極紫外線光刻機是芯片生產(chǎn)工具，是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設備，對芯片工藝有著決定性的影響。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機生產(chǎn)。2018年4月，中芯國際向阿斯麥下單了一臺EUV(極紫外線)光刻機，于2019年初交貨。

第一個消息，臺積電林本堅日前公開表示，臺積電用DUV光刻機量產(chǎn)了7nm芯片，也能夠用DUV光刻機量產(chǎn)5nm芯片，只是成本較高、工藝更復雜一點，所以沒有這么做。

因為用DUV光刻機量產(chǎn)7nm芯片就用到了多層曝光技術，量產(chǎn)5nm芯片就需要進行更多層的曝光，自然就會增加難度，良品率也不好控制，所以成本較高。

但這一消息的傳來，就意味著在DUV光刻機下，并非不能量產(chǎn)5nm芯片，而EUV光刻機也不再是5nm芯片的絕對必要設備。

國產(chǎn)光刻機的研發(fā)是需要一代一代推進的，很多人都期待能盡早用上EUV光刻機，可一口飯吃不成胖子，心急吃不了熱豆腐。

要想取得最終的突破，必須經(jīng)過前期的刻苦研發(fā)，把基礎打扎實了才能建起高樓萬丈。因此短期目標來看，28nm光刻機是主要方向，實現(xiàn)28nm國產(chǎn)化芯片制造不會太遙遠。

國內(nèi)有不少半導體企業(yè)在28nm取得突破，比如至純科技完成28nm的清洗機設備認證，不僅如此，在浸沒式光刻機方面也取得了28nm的突破進展。

根據(jù)浙江啟爾機電技術有限公司表示，公司將高精度液體溫差控制在了正負0.001度，并正式啟用零部件中試基地。

據(jù)報道，日本將與美國合作，最早在 2025 財年啟動國內(nèi) 2 納米半導體制造基地，加入下一代芯片技術商業(yè)化的競賽。

東京和華盛頓將根據(jù)雙邊芯片技術伙伴關系提供支持。兩國私營企業(yè)將進行設計和量產(chǎn)研究。

臺積電在開發(fā) 2 納米芯片的量產(chǎn)技術方面處于領先地位。日本通過實現(xiàn)下一代芯片的國內(nèi)生產(chǎn)來尋求穩(wěn)定的半導體供應。

日本和美國企業(yè)可以聯(lián)合成立一家新公司，或者日本公司可以建立一個新的制造中心。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將部分補貼研發(fā)成本和資本支出。

聯(lián)合研究最早將于今年夏天開始，2025財年至2027財年將形成一個研究和量產(chǎn)中心。

全球最大的代工芯片制造商臺積電正在日本熊本縣建設芯片工廠，但該工廠將只生產(chǎn)從 10nm 到 20nm 范圍的不太先進的半導體。

較小的半導體可以實現(xiàn)設備的小型化和改進的性能。2納米芯片將用于量子計算機、數(shù)據(jù)中心和尖端智能手機等產(chǎn)品。這些芯片還降低了功耗，減少了碳足跡。

5月初，日美簽署了半導體合作基本原則。雙方將在即將舉行的“二加二”內(nèi)閣經(jīng)濟官員會議上討論合作框架的細節(jié)。

在 2 納米研發(fā)方面實力雄厚的 IBM 去年開發(fā)了原型。同為美國公司的英特爾公司也在進行 2 納米工藝的研發(fā)。

在日本，由國立先進工業(yè)科學技術研究所運營的筑波市研究實驗室正在開展一項合作，以開發(fā)先進半導體生產(chǎn)線的制造技術，包括 2 納米工藝的生產(chǎn)技術。東京電子和佳能等芯片制造設備制造商與 IBM、英特爾和臺積電一起參與了這個集體。

日本擁有信越化學和 Sumco 等強大的芯片材料制造商，而美國則擁有芯片制造設備巨頭應用材料公司。芯片制造商和主要供應商之間的這種合作旨在使 2 納米芯片的量產(chǎn)技術觸手可及。

DRAM 技術一直發(fā)展到 10nm 制程以下，導入 ASML 獨門秘技極紫外線 EUV 光刻機已是業(yè)界共識?，F(xiàn)今韓系存儲大廠三星、SK 海力士，以及美系存儲大廠美光都朝此方向前進;三星的 14nm DRAM 開始導入 EUV 技術進入量產(chǎn)、SK 海力士使用 EUV 生產(chǎn) 1a 制程的 DRAM、美光也將在 10nm 的 1γ 節(jié)點中導入 EUV 光刻技術。

談到一臺一億歐元天價的 EUV 機臺，絕對會觸碰到國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)心中的“共同遺憾”。

若說半導體產(chǎn)業(yè)有哪些卡脖子的技術，EUV 光刻機無法進口到國內(nèi)，足以讓國內(nèi)先進制程芯片的制造“致命”。在邏輯制程(晶圓代工)方面，已經(jīng)讓中芯國際退居到 14nm、28nm 制程，暫時把 7nm 制程以下的先進制程制造放一邊。

在存儲技術方面，國內(nèi)的 NAND Flash 技術可以盡情沖刺追趕國際大廠的水平，是因為 3D NAND 堆疊技術的特性不需要用到 EUV 機臺。反之，當NAND Flash晶體管從2D變成3D架構(gòu)，對于半導體設備的最大轉(zhuǎn)變，是需要用到大量的薄膜機臺和等離子刻蝕機臺，EUV 光刻機反而不是主角。這一點給了中國 NAND Flash 技術的追趕機會。

再者，將傳統(tǒng) DRAM 架構(gòu)中的存儲陣列 Array 和主要的 CMOS 邏輯電路分開設計，分別制造在兩片獨立的晶圓上，最終用 HITOC 技術集成為 3D 4F2 DRAM 單芯片。

對存儲產(chǎn)業(yè)有一些了解的人，對于這樣的技術想必不陌生，這與長江存儲的 Xtacking 技術就像是雙胞胎兄弟，都是朝后端封裝下手來突破摩爾定律的限制，并且走出一條不一樣的技術道路，為國內(nèi)的先進制程技術帶來重大突破。

因此，未來芯盟突破性的 3D HITOC 4F2 DRAM 架構(gòu)產(chǎn)品是否會在長江存儲生產(chǎn)，值得關注。因為長江存儲有成熟前大量生產(chǎn) Xtacking 技術的經(jīng)驗，復制到 3D HITOC 4F2 DRAM 芯片制程的生產(chǎn)會最為合適。