6月20日消息，據(jù)BusinessKorea報道，三星電子正計劃通過在未來三年內(nèi)打造3納米GAA(Gate-all-around)工藝來追趕世界第一大代工公司——臺積電。

2021年6月，三星就率先宣布其基于GAA技術的3nm制程成已成功流片(Tape Out)。隨后在2021年10月的“Samsung Foundry Forum 2021”活動上，三星宣布將在2022年上半年搶先臺積電量產(chǎn)3nm GAA制程工藝。

對于在3nm量產(chǎn)上超越臺積電，三星方面也是信心滿滿。三星Device Solution事業(yè)部技術負責人Jeong Eun-seung去年就曾表示，“三星2017年才成立晶圓代工事業(yè)部，但憑借公司在存儲制造方面的專長，超越臺積電指日可待?！彼€舉例指出，三星曾領先臺積電開量產(chǎn)采用FinFET技術的14nm工藝。

雖然之前業(yè)界有很多關于三星3nm良率過低而導致量產(chǎn)遇阻的傳聞(今年年初有爆料稱，三星3nm GAA制程的良率僅10%~20%)，但是三星仍然是在2022年上半年的最后一天(6月30日)正式宣布成功量產(chǎn)3nm GAA工藝，以兌現(xiàn)其之前的承諾。

據(jù)悉，GAA是下一代工藝技術，改進了半導體晶體管的結(jié)構，使柵極可以接觸到晶體管的所有四面，而不是目前FinFET工藝的三面，GAA結(jié)構可以比FinFET工藝更精確地控制電流。

據(jù)悉，GAA 是下一代工藝技術，改進了半導體晶體管的結(jié)構，使柵極可以接觸到晶體管的所有四面，而不是目前 FinFET 工藝的三面，GAA 結(jié)構可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流。

根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，在 2021 年第四季度，臺積電占全球代工市場的 52.1%，遠遠超過三星電子的 18.3%。

三星電子正押注于將 GAA 技術應用于3納米工藝，以追趕臺積電。據(jù)報道，這家韓國半導體巨頭在6月初將3納米GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術的公司。三星希望通過技術上的飛躍，快速縮小與臺積電的差距。3 納米工藝將半導體的性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%，同時與 5 納米工藝相比，芯片面積減少了35%。

繼今年上半年將 GAA 技術應用于其 3 納米工藝后，三星計劃在 2023 年將其引入第二代 3 納米芯片，并在 2025 年大規(guī)模生產(chǎn)基于 GAA 的 2 納米芯片。臺積電的戰(zhàn)略是在今年下半年使用穩(wěn)定的 FinFET 工藝進入 3 納米半導體市場，而三星電子則押注于 GAA 技術。

專家稱，如果三星在基于 GAA 的 3 納米工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場的游戲規(guī)則改變者。臺積電預計將從 2 納米芯片開始引入 GAA 工藝，并在 2026 年左右發(fā)布第一個產(chǎn)品。對于三星電子來說，未來三年將是一個關鍵時期。

最近，三星宣布，在未來五年內(nèi)，將在半導體等關鍵行業(yè)投資共計 450 萬億韓元(約 2.34 萬億元人民幣)。然而，三星在 3 納米工藝良率方面遇到了障礙。與三星一樣，臺積電在提高 3 納米工藝的產(chǎn)量方面也有困難。

臺積電原本計劃從 7 月開始用 3 納米技術為英特爾和蘋果大規(guī)模生產(chǎn)半導體，但據(jù)DigiTimes 報道稱，臺積電在確保 3 納米工藝的理想產(chǎn)量方面遇到了困難，因此多次修改其技術路線圖。三星電子首次實現(xiàn) GAA" 多橋 - 通道場效應晶體管 "(簡稱 : MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET)應用打破了 FinFET 技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅(qū)動電流增強芯片性能。三星首先將納米片晶體管應用于高性能、低功耗計算領域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器領域。

3nmGAA 技術采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的 GAA 技術相比能提供更高的性能和能耗比。3 納米 GAA 技術上，三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度，優(yōu)化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。此外，GAA 的設計靈活性對設計技術協(xié)同優(yōu)化(DTCO ) 非常有利，有助于實現(xiàn)更好的 PPA 優(yōu)勢。與三星 5nm 工藝相比，第一代 3nm 工藝可以使功耗降低 45%，性能提升 23%，芯片面積減少 16%;而未來第二代 3nm 工藝則使功耗降低 50%，性能提升 30%，芯片面積減少 35%。

三星電子也面臨著類似的情況，3 納米工藝的試生產(chǎn)用晶圓已經(jīng)投入使用，但由于良率低的問題，該公司一直在推遲宣布正式的大規(guī)模生產(chǎn)?，F(xiàn)代汽車證券的研究主管 Roh Keun-chang 說：“除非三星電子為其 7納米 或更先進的工藝確保足夠的客戶，否則可能會加劇投資者對三星電子未來業(yè)績的焦慮。

根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，在2021年第四季度，臺積電占全球代工市場的52.1%，遠遠超過三星電子的18.3%。

三星電子正押注于將GAA技術應用于3納米工藝，以追趕臺積電。據(jù)報道，這家韓國半導體巨頭在6月初將3納米GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術的公司。三星希望通過技術上的飛躍，快速縮小與臺積電的差距。3納米工藝將半導體的性能和電池效率分別提高了15%和30%，同時與5納米工藝相比，芯片面積減少了35%。

繼今年上半年將GAA技術應用于其3納米工藝后，三星計劃在2023年將其引入第二代3納米芯片，并在2025年大規(guī)模生產(chǎn)基于GAA的2納米芯片。臺積電的戰(zhàn)略是在今年下半年使用穩(wěn)定的FinFET工藝進入3納米半導體市場，而三星電子則押注于GAA技術。

專家稱，如果三星在基于GAA的3納米工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場的游戲規(guī)則改變者。臺積電預計將從2納米芯片開始引入GAA工藝，并在2026年左右發(fā)布第一個產(chǎn)品。對于三星電子來說，未來三年將是一個關鍵時期。

三星電子的 3nm 芯片采用了 MBCFET ( Multi-Bridge-Channel FET ) GAA 架構，通過降低電源電壓和增強驅(qū)動電流能力，能有效提高功率。并且，三星還在高性能智能手機處理器的半導體芯片中也使用過納米片晶體管。與納米線技術相比，擁有更寬通道的納米片具有更高的性能和效率。三星電子的客戶可以通過調(diào)整納米片的寬度，來定制自己需要的功耗和性能指標。

為了幫助芯片客戶和合作伙伴設計更好的芯片，并驗證他們的想法需求，三星代工提供了一個穩(wěn)定的設計環(huán)境。通過SAFE(三星先進代工生態(tài)系統(tǒng))合作伙伴，如Ansys、Cadence、西門子和Synopsys，客戶可以減少芯片設計、驗證和批準過程所需的時間，并提高產(chǎn)品的可靠性。

三星電子總裁兼代工負責人Siyoung Choi博士表示:“三星電子將把下一代技術應用于制造業(yè)方面，并繼續(xù)展現(xiàn)出領先地位。我們將在競爭性技術開發(fā)方面繼續(xù)積極創(chuàng)新，建立有助于加快技術成熟度的流程。”