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[導(dǎo)讀]Flash Memory(閃速存儲器)是一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電不丟失等一系列優(yōu)點,已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。

兩種存儲器,三種內(nèi)存大小,六段段

1. 兩種存儲器FLASH

Flash Memory(閃速存儲器)是一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電不丟失等一系列優(yōu)點,已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。

Flash是區(qū)塊結(jié)構(gòu),即在物理結(jié)構(gòu)上分成若干個物理塊,區(qū)塊之間相互獨立。

Flash寫操作必須先擦后寫,F(xiàn)lash只能將數(shù)據(jù)位由1寫成0,不能從0寫成1,所以在對存儲器寫之前必須先執(zhí)行擦除操作,擦操作的最小單位是一個區(qū)塊,而不是一個字節(jié)。

RAM

RAM(Random Access Memory)又稱隨機存取存儲器,也叫內(nèi)存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。速度很快,斷電RAM不保留數(shù)據(jù)。

RAM主要用來存儲程序中用到的全局變量、堆棧等。

2. 三種存儲區(qū)

map中三種內(nèi)存

編譯完工程會生成一個.map 的文件,該文件的最后說明了ROM和RAM占用空間大小,如下圖所示:

其中ROM就是程序燒錄到FLASH中的大小,RW就是占用RAM大小.

RO

RO (Read Only ): 只讀區(qū)域, 需要長久保存,燒錄到Flash中,下文的text段和constdata段屬于此屬性區(qū)

RW

RW (Read Write): 可讀可寫,通常為全局變量和靜態(tài)變量,下文中的.data段和.bss屬于RW區(qū)

ZI

ZI (Zero Init): 沒有進行初始化或者初始化為0,系統(tǒng)上電時會主動把此區(qū)域數(shù)據(jù)進行0初始化,下文的.bss段就是. 另外, 可翻看Keil工具編譯的map文件,Heap和Stack區(qū)也進行了Zero的屬性標(biāo)注, 因此,Heap和Stack也可認為是ZI區(qū)域

ROM與RAM數(shù)據(jù)比較

數(shù)據(jù)段 說明 RAM ROM
.bss -- true false
.data true true
RO-data 常量 false true
.text -- false true
stack 局部變量等 true false
heap malloc true false

.text

.text代碼段: 用來放程序代碼(code), 在代碼編譯完成后, 長久只讀存放于此,屬于圖中的代碼段

.constdata

.constdata只讀常量數(shù)據(jù)段: const限定的數(shù)據(jù)類型存放在此,屬于圖中的常量存儲區(qū)

.data

用來存放初始化不為0的全局變量(global)和靜態(tài)變量(static),它是可讀可寫的,屬于圖中的靜態(tài)存儲區(qū)

.bss

.bss的英文是Block Started by Symbol,翻譯過來就是由符號開始的塊。此部分類似于數(shù)據(jù)部分,只是它不占用可執(zhí)行文件中的空間。

bss通常是指用來存放程序中沒有初始化或初始化為0的全局變量和靜態(tài)變量的一塊內(nèi)存區(qū)域,可讀可寫,屬于圖中的靜態(tài)存儲區(qū),如果變量未初始化,系統(tǒng)會將變量初始化為0

heap

heap堆區(qū): 通常我們說的動態(tài)內(nèi)存分配,使用malloc/free進行申請和釋放,屬于動態(tài)存儲區(qū).

stack

stack棧區(qū): 在代碼執(zhí)行時用來保存函數(shù)的局部變量和參數(shù),屬于動態(tài)存儲區(qū).



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