6月20日消息，臺積電在6月16日的技術(shù)研討會上透露，到2025年，其成熟和專業(yè)節(jié)點的產(chǎn)能將擴大約50%。該計劃包括在中國大陸、中國臺灣、日本建設大量新晶圓廠。此舉將進一步加劇臺積電與格芯、聯(lián)電、中芯國際等芯片代工廠商之間的競爭。

近年來，各種計算和智能設備的需求激增，引發(fā)了全球芯片供應危機，進而影響到汽車、消費電子、PC和眾多相鄰行業(yè)。

臺積電表示，現(xiàn)代智能手機、智能家電和個人電腦已經(jīng)使用了數(shù)十種芯片和傳感器，而這些芯片的數(shù)量(和復雜性)只會越來越多。此外，智能汽車芯片市場即將爆發(fā)，汽車已經(jīng)使用了數(shù)百個芯片，預計幾年后每輛車的芯片數(shù)量將達到1,500顆左右。

為此，臺積電將在四個新制造設施上投資，在未來三年內(nèi)將成熟/專業(yè)化產(chǎn)能提高50%：

日本熊本的Fab23Phase1

中國臺灣臺南的Fab14Phase8

中國臺灣高雄的Fab22Phase2

中國大陸南京的Fab16Phase1B

IT之家了解到，臺積電還在 2022年技術(shù)研討會上介紹了關(guān)于未來先進制程的信息，N3工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，后續(xù)還有N3E、N3P、N3X等，N2(2nm)工藝將于2025年量產(chǎn)。

臺積電(TSMC)透露了要到 2025 年將成熟與專業(yè)節(jié)點產(chǎn)能擴大約 50% 的計劃。為實現(xiàn)這一目標，這家芯片代工巨頭還將在中國臺灣、大陸和日本地區(qū)新建大量晶圓廠。對于格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電(UMC)和中芯國際(SMIC)來說，這意味著它們將面臨來自臺積電的激烈競爭。

對于普通人來說，光刻技術(shù)通常與生產(chǎn)先進的 CPU、GPU 和移動 SoC 有關(guān)。不過近年來的芯片供應鏈短缺，也讓我們逐漸意識到了其對汽車、消費電子等諸多相鄰行業(yè)的重大影響。

傳統(tǒng)汽車已經(jīng)動輒需要用到數(shù)百枚芯片，但隨著智能汽車市場的爆發(fā)，預計幾年后每輛汽車的芯片數(shù)量將達到了 1500 枚左右。

即使芯片代工廠普遍更追求高端制造的利潤，但其它市場也無法就此被拋棄。所以過去幾年，格羅方德和中芯國際也一直在增加新產(chǎn)能。

臺積電指出，今年下半年量產(chǎn)的N3技術(shù)采用TSMC FINFLEX技術(shù)，這項技術(shù)提供了不同標準單元的選擇，其中3-2鰭配置可實現(xiàn)超性能，2-1鰭配置可實現(xiàn)最佳功率效率和晶體管密度，2-2鰭配置可在兩者之間實現(xiàn)平衡高效的性能。

憑借TSMC FINFLEX架構(gòu)，客戶可以創(chuàng)建片上系統(tǒng)設計，通過功能塊實現(xiàn)針對所需性能、功率和面積目標的最佳優(yōu)化鰭配置，并集成在同一芯片上，從而針對他們的需求進行精確調(diào)整。

據(jù)悉，臺積電N3技術(shù)將有四種衍生制造工藝——N3E、N3P、N3S 和 N3X，旨在為超高性能應用提供改進的工藝窗口、更高的性能、增加的晶體管密度和增強的電壓。所有技術(shù)都將支持 FinFlex技術(shù)，極大地增強了設計靈活性，并允許芯片設計人員精確優(yōu)化性能、功耗和成本。

N2技術(shù)2025年量產(chǎn)

臺積電N2技術(shù)和N3技術(shù)相比，功效大幅往前推進。在相同功耗下，速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。

臺積電表示，N2 將采用納米片晶體管架構(gòu)，在性能和功率效率方面提供全節(jié)點改進，以支持臺積電客戶的下一代產(chǎn)品創(chuàng)新。除了移動計算基準版本之外，N2 技術(shù)平臺還包括一個高性能變體，以及全面的小芯片集成解決方案。N2計劃于2025年開始生產(chǎn)。

正在開發(fā)N6e超低功耗平臺

據(jù)了解，N6e超低功耗平臺N12e 技術(shù)的下一個演變，旨在提供邊緣人工智能和物聯(lián)網(wǎng)設備所需的計算能力和能源效率。N6e 將基于臺積電先進的7nm工藝，預計邏輯密度是 N12e 的三倍。它將作為臺積電超低功耗平臺的一部分，該平臺是針對邊緣人工智能和物聯(lián)網(wǎng)應用的綜合邏輯、射頻、模擬、嵌入式非易失性存儲器和電源管理 IC 解決方案組合。

3D Fabric取得新進展

臺積電公布3D Fabric平臺取得的兩大突破性進展，一是臺積電已完成全球首顆以各應用系統(tǒng)整合芯片堆疊(TSMC-SoICTM)為基礎的中央處理器，采用芯片堆疊于晶圓之上(Chip-on- Wafer, CoW)技術(shù)將SRAM堆疊為3級緩存;二是使用 Wafer-on-Wafer (WoW) 技術(shù)堆疊在深溝槽電容器芯片頂部的突破性智能處理單元。

臺積電表示，由于 CoW 和 WoW 的 N7 芯片已經(jīng)投入生產(chǎn)，對N5技術(shù)的支持計劃在 2023 年進行。另外，為了滿足客戶對于系統(tǒng)整合芯片及其他臺積電3D Fabric 系統(tǒng)整合服務的需求，在竹南打造全球首座全自動化 3D Fabric先進封裝廠，預計今年下半年開始生產(chǎn)。

除了展示先進技術(shù)外，臺積電并透露了其他重要信息，包括2024年將擁有ASML下一代芯片制造工具以及到2025年，其成熟和專業(yè)節(jié)點的產(chǎn)能將擴大約50%。

2024年擁有ASML最新光刻機

臺積電研發(fā)高級副總裁Y.J.Mii表示：“臺積電將于2024年引進high-NA EUV設備，用來開發(fā)客戶所需的相關(guān)基礎設施和圖案解決方案，以推動創(chuàng)新。”

據(jù)悉，這種被稱為“high-NA EUV”的工具能夠產(chǎn)生聚焦光束，在手機、筆記本電腦、汽車和智能揚聲器等人工智能設備中使用的計算機芯片上形成微觀電路。

TechInsights的芯片經(jīng)濟學Dan Hutcheson指出，臺積電在2024年擁有High-NA EUV設備的重要性意味著他們將更快獲得最先進的技術(shù)。

臺積電舉辦2022 年北美技術(shù)論壇，首度推出采用納米片電晶體的下一世代先進N2 制程技術(shù)，以及支持N3 與N3E 制程的TSMC FINFLEX 技術(shù);并透露到2025 年，其成熟和專業(yè)節(jié)點的產(chǎn)能將擴大約50%，該計劃包括在中國臺灣、日本和中國大陸建設大量新晶圓廠。我們繼續(xù)看好晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈，數(shù)字化的提升帶來了芯片產(chǎn)能的持續(xù)供不應求，尤其是疊加國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化的紅利，設備材料廠商尤為受益，建議關(guān)注北方華創(chuàng)、安集科技、盛美上海、拓荊科技、華海清科、江豐電子、鼎龍股份、神工股份等。

據(jù)財聯(lián)社報道，特斯拉上海超級工廠產(chǎn)能利用率已100%恢復至疫情前水平。汽車電動化智能化大勢所趨，滲透率持續(xù)向上，我們看好產(chǎn)業(yè)鏈受益的功率及MCU 標的，主要包括士蘭微、聞泰科技、斯達半導、時代電氣、兆易創(chuàng)新等。

消費電子今年整體果鏈的確定性較高，在去年供應鏈擾動導致的業(yè)績低基數(shù)上，今年消費電子品牌公司和果鏈標的業(yè)績增速可期，另外年底大客戶的頭盔發(fā)布在即，有望催化情緒，整體估值有望迎來修復，建議投資者關(guān)注擁有自己品牌渠道和新產(chǎn)品占比較高的公司，比如傳音控股、大族激光、立訊精密、欣旺達、安克創(chuàng)新、光峰科技、長盈精密、歌爾股份和東山精密等。