On Semiconductor 提供的 P 溝道 MOSFET 在電氣上類似于 International Rectifier 和 Fairchild Semiconductor 的部件，但安裝在公司的無引線 ChipFET 封裝中。這些部件的面積為 122×80 mil，與 1206 無源器件或 TSSOP-6 IC 的面積大致相同。例如，25 美分 (10,000) NTHS5441 是一款 20V、3.9A 器件，具有相當?shù)耐ǖ离娮瑁涸?–4.5VV GS時最大為 55mΩ –2.5V 時為 83 mΩ。由于器件制造商不使用通用的測試板尺寸，因此無法直接在數(shù)據(jù)表中對已安裝的熱阻與 CSP 進行比較。但是，使用 FDZ204P 的結到球熱阻和 5441 的結到漏極焊盤電阻，我們可以預期在類似的印刷電路板設計和工作條件下，ChipFET 的溫升會再增加一半。

負載開關，例如 Siliconix 的 Si1037X 和 Si7407DN，也采用小型、熟悉的塑料 SMT 封裝。20V 1037 可以通過 4.5VV GS的 770mA 穩(wěn)態(tài)。SC-89-6 封裝的 PMOS 器件還具有指定的最大通道電阻 — 350 mΩ — 柵極驅動低至 –1.8V。在完全 –4.5V 柵極驅動下，導通電阻降至 195 mΩ。1037 的 1.6-mm-sq 封裝保持 0.6-mm 的外形，適用于低空氣權的設計。

它的老大哥，3.3-mm-sq、12V、9.9A Si7407 PMOS 開關在 –4.5V 下開發(fā)了一個 12-mΩ 通道。當我們將柵極驅動降低至 –1.8V 時，其導通電阻翻倍。較大的器件在使用更大數(shù)量級的柵極電荷進行切換時自然需要更強大的驅動：59 nC 與 1037 的 5.5 nC 相比。Si1037X 和 Si7407 的價格分別為 22 美分和 41 美分(100,000)。

除了開關事件很少發(fā)生的應用(例如用于保護鋰離子電池組的開關)之外，許多設計人員在溝道電阻和柵極電荷的乘積中發(fā)現(xiàn)了有用的品質因數(shù)。我們在這樣的數(shù)字中添加了多少權重是我們設計的預期開關率和占空比的函數(shù)，但在設計的早期階段，基本概念值得牢記。打開或關閉負載開關需要一定的能量，并且我們在通道電阻中消耗了一定的能量。

單 FET 主題的簡單變體包括 Micrel 的 MIC94053，它結合了一個上拉柵極電阻器和一個 6V、2A PMOS FET。這款 38 美分 (1000) 開關采用 SC-70-6 封裝，在 –4.5V 和 –100 mA 時提供 84mΩ 通道。250-kΩ 最小上拉電阻確保器件在上電期間處于關閉狀態(tài)，除非我們的驅動器在該時間間隔內主動打開器件。上拉還允許我們使用集電極開路邏輯控制開關，從而在某些應用中無需電平轉換器。

On Semi 的 NTHC5513 將 NMOS 和 PMOS 器件結合在同一個 8 引腳 ChipFET 封裝中。我們可以將 NMOS 器件用作反相器或反相電平轉換器，但我們不限于這種安排。兩種 FET 都提供分數(shù)歐姆導通電阻和 6-nC 柵極電荷。盡管大多數(shù)功率半導體已將其 PMOS 溝道電阻驅動到遠低于 1Ω，但在 29 美分 (10,000) 5513 中，NMOS 仍然領先 — 75 對 155 mΩ。

得到驅動

從通道電阻的角度來看，我們可能更喜歡 N 通道器件，但在高側開關應用中，除非我們的柵極驅動電位比高側的有用 V GS 高，否則我們無法享受這些低導通電阻。邊。

凌力爾特公司的 LTC1981 和 1982 單柵極和雙柵極驅動器在 1.8 至 5.5V 電源上運行，并且無需外部部件即可產生電荷泵柵極驅動器。1981 年的泵輸出是其電源電壓的函數(shù)，上升速度略快于奇偶校驗，可能是由于小的、固定的內部開銷的影響。這種趨勢一直持續(xù)到電源達到約 2.7V，此時器件將其輸出限制在 6.9 至 7.5V。這種行為非常適合多家供應商提供的低閾值 N 溝道 MOSFET。

1.20 美元 (1000) 美元的 LTC1981 適合 SOT-23-5，包括一個低電平有效停機引腳和一個集電極開路柵極驅動就緒狀態(tài)引腳，該引腳指示柵極驅動何時大于全值的 90%。LTC1982 采用 SOT-23-6 封裝。1.50 美元(1000 美元)的雙驅動器引腳提供獨立的低電平有效關斷引腳來代替狀態(tài)線。

Fairchild 的 FDG901D 是一款 PMOS 驅動器，它提供了一個引腳可編程的恒流驅動，用于在開啟間隔期間控制轉換速率。901 設置其柵極電流取決于我們是接地轉換引腳、將其連接到 V DD還是使其懸空，這分別導致最大柵極電流為 10、50 和 120 μA。29 美分 (5000) 的驅動程序采用 SC-70-5 封裝。

負載開關驅動器還簡化了我們需要適應可用邏輯系列范圍之外的電源電壓的設計。電機控制、汽車和航空電子系統(tǒng)、工業(yè)控制和電信設備中的許多常見應用在其電源軌上承受幾十伏的電壓，但大多數(shù)都依賴于在 5V 或更低電壓下運行的標準邏輯。

凌力爾特的 LT1910 是一款用于 NMOS 高側開關的電荷泵驅動器，用于控制在 8 至 48V 電源上運行的負載。當監(jiān)控開關漏極電流的外部檢測電阻上的壓降超過 50 至 80 mV 時，驅動器會關閉柵極驅動。我們?yōu)闄z測電阻選擇的值以及與此 SO-8 封裝柵極驅動器配合使用的 MOSFET 的能力決定了我們設計的最大漏極電流。

過流閾值還會觸發(fā)集電極開路低電平有效故障輸出，使我們的控制邏輯能夠監(jiān)控開關的狀態(tài)。如果驅動器的輸入在故障期間保持高電平并且應用電路允許自動重啟，則定時電容器會設置重啟嘗試之間的間隔。1.95 美元 (1000) 美元的多功能驅動器可以承受 –15V 至 +60V 的電源瞬變，也適合需要低側開關控制的應用。