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[導(dǎo)讀]摩爾定律是英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾的經(jīng)驗(yàn)之談,其核心內(nèi)容為:集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過(guò)18個(gè)月便會(huì)增加一倍。

摩爾定律是英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾的經(jīng)驗(yàn)之談,其核心內(nèi)容為:集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過(guò)18個(gè)月便會(huì)增加一倍。摩爾定律是內(nèi)行人摩爾的經(jīng)驗(yàn)之談,漢譯名為“定律”,但并非自然科學(xué)定律,它一定程度揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。

被稱為計(jì)算機(jī)第一定律的摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。摩爾定律是由英特爾(lntel)名譽(yù)董事長(zhǎng)戈登·摩爾( Gordon moore)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期觀察總結(jié)的經(jīng)驗(yàn) [2] 。

1965年,戈登·摩爾準(zhǔn)備一個(gè)關(guān)于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢(shì)的報(bào)告。他整理了一份觀察資料。在他開(kāi)始繪制數(shù)據(jù)時(shí),發(fā)現(xiàn)了一個(gè)驚人的趨勢(shì)。每個(gè)新的芯片大體上包含其前任兩倍的容量,每個(gè)芯片產(chǎn)生的時(shí)間都是在前一個(gè)芯片產(chǎn)生后的18~24個(gè)月內(nèi),如果這個(gè)趨勢(shì)繼續(xù),計(jì)算能力相對(duì)于時(shí)間周期將呈指數(shù)式的上升。 Moore的觀察資料,就是現(xiàn)在所謂的Moore定律,所闡述的趨勢(shì)一直延續(xù)至今,且仍不同尋常地準(zhǔn)確。人們還發(fā)現(xiàn)這不僅適用于對(duì)存儲(chǔ)器芯片的描述,也精確地說(shuō)明了處理機(jī)能力和磁盤驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)容量的發(fā)展。該定律成為許多工業(yè)對(duì)于性能預(yù)測(cè)的基礎(chǔ) [2] 。

1965年,戈登·摩爾發(fā)表了一篇名為“將更多組件塞進(jìn)集成電路”的短文章。從很少的數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行推算,摩爾發(fā)現(xiàn)隨著科技進(jìn)步,特定大小的集成電路內(nèi)可以制造并安裝的晶體管每年都翻一倍,這個(gè)頻率他后來(lái)修改為每?jī)赡辏灿腥硕?8個(gè)月。由于晶體管的數(shù)量是計(jì)算能力的粗略替代,這意味著計(jì)算能力每?jī)赡暝黾右槐丁?

20年間這樣的增長(zhǎng)將經(jīng)歷10次,設(shè)備的數(shù)量將以210為基礎(chǔ)增長(zhǎng),這個(gè)數(shù)值在1000左右。40年的時(shí)間內(nèi),這個(gè)數(shù)值將是100萬(wàn)或更多?,F(xiàn)在被稱為“摩爾定律”的這種指數(shù)型增長(zhǎng)已經(jīng)持續(xù)了超過(guò)50年,所以現(xiàn)在的集成電路中晶體管數(shù)量是1965年的幾百萬(wàn)倍或者更多。摩爾定律的圖表,尤其是在處理器芯片方面,展示了從20世紀(jì)70年代早期英特爾8008 CPU中的幾千到現(xiàn)在的平價(jià)消費(fèi)筆記本電腦處理器中的十億或更多的增長(zhǎng)。表現(xiàn)電路系統(tǒng)規(guī)模的數(shù)字是指集成電路中獨(dú)立功能的大小,例如,一根電線或者晶體管活躍區(qū)域的寬度。這個(gè)數(shù)字在很多年中都穩(wěn)定地縮小著。我在1980年設(shè)計(jì)的第一款集成電路使用了3.5微米的功能組件。

現(xiàn)在的大多數(shù)集成電路使用的功能組件,最小尺寸為14納米,也就是一米的140億分之一,而下一步是10納米。“毫”是一千分之一或者10-3,“微”指一百萬(wàn)分之一或者10-6,“納”是十億分之一或者10-9。納米縮寫(xiě)為nm。相比之下,一張紙的厚度或者人的頭發(fā)粗細(xì)約100微米,也就是1毫米的十分之一那么厚。集成電路的設(shè)計(jì)和制造非常復(fù)雜,而且競(jìng)爭(zhēng)激烈。

制造步驟也很貴,一個(gè)新工廠的成本輕易可達(dá)幾十億美元。無(wú)法在技術(shù)和資金方面跟上會(huì)成為公司的嚴(yán)重競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì),沒(méi)有這種資源的國(guó)家必須依賴其他國(guó)家的技術(shù),這也是很嚴(yán)重的戰(zhàn)略問(wèn)題。需要注意的是,摩爾定律不是自然定律,而是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)用作目標(biāo)的指導(dǎo)方針。從某種意義上來(lái)說(shuō)這個(gè)定律會(huì)有失效的一天。在過(guò)去就有人不斷預(yù)測(cè)它的局限性,盡管人們一直在尋找解決方法。當(dāng)今我們可以制造出只由一些原子構(gòu)成的電路,但這些電路太小了以至于難以控制。CPU的速度也不再每隔幾年就翻一倍,一部分是因?yàn)楦斓男酒瑫?huì)產(chǎn)生太多的熱量,而RAM的容量仍然在增長(zhǎng)著。與此同時(shí),處理器可以通過(guò)在芯片上放置多個(gè)CPU的方式來(lái)增加晶體管,而且經(jīng)常有多處理器的芯片。今天的一臺(tái)個(gè)人計(jì)算機(jī)和1981年最早出現(xiàn)的IBM PC之間的對(duì)比結(jié)果是驚人的。

按照摩爾定律,每18個(gè)月芯片的晶圓管密度就會(huì)提升1倍,從而性能翻倍。

過(guò)去的這幾十年間,芯片制程其實(shí)差不多是按照摩爾定律走的,直到進(jìn)入7nm后,基本上就無(wú)法按照這個(gè)定律走了,比如5nm、3nm的演進(jìn)就慢了很多,所以很多人稱現(xiàn)在摩爾定律已死。

不過(guò)近日,IMEC(比利時(shí)微電子中心)還是展示了一張最新的芯片制造發(fā)展路線圖,一路看到了2036年的0.2nm工藝,表示接下來(lái)芯片制造還是會(huì)按照摩爾定律走下去。

如下圖所示的這個(gè)演進(jìn)路徑,2022年實(shí)現(xiàn)N3也就是3nm,2024年到2nm,2026年到A14也就是1.4nm,2028年到1nm,并且還會(huì)演進(jìn),到2036年是直接達(dá)到0.2nm。

同時(shí)在晶圓管技術(shù)上,也有技術(shù)演進(jìn),目前是FinFET,而到2nm時(shí)會(huì)換成GAAFET,再到0.5nm時(shí),會(huì)換成CFET技術(shù)。

不過(guò),大家看看我在上圖標(biāo)的綠色框,這里指的是MP金屬柵極距,這是真正代表晶體管密度,也就是工藝指標(biāo)的參數(shù)。

它在1nm之前還是在不斷變小的,直到1nm工藝時(shí),為16nm,但接下來(lái)不管工藝怎么先進(jìn),其參數(shù)一直處于16-12nm間了。

意思就是晶體管密度其實(shí)不再怎么變化了,不管你是1nm,還是0.5nm,或者0.2nm,這個(gè)MP金屬柵極距基本不變了。

事實(shí)上,之前已經(jīng)有科學(xué)家表示,當(dāng)芯片工藝在1nm之后,量子隧穿效應(yīng)有可能會(huì)讓半導(dǎo)體失效,估計(jì)這也是為什么1nm后,這個(gè)MP金屬柵極距不變了,因?yàn)椴豢赡茉僮冃×恕?

這也代表著接下來(lái)工藝究竟是多少nm,它與晶體管密度沒(méi)有太多關(guān)系了,更多的還是數(shù)字游戲了,晶圓廠商們?cè)敢庹f(shuō)多少nm,就是多少nm,與MP金屬柵極距不再有對(duì)應(yīng)關(guān)系。

事實(shí)上,在進(jìn)入10nm之后,大家就吐槽臺(tái)積電、三星的所謂nm工藝制程與MP金屬柵極距已經(jīng)不再有對(duì)應(yīng)關(guān)系,更多的是數(shù)字營(yíng)銷游戲,只有英特爾或是清白的,但到了1nm后,那就大家都要玩數(shù)字游戲了,那這樣的摩爾定律究竟還有沒(méi)有意義?

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