6 月 30 日消息，三星電子有限公司周四宣布，該公司已經(jīng)開(kāi)始在其位于韓國(guó)的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn) 3 納米芯片的公司。與前幾代使用 FinFET 的芯片不同，三星使用的 GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu)，該架構(gòu)大大改善了功率效率。

三星公司在一份聲明中說(shuō)，與傳統(tǒng)的 5 納米芯片相比，新開(kāi)發(fā)的第一代 3 納米工藝可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并減少 16% 的面積。三星還稱(chēng)，第二代 3 納米 GAA 制造工藝也正在研發(fā)中，這種第二代工藝將使芯片功耗降低達(dá) 50%，性能提高 30%，面積減少 35%。

6月30日消息，三星方面在今日宣布，其公司位于韓國(guó)的華城工廠已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3納米工藝芯片，三星將成為全球首家量產(chǎn)3nm技術(shù)產(chǎn)品的公司。

根據(jù)三星官方公布的信息，三星在3nm工藝上采用了全新的GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu)，相比較于傳統(tǒng)的FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)架構(gòu)有所不同。

三星方面表示，與傳統(tǒng)的 5 納米芯片相比，新開(kāi)發(fā)的第一代 3 納米工藝可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并減少 16% 的面積。而目前三星官方尚未公布此3nm芯片的客戶(hù)。

臺(tái)積電方面則將在今年下半年啟動(dòng)3nm工藝的大規(guī)模量產(chǎn)，仍將會(huì)采用FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)架構(gòu)。與前幾代使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的芯片不同，第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術(shù)，大幅提升了效能。與三星5納米工藝相比，第一代3納米工藝可使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。三星表示，將于明年投入的第二代3納米工藝可使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。

三星電子計(jì)劃將3納米制程工藝優(yōu)先應(yīng)用于高性能計(jì)算(HPC)芯片，再擴(kuò)大至移動(dòng)系統(tǒng)芯片(SoC)等。此外，三星電子還計(jì)劃從2025年開(kāi)始生產(chǎn)基于GAA的2納米芯片，力爭(zhēng)在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域趕超臺(tái)積電(TSMC)。

據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)(TrendForce)提供的數(shù)據(jù)，以今年第一季度為準(zhǔn)，臺(tái)積電的全球市場(chǎng)份額以53.6%位居第一，三星電子以16.3%位居第二。據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃下半年起量產(chǎn)3納米芯片，再將GAA技術(shù)應(yīng)用于其2納米工藝。

3納米芯片基于全環(huán)繞柵級(jí)(Gate-All-Around)技術(shù)。三星電子說(shuō)，相對(duì)于其5納米芯片，初代3納米芯片可減少45%的能耗，提升23%的性能并減少16%的面積。全環(huán)繞柵級(jí)技術(shù)可最終減少多達(dá)50%的能耗，提升30%的性能并減少35%的面積。

三星晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人崔時(shí)永(音譯)說(shuō)：“我們將繼續(xù)研發(fā)創(chuàng)新技術(shù)，努力快速獲取成熟技術(shù)?！?

全球最大芯片代工企業(yè)中國(guó)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(臺(tái)積電)說(shuō)，將于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片。

作為全球最大存儲(chǔ)芯片制造商，三星電子說(shuō)，其2納米芯片仍在研發(fā)初期，計(jì)劃2025年量產(chǎn)。

說(shuō)起這個(gè)首次實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的3納米芯片，就不得不提到它背后的MBCFET技術(shù)。

MBCFE突破了此前FinFET的性能限制，通過(guò)降低電源電壓水平來(lái)提高功率效率，同時(shí)還通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電流能力提高了性能。

說(shuō)起納米片晶體管和半導(dǎo)體芯片的應(yīng)用，三星這還是第一次。目的是為了實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗的計(jì)算服務(wù)。最終能在移動(dòng)處理器上也得以應(yīng)用。

三星的總裁，兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi博士表示，「我們一直都發(fā)展得很快。三星一直緊跟前沿的技術(shù)，然后想辦法把它們投入生產(chǎn)應(yīng)用。比如說(shuō)之前的首個(gè)High-K金屬柵極、FinFET，還有EUV等等。」

「現(xiàn)在，我們又是第一個(gè)研究MBCFET的?！?

三星的獨(dú)家技術(shù)應(yīng)用了有更寬的通道的納米片，和用通道窄一點(diǎn)的納米線的傳統(tǒng)GAA技術(shù)相比，不光提升了性能，還提高了能源利用率。

不僅如此，應(yīng)用了3納米GAA技術(shù)，三星還能通過(guò)調(diào)整納米片的通道寬度，優(yōu)化功耗和性能，來(lái)滿(mǎn)足各類(lèi)客戶(hù)的不同需求。

此外，3納米GAA的設(shè)計(jì)非常靈活，簡(jiǎn)直就是為設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO)量身打造的。我們主要看新技術(shù)應(yīng)用以后，芯片的功耗、性能和面積大小(PPA，Power、Performance、Area)三個(gè)維度來(lái)量化。

和5納米的工藝相比，第一代3納米工藝相比5納米降低了高達(dá)45%的能耗，提升了23%的性能，減少了16%的面積。

光是一代的提升就已經(jīng)肉眼可見(jiàn)了。

更不用說(shuō)二代的PPA——功耗降低50%、性能提高30%、面積減少35%，比一代又優(yōu)秀了不知多少。

良品率行不行?量產(chǎn)靠譜嗎?

在外行眼里，能量產(chǎn)3納米的工藝可能已經(jīng)不敢想象了，但是也有分析師表達(dá)了其它的一些看法。

來(lái)自大和資本市場(chǎng)的SK Kim表示，「三星能干成這件事，確實(shí)有意義。但還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。量產(chǎn)只是第一步，你在能用它來(lái)生產(chǎn)主流芯片之前，比如手機(jī)CPU這種，不見(jiàn)得能多掙多少錢(qián)。」

這其實(shí)是有根據(jù)的。

4月份就有消息傳出來(lái)，說(shuō)三星基于GAA的3納米工藝良率才在10%~20%之間，比預(yù)期低得多。

三星需要付出更多的精力和成本來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。

5月份就再次傳出了3納米良率問(wèn)題已得到解決的消息，6月初才又傳出來(lái)進(jìn)入試驗(yàn)性量產(chǎn)的說(shuō)法。

不過(guò)，有了4月的前車(chē)之鑒，業(yè)界很多專(zhuān)家都對(duì)三星3納米的真實(shí)情況打了個(gè)小小的問(wèn)號(hào)。

據(jù)報(bào)道，6月22日，市場(chǎng)再次傳出了三星3納米芯片量產(chǎn)再一次推遲的消息，還是因?yàn)榱悸蕟?wèn)題。

而且，三星之前給別的大廠代工芯片還鬧出過(guò)不少笑話。

最逗的可能就是當(dāng)時(shí)超級(jí)出圈的驍龍888，人送外號(hào)「大火龍」。