最近，我會見了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強調，他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內唯一通過 JEDEC 認證的產品。

延長壽命測試

他們對 600V 操作的延長壽命測試已實現(xiàn) > 10 7 小時的預測，并且仍在繼續(xù)。引用 JEDEC 文件 JESD47H0-01 的一段話：“……在 0.7 eV 的表觀活化能、125 攝氏度 的應力溫度和 55 攝氏度 的使用溫度下，加速因子(Arrhenius 方程)為 78.6。這意味著 1000 小時的壓力持續(xù)時間相當于 9 年的使用時間?！?

活化能對 1000 小時應力估計壽命的影響

壽命計算： t F =C*exp(E A /kT)?ln(T F )=C+(E A /k)(T -1 ) [E A =活化能]

600V GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的擴展高溫反向偏置 (HTRB) 測試。目標是針對 MTTF 測試 50% 的設備故障。測試到 8,000 小時，故障率約為 2%，即 <<50%，因此設計本質上被認為非常穩(wěn)健

擴展高溫操作測試

這些器件在 175 攝氏度的硬開關升壓轉換器中運行，GaN HEMT 3000hr 高溫工作壽命 (HTOL) 在 175 攝氏度 下完成而沒有退化，實際 在 175 攝氏度下運行 3000 小時后沒有可測量的退化。額定電壓為 600V 的 GaN HEMT 的電壓加速測試，600V 工作壽命超過 10 7小時和 480V 工作壽命超過 10 8小時的保守模型預測

專利權與獲取策略

我一直對他們的 250 項綜合專利印象深刻，這些專利聲稱是競爭行業(yè)中最大的知識產權。除了 600V JEDEC 認證的 HEMT 之外，他們收購了 Fujitsu 在日本的 GaN 開發(fā)項目，為他們提供了 200V 增強模式 (e-mode) 技術。

無二極管 600V 半橋

他們的半橋評估板可以配置為降壓或升壓轉換器，以研究架構的開關特性和效率能力。

電路中的電感器有助于在 100 kHz 下高效運行。在降壓或升壓模式下，電路可以設置為同步整流。跳線提供單個邏輯輸入或單獨的高/低輸入的可用性選擇。高壓輸入和輸出可在高達 400V 的電壓下工作。此設計中沒有二極管壓降，并且在輕負載時效率很高。

一體式 GaN 電源

據(jù)稱，這種用于計算機的 GaN 緊湊型電源比基于硅的電源要小，并且根據(jù) Transphorm 的說法，它甚至已與最先進的 iMac 電源進行了基準測試。GaN PFC+LLC 一體化電源與硅解決方案相比，電路板占位面積明顯縮小 45%。

GaN 設計可以在 200 kHz 的 PWM 下運行，而硅解決方案的 PWM 則為 50 至 80 kHz。GaN 解決方案在滿負載時的效率比硅解決方案高 1.7%，在 3% 至 10% 負載時的效率高 3%。

圖騰柱PFC

Transphorm 顯示，GaN 在圖騰柱 PFC 設計中的性能優(yōu)于硅 MOSFET。它是真正的無橋 PFC，其損耗與負載成正比，并聲稱在 50 kHz 時具有 99% pk 的最高效率，并且尺寸比硅設計更小。

根據(jù) Transphorm 測試，GaN 圖騰柱 PFC 設計在各個方面都優(yōu)于硅。Transphorm 測試表明，GaN MOSFET 的 Q rr(體漏反向恢復電荷)優(yōu)于硅，具有 LLC DC/DC 轉換器的組合圖騰柱 PFC。GaN 達到 97.5% 的效率，而最好的硅可以做到 96.5%。由于可以消除二極管，GaN 在較低功率下具有更高的效率。新的 PQFN 封裝可最大限度地減少 EMI 和振鈴。

在 APEC 上，Transphorm 推出了符合 JEDEC 標準的新 PQFN 封裝。新的 PQFN 封裝通過最大限度地減少封裝寄生效應來最大限度地減少 EMI 和振鈴。此封裝中提供的一些器件是 GaN 功率、低損耗開關(TPH3002 和 TPH3006)

應用

應用為 10 kW 及以下，尤其是在 PV 逆變器中。一位日本客戶 Yaskawa Electric 正在將 Transphorm 的 GaN 模塊解決方案用于 5 KW 無風扇光伏逆變器，其運行效率為 98.2%?？蛻暨€可以在光伏逆變器中使用他們的分立 TO-220 解決方案。

該公司的一體化 250W 電源和 99% 圖騰柱 PFC 設計在客戶需要更高效率和小尺寸的地方也很暢銷。