工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)，可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見(jiàn)的電動(dòng)機(jī)類型，它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。它可以吸收一個(gè)行業(yè)高達(dá) 60% 的全部電力需求，因此對(duì)于驅(qū)動(dòng)器提供高效率水平至關(guān)重要。

在工業(yè)電源應(yīng)用中，電子設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)使用基于碳化硅的晶體管 (SiC MOSFET) 獲得巨大的好處，與傳統(tǒng)的基于硅的解決方案(例如IGBT(絕緣柵雙極晶體管))相比，碳化硅晶體管 (SiC MOSFET) 提供了顯著的效率提升、更小的散熱器尺寸和更低的成本晶體管。SiC 技術(shù)允許在體二極管關(guān)斷后發(fā)生的反向恢復(fù)階段獲得非常低的每單位面積RDS ON 、高開(kāi)關(guān)頻率和可忽略的能量損失。

基于逆變器的驅(qū)動(dòng)器

最常見(jiàn)的基于三相逆變器，這種在工業(yè)級(jí)廣泛使用的拓?fù)浠趦呻娖饺嗄孀兤?，主要使用分立或功率模塊 IGBT，具體取決于功率要求，加上續(xù)流二極管。六個(gè)功率晶體管連接在三個(gè)半橋臂中，為電機(jī)或其他負(fù)載產(chǎn)生三相交流電。每個(gè)半橋都被迫以特定頻率在歐姆電感負(fù)載(電機(jī))上切換，以便能夠控制其速度、位置和電磁轉(zhuǎn)矩。IGBT晶體管是少數(shù)載流子器件，具有高輸入阻抗和大雙極載流能力。在電機(jī)控制應(yīng)用中，由于感性負(fù)載特性，通常需要添加一個(gè)反并聯(lián)或續(xù)流二極管以獲得功能齊全的開(kāi)關(guān)，盡管在某些特殊情況下續(xù)流二極管不是必需的。與功率晶體管并聯(lián)放置的續(xù)流二極管連接在集電極端子和發(fā)射極端子之間以傳導(dǎo)反向電流。這些二極管是必需的，因?yàn)樵陉P(guān)斷期間，如果沒(méi)有提供合適的路徑，感性負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生高電壓峰值。反過(guò)來(lái)，這可能會(huì)損壞電源開(kāi)關(guān)。由于其特殊的結(jié)構(gòu)，IGBT 晶體管不像 MOSFET 那樣具有寄生二極管。續(xù)流二極管可以單片集成，也可以作為分立二極管添加到 IGBT 封裝之外。盡管在某些特殊情況下不需要續(xù)流二極管。與功率晶體管并聯(lián)放置的續(xù)流二極管連接在集電極端子和發(fā)射極端子之間以傳導(dǎo)反向電流。這些二極管是必需的，因?yàn)樵陉P(guān)斷期間，如果沒(méi)有提供合適的路徑，感性負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生高電壓峰值。反過(guò)來(lái)，這可能會(huì)損壞電源開(kāi)關(guān)。由于其特殊的結(jié)構(gòu)，IGBT 晶體管不像 MOSFET 那樣具有寄生二極管。續(xù)流二極管可以單片集成，也可以作為分立二極管添加到 IGBT 封裝之外。盡管在某些特殊情況下不需要續(xù)流二極管。與功率晶體管并聯(lián)放置的續(xù)流二極管連接在集電極端子和發(fā)射極端子之間以傳導(dǎo)反向電流。這些二極管是必需的，因?yàn)樵陉P(guān)斷期間，如果沒(méi)有提供合適的路徑，感性負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生高電壓峰值。

反過(guò)來(lái)，這可能會(huì)損壞電源開(kāi)關(guān)。由于其特殊的結(jié)構(gòu)，IGBT 晶體管不像 MOSFET 那樣具有寄生二極管。續(xù)流二極管可以單片集成，也可以作為分立二極管添加到 IGBT 封裝之外。續(xù)流二極管連接在集電極和發(fā)射極端之間以傳導(dǎo)反向電流。這些二極管是必需的，因?yàn)樵陉P(guān)斷期間，如果沒(méi)有提供合適的路徑，感性負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生高電壓峰值。反過(guò)來(lái)，這可能會(huì)損壞電源開(kāi)關(guān)。由于其特殊的結(jié)構(gòu)，IGBT 晶體管不像 MOSFET 那樣具有寄生二極管。續(xù)流二極管可以單片集成，也可以作為分立二極管添加到 IGBT 封裝之外。續(xù)流二極管連接在集電極和發(fā)射極端之間以傳導(dǎo)反向電流。這些二極管是必需的，因?yàn)樵陉P(guān)斷期間，如果沒(méi)有提供合適的路徑，感性負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生高電壓峰值。反過(guò)來(lái)，這可能會(huì)損壞電源開(kāi)關(guān)。

由于其特殊的結(jié)構(gòu)，IGBT 晶體管不像 MOSFET 那樣具有寄生二極管。續(xù)流二極管可以單片集成，也可以作為分立二極管添加到 IGBT 封裝之外。IGBT 晶體管不像 MOSFET 那樣具有寄生二極管。續(xù)流二極管可以單片集成，也可以作為分立二極管添加到 IGBT 封裝之外。IGBT 晶體管不像 MOSFET 那樣具有寄生二極管。續(xù)流二極管可以單片集成，也可以作為分立二極管添加到 IGBT 封裝之外。

下側(cè)續(xù)流二極管反向恢復(fù)時(shí)，其電流流向與上側(cè)開(kāi)關(guān)相同，反之亦然;因此，在開(kāi)啟換向時(shí)會(huì)出現(xiàn)過(guò)沖，從而產(chǎn)生額外的功率損耗，從而影響整體效率。SiC MOSFET 由于反向恢復(fù)電流和反向時(shí)間值要低得多，因此可以大幅降低恢復(fù)損耗，與與硅基 IGBT 共同封裝的續(xù)流二極管相比，效率顯著提高。

開(kāi)啟/關(guān)閉換向要求

在工業(yè)驅(qū)動(dòng)中，必須特別注意開(kāi)啟和關(guān)閉換向速度。事實(shí)上，SiC MOSFET dV/dt 可以達(dá)到比 IGBT 高得多的水平。如果處理不當(dāng)，高換向 dv/dt 會(huì)增加長(zhǎng)電機(jī)電纜上的電壓尖峰，并可能產(chǎn)生共模和差模寄生電流，隨著時(shí)間的推移，會(huì)導(dǎo)致繞組絕緣和電機(jī)軸承出現(xiàn)故障。盡管更快的開(kāi)啟/關(guān)閉提高了效率，但出于前面提到的可靠性原因，工業(yè)驅(qū)動(dòng)器中的典型 dv/dt 通常設(shè)置為 5 到 10 V/ns。

意法半導(dǎo)體對(duì)兩個(gè)相似的 1.2kV 功率晶體管 SiC MOSFET 和 Si 基 IGBT 進(jìn)行的比較證明，與Si IGBT，即使在 5 V/ns 的強(qiáng)加條件下。

靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性

使用相同類型的晶體管，ST 進(jìn)行的分析還可以比較靜態(tài)和動(dòng)態(tài)操作中的特性(或電壓-電流)曲線。圖 2 所示的靜態(tài)特性曲線是在結(jié)溫 T J =125°C 時(shí)獲得的。從兩條曲線之間的比較來(lái)看，SiC 解決方案提供的顯著優(yōu)勢(shì)出現(xiàn)在整個(gè)電壓和電流范圍內(nèi)，這首先要?dú)w功于其線性正向壓降。相反，IGBT 晶體管表現(xiàn)出非線性電壓降 (V CE(sat) )，其本身取決于集電極電流。

在電流約為 40A 時(shí)達(dá)到收支平衡點(diǎn)：低于此值，SiC MOSFET 的傳導(dǎo)損耗低于 IGBT。這是因?yàn)?SiC MOSFET 由于其線性靜態(tài)特性而利用了靜態(tài)損耗。而且，即使 SiC MOSFET 需要 V GS =18V 才能實(shí)現(xiàn)出色的 R DS(ON)，它也可以提供比硅基 IGBT 更好的靜態(tài)性能，從而顯著降低傳導(dǎo)損耗。

還使用雙脈沖測(cè)試從動(dòng)態(tài)角度分析了這兩個(gè)設(shè)備。此特定測(cè)試的目的是在開(kāi)啟和關(guān)閉條件下提供動(dòng)態(tài)損耗測(cè)量。獲得的結(jié)果表明，與 Si IGBT 相比，即使在 5 V/ns 條件下，SiC MOSFET 在整個(gè)分析電流范圍內(nèi)的開(kāi)啟和關(guān)閉能量(約 -50%)也顯著降低。在 50V/ns 時(shí)，SiC MOSFET 可進(jìn)一步降低損耗。IGBT 無(wú)法達(dá)到如此高的換向速度。

電熱模擬

為了比較 SiC MOSFET 和 Si IGBT 在典型工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的運(yùn)行情況，電熱仿真是更好的選擇。關(guān)于 ST 分析，該模擬是使用他們專有的軟件工具 PowerStudio 進(jìn)行的。該軟件提供全面的功率和熱分析，能夠預(yù)測(cè)設(shè)備性能，縮短解決方案設(shè)計(jì)時(shí)間并節(jié)省時(shí)間和資源。此外，該工具有助于選擇適合應(yīng)用任務(wù)配置文件的適當(dāng)設(shè)備。ST PowerStudio 基于非常精確的內(nèi)置電氣和熱模型，適用于每個(gè)設(shè)備，并且由于考慮到自熱效應(yīng)的迭代計(jì)算，它提供了對(duì)功率損耗以及結(jié)和外殼溫度的高度準(zhǔn)確估計(jì). 使用 PowerStudio 進(jìn)行的 ST 電熱仿真證明，使用 SiC MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)更高的能效，從而降低任何散熱器的熱要求，從而降低重量、空間和成本。與 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 解決方案在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)條件下以及開(kāi)關(guān)和二極管方面的總功率損耗要低得多。