從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅動電路設計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結果。

V CES — 集電極-發(fā)射極電壓

這是柵極與發(fā)射極短路時集電極和發(fā)射極之間的最大電壓額定值。這是最大額定值，根據(jù)溫度，最大允許集電極發(fā)射極電壓實際上可能低于 VCES 額定值。請參閱靜態(tài)電氣特性中對 BVCES 的描述。

V GE — 柵極-發(fā)射極電壓

VGE 是柵極和發(fā)射極端子之間最大連續(xù)電壓的額定值。此額定值的目的是防止柵極氧化層擊穿并限制短路電流。實際的柵極氧化物擊穿電壓遠高于此值，但始終保持在此額定值范圍內可確保應用可靠性。

V GEM — 柵極發(fā)射極電壓瞬態(tài)

VGEM 是柵極和發(fā)射極端子之間的最大脈沖電壓。此等級的目的是防止柵極氧化物擊穿。柵極上的瞬態(tài)不僅可以由施加的柵極驅動信號引起，而且通常更明顯的是由柵極驅動電路中的雜散電感以及通過柵極-集電極電容的反饋引起的。如果柵極上的振鈴比 VGEM 多，則可能需要減少雜散電路電感，和/或增加柵極電阻以減慢開關速度。除了電源電路布局外，柵極驅動電路布局對于最小化有效柵極驅動環(huán)路面積和由此產(chǎn)生的雜散電感至關重要。

如果使用鉗位齊納二極管，建議將其連接在柵極驅動器和柵極電阻之間，而不是直接連接到柵極端子。負柵極驅動不是必需的，但可用于實現(xiàn)最大的開關速度，同時避免 dv/dt 引起的導通。

I C1 , I C2 — 連續(xù)集電極電流

I C1和 I C2是在其最大額定結溫下的最大連續(xù)直流電流額定值。它們基于結殼熱阻額定值 R θJC和外殼溫度，當然 V CE(on)取決于 I C(以及結溫)。除了在相對較低的電流下，IC 和 V CE(on)之間的關系是相當線性的。因此可以使用線性近似來將 I C與 V CE(on)聯(lián)系起來。

V CE(on)的曲線是模具在高溫下的曲線。(為了計算數(shù)據(jù)表值，Microsemi 使用最大 V CE(on)，它高于典型的 V CE(on)以考慮部件之間的正常變化。)將 V CE(on)與 I C相關的方程式是：

以得到 V CE(on)以求解 I C：中的I C表示連續(xù)直流電流(器件完全開啟)，它會導致芯片加熱到其最大額定結溫。I C1是 (5) 的解， T C等于 25°C。I C2是在升高的溫度下用 T C對 (5) 的溶液。這是一個比傳統(tǒng) I C1額定值更有用的額定值，因為在僅 25°C 的外殼溫度下工作很少可行，但 I C2仍然沒有考慮開關損耗。

使用 I C1和 I C2額定值

I C1和 I C2額定值以及最大集電極電流與外殼溫度的關系圖僅表示器件可以承載的最大理論連續(xù)直流電流，基于最大結殼熱阻。它們的目的主要是作為比較設備的品質因數(shù)。對于軟開關應用，I C2是選擇器件的良好起點。在硬開關或軟開關應用中，設備可能安全地承載更多或更少的電流，具體取決于：

· 開關損耗

· 占空比

· 開關頻率

· 切換速度

· 散熱能力

· 熱阻抗和瞬變

關鍵是，我們不能簡單地假設器件可以在開關模式電源轉換器中安全地承載與 I C1或 I C2額定值或最大集電極電流與外殼溫度的關系圖中所示相同的電流。