瑞薩電子宣布了一項新技術(shù)，該技術(shù)無需在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中使用或更換電池。新的能量收集嵌入式控制器基于瑞薩電子突破性的 SOTB(硅上薄層掩埋氧化物)工藝技術(shù)。它極大地降低了活動和待機電流消耗，這是以前在傳統(tǒng) MCU 中無法實現(xiàn)的組合。

據(jù)該公司稱，系統(tǒng)制造商將受益匪淺，因為他們將能夠使用基于 SOTB 的嵌入式控制器的低電流水平，通過收集光、振動等環(huán)境能源，在其某些產(chǎn)品中消除對電池的需求, 和流動。

從更廣泛的角度考慮，極低功耗和能量收集的使用很可能為工業(yè)、商業(yè)、住宅、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療保健、和公共基礎(chǔ)設(shè)施，以及健康和健身服裝、鞋子、可穿戴設(shè)備、智能手表和無人機。瑞薩正在抓緊時間：該公司已經(jīng)開始向試用版客戶提供新的嵌入式控制器。

瑞薩電子首款采用 SOTB 技術(shù)的商用產(chǎn)品 R7F0E 嵌入式控制器是一款基于 Arm Cortex 的 32 位嵌入式控制器，能夠以高達 64 MHz 的頻率運行，用于快速本地處理傳感器數(shù)據(jù)以及執(zhí)行復(fù)雜的分析和控制功能。僅消耗 20 μA/MHz 的有效電流和僅 150 nA 的深度待機電流，約為傳統(tǒng)低功耗 MCU 的十分之一，這些特性使 R7F0E 非常適合極低功耗和能量收集應(yīng)用。

對于那些對如何應(yīng)用 R7F0E 感到好奇的人，值得注意的是，它旨在消除系統(tǒng)設(shè)計人員面臨的許多挑戰(zhàn)，這些設(shè)計人員希望構(gòu)建具有高效能量收集功能的高性價比產(chǎn)品。其獨特且可配置的能量收集控制器 (EHC) 功能提高了穩(wěn)定性并最大限度地減少了昂貴的外部組件。具體來說，EHC 可以直接連接到多種類型的環(huán)境能源，例如太陽能、振動或壓電，同時在啟動時防止有害的浪涌電流。此外，EHC 還管理外部電力存儲設(shè)備的充電，例如超級電容器或可選的可充電電池。

基于 SOTB 的新技術(shù)已在瑞薩 R7F0E 嵌入式控制器中所采用，該控制器專門用于能量采集應(yīng)用。瑞薩獨有的 SOTB 工藝技術(shù)可顯著降低工作和待機狀態(tài)下的功耗。通常，這兩種狀態(tài)下的功耗互為消長：即一種功耗較低意味著另一種功耗較高。當(dāng)從閃存讀取數(shù)據(jù)時，新技術(shù)大幅降低功耗。與非 SOTB 2T-MONOS 閃存(約需 50μA/MHz 讀取電流)相比，新技術(shù)實現(xiàn)的讀取電流僅 6μA/MHz 左右，等效于 0.22 pJ/bit 的讀取能耗，達到 MCU 嵌入式閃存最低能耗級別。這項新技術(shù)還有助于在 R7F0E 上實現(xiàn) 20μA/MHz 的低有效讀取電流，達到業(yè)界最佳。

采用 SOTB 工藝的 2T-MONOS 嵌入式閃存具備包含電隔離元件的雙晶體管結(jié)構(gòu)。與單晶體管結(jié)構(gòu)不同，在讀取操作期間無需負電壓，使讀取數(shù)據(jù)時的功耗降低。此外，同其它存儲器處理相比，MONOS 在生產(chǎn)過程中使用更少的掩模，并可使用離散電荷捕獲方案存儲數(shù)據(jù)，從而能夠在不增加生產(chǎn)成本的情況下帶來低功耗和高重寫可靠性。

R7F0E 解決了許多其他關(guān)于極低功耗的系統(tǒng)注意事項，包括：

1. 由于 14 位 ADC 僅消耗 3 uA 電流，因此可以隨時檢測和捕獲外部模擬信號;

2. 保留高達 256 KB 的 SRAM 數(shù)據(jù)內(nèi)容，同時每 KB SRAM 僅消耗 1 nA;和

3. 通過結(jié)合復(fù)雜的低功耗硬件技術(shù)來提供圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，包括旋轉(zhuǎn)、滾動和著色，以使用幾乎不消耗電力來保留圖像的 Memory-In-Pixel1 LCD 技術(shù)驅(qū)動外部顯示器。

僅這些示例就很好地代表了 R7F0E 設(shè)計人員對細節(jié)的關(guān)注，以滿足工程師的需求，他們必須考慮極低功耗設(shè)計的整體系統(tǒng)要求。

瑞薩通過幫助使端點設(shè)備更加智能化，以加速推動“智能社會”的發(fā)展。瑞薩認為，通過無電池方案，能源收集系統(tǒng)徹底擺脫更換電池的困擾，是實現(xiàn)這一目標(biāo)的必要步驟。同時，瑞薩將持續(xù)致力于幫助實現(xiàn)環(huán)保型智能社會的技術(shù)開發(fā)。