片制造技術將非常困難。

約翰遜指出，“我認為中國也非常想發(fā)展自己的EUV(極紫外光刻)能力和相關的生態(tài)系統(tǒng)(比如EUV光刻膠)。但坦率地說，我認為他們要做到這一點非常困難?！?

實際上，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML)CEO溫彼得也在今年1月表達過和約翰遜類似的觀點，認為“中國不太可能復制出頂尖的EUV光刻機”。但他當時補充稱，永遠別那么絕對，中國的物理定律和全世界是一樣的，“他們肯定會嘗試”。

另外，對于中國在光刻膠領域的追趕，以及希望在高端光刻膠技術上的突破，約翰遜認為，即便中國獲得相關化學成分的確切資料，但在純度、精度及制造上都非常困難，且中國也沒有供應鏈支持。但中國當前積極投資成熟的芯片技術，也是不容忽視的一部分，“人們還沒充分意識到，中國有多少機會可以不依賴這些先進制程。”

資料顯示，JSR公司成立于1957年，中文名為日本合成橡膠，是全球主要的光刻膠供應商之一。在應用方面，光刻膠是半導體、液晶面板(LCD)、印刷電路板(PCB) 等產(chǎn)業(yè)的重要原材料。

在半導體領域，目前光刻機曝光光源一共有六種，分別是紫外全譜(300～450nm)、 G 線(436nm)、 I 線(365nm)、深紫外(DUV，包括 248nm 和 193nm)和極紫外(EUV)，相對應于各曝光波長的光刻膠也應運而生，對應分別為，G 線光刻膠、I 線光刻膠、KrF光刻膠、 ArF光刻膠、EUV光刻膠。

目前，在全球半導體光刻膠領域，主要被日本合成橡膠(JSR)、東京應化(TOK)、美國杜邦、日本信越化學、富士電子、羅門哈斯等頭部廠商所壟斷，其中JSR占據(jù)了28%的市場。

而在高端半導體光刻膠市場上，JSR在ArF光刻膠領域以24%的市場份額位居全球第一。在EUV光刻膠方面，TOK和JSR有較高的份額。

從國內的光刻膠市場來看，低端的中g線/i線光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴進口，是國內半導體的卡脖子技術之一。

行業(yè)專家丹?哈奇森(Dan Hutcheson)表示，這項被稱為“高NA”版本的 EUV 新技術，可能會為一些芯片制造商帶來顯著優(yōu)勢。“這有點像誰有最好的槍,”他說。臺積電在21世紀10年代末首次整合了ASML的EUV光刻機，使其競爭對手黯然失色。

據(jù)了解，光刻技術是決定一個芯片上的小型電路的關鍵因素，高NA技術有望降低66%的尺寸。這也意味著芯片制程將進一步升級。在芯片制造中，在同一個空間中安裝的晶體管越多，芯片的速度就越快，能量效率也就越高。

ASML表示，該公司已接到5份試驗機訂單，預計2024年交貨，另有“超過5份”來自5個不同客戶的訂單，要求2025年交貨，以獲得更快的生產(chǎn)模式。