8月19日消息，據(jù)國外媒體報道，在5nm制程工藝采用兩年之后，蘋果自研芯片預(yù)計在今年就會開始采用更先進的3nm制程工藝代工。而最新的消息顯示，蘋果采用3nm制程工藝的芯片，在今年下半年就將投片，首款可能是自研M2 Pro芯片。

外媒在報道中提到，蘋果的M2 Pro芯片，計劃用于下一代的14英寸和16英寸MacBook Pro及一款高端的Mac mini，有望在今年年底或明年上半年推出。

蘋果自研Mac芯片的計劃，是在2020年6月份的全球開發(fā)者大會上公布的，首款產(chǎn)品M1在當(dāng)年10月11日凌晨推出。在2021年的10月19日，蘋果又推出了M1 Pro和M1 Max，一并推出了新一代的MacBook Pro。而在今年3月9日的春季新品發(fā)布會上，蘋果又推出了M1陣營的終極成員M1 Ultra。

在推出M1 Ultra之后不到3個月，蘋果開始推出M2系列芯片，首款M2在6月7日凌晨1點開始的全球開發(fā)者大會上推出，采用第二代5納米制程工藝打造，集成超過200億個晶體管。

蘋果M1系列中的M1 Pro和M1 Max，是同時推出的，但消息人士最新的透露中，只提到了M2 Pro率先采用3nm制程工藝，并未提及M2 Max是否會一并推出，這也就意味著蘋果可能進行調(diào)整，在不同的發(fā)布會上分別推出。

雖然在5nm的芯片代工被限制之后，但華為依然還在不斷的對先進工藝的芯片進行研發(fā)，一旦國內(nèi)突破了光刻機等卡脖子技術(shù)以后，那么華為的芯片就將會成功復(fù)活，畢竟現(xiàn)在蘋果、三星、高通以及臺積電都在不斷的研發(fā)3nm乃至更加先進工藝的芯片，所以華為也自然不甘于落后，沒想到華為一直都在時刻準(zhǔn)備著在芯片領(lǐng)域崛起!

綜合來看，華為雖然在芯片代工領(lǐng)域被限制，但是這也依然無法阻擋華為研發(fā)芯片的熱情和進度，而華為3nm芯片研發(fā)成功以后，只要中科院和眾多國產(chǎn)科技企業(yè)不斷努力，在芯片代工領(lǐng)域取得突破以后，那么華為的芯片就可以隨時被生產(chǎn)出來，可以說現(xiàn)在華為時刻為自己的海思麒麟芯片復(fù)活做著相關(guān)的準(zhǔn)備，只要解決了芯片代工的事情，那么華為芯片就能迎來轉(zhuǎn)機，相信要不了多久，芯片“卡脖子”的問題就能得到解決。

臺積電(中國)有限公司副總監(jiān)陳芳在日前的2022年世界半導(dǎo)體大會上表示，N3(又稱3nm)芯片將在今年下半年量產(chǎn)，已經(jīng)對部分移動和HPC(高性能計算)領(lǐng)域的客戶交付，如果有手機的客戶當(dāng)下采用3nm芯片，明年產(chǎn)品就能問世。

根據(jù)臺積電提供的技術(shù)路線圖，在N3之后，該公司會繼續(xù)推出N3E、N3P、N3X三個版本，例如:N3E是N3芯片的加強版，也將為智能手機和HPC應(yīng)用提供完整的平臺支持。臺積電在今年二季度財報會上表示，N3E的客戶參與度很高，批量生產(chǎn)計劃將在N3之后的1年左右進行，預(yù)計這三個版本會陸續(xù)在2025年之前進入量產(chǎn)。

陳芳表示，3nm系列的創(chuàng)新主要在于這種工藝使用了FINFLEX技術(shù)，可以在提升密度的情況下維持速度和功耗的平衡。此前根據(jù)彭博社報道，三星電子也表示在今年下半年量產(chǎn)3nm芯片，但尚未有客戶交付的消息。8月18日，據(jù)相關(guān)爆料，臺積電3nm(N3)制程將預(yù)計于第三季增加投片量，于第四季度進入量產(chǎn)階段，臺積電3nm采用了鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu)，N3制程采用TSMC FINFLEX 技術(shù)，將3nm家族技術(shù)的PPA進一步提升。

臺積電N3制程將在2022年下半年量產(chǎn)，并于2023年上半年開始貢獻營收。據(jù)悉，今年底蘋果將成為第一家采用臺積電3nm的客戶，首款產(chǎn)品可能是M2 Pro芯片，而明年的iPhone15 Pro的A17處理器，以及M2、M3系列芯片，都會導(dǎo)入臺積電 3nm。

報道稱，臺積電將于今年9月開始基于N3制造工藝大規(guī)模量產(chǎn)芯片，并于明年年初向客戶交付首批產(chǎn)品。一般來說，臺積電會在3月至5月開始對新節(jié)點進行大規(guī)模量產(chǎn)。但N3節(jié)點的開發(fā)時間比平時要長，這就是為什么蘋果即將推出的iPhone芯片將使用不同的節(jié)點。

臺積電的3納米N3制程在完成技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)后，預(yù)計第三季度下旬開始，投片量會大幅拉升，而到第四季度，預(yù)計月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn)，開始進入量產(chǎn)階段。

業(yè)內(nèi)人士指出，依據(jù)臺積電N3制程的試產(chǎn)情況，預(yù)計量產(chǎn)后的初期良率表現(xiàn)會比5納米的N5制程初期還好。臺積電總裁魏哲家也表示，臺積電的N3制程將具備良好良率，2023年即可實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并于上半年開始貢獻營收。

蘋果將是第一家采用臺積電3納米投片客戶。業(yè)界人士指出，蘋果下半年將首度采用臺積電3納米芯片，首款產(chǎn)品可能是M2 Pro處理器，而明年包括新款A(yù)17處理器，以及M3系列處理器，都會采用臺積電的3納米。

英特爾的GPU和CPU也會在明年下半年采用臺積電3納米制程實現(xiàn)量產(chǎn)，其他如FPGA等也會在明、后年之后采用。

AMD雖然在先進制程的采用較英特爾落后，但以技術(shù)藍(lán)圖來看，AMD在明、后年轉(zhuǎn)進Zen 5架構(gòu)后，部份產(chǎn)品已確定會采用臺積電3納米制程。

至于輝達(dá)、聯(lián)發(fā)科、高通、博通等大客戶，同樣會在2024年之后完成3納米芯片設(shè)計并開始量產(chǎn)。相比于基于5nm的N5工藝，N3預(yù)計將提升10%至15%的性能，降低25%至30%的功耗，以及提高約1.6倍的邏輯密度。

技術(shù)方面，臺積電的3nm仍然使用FinFET鰭型場效應(yīng)晶體管。臺積電認(rèn)為，目前的FinFET工藝擁有更好的成本和能耗效率。此外，客戶在5nm制程的設(shè)計也能用在3nm制程中，無需面臨需要重新設(shè)計產(chǎn)品的問題，臺積電可以保持自身的成本競爭力，獲得更多的客戶訂單。

標(biāo)準(zhǔn)N3節(jié)點的工藝窗口較為狹窄，也就是說，部分設(shè)計的產(chǎn)量可能會低于預(yù)期。不過，改進了工藝窗口的N3E節(jié)點也正在開發(fā)之中，預(yù)計將在N3之后一年左右進入大規(guī)模量產(chǎn)階段，而且有跡象表明其量產(chǎn)可能會更早。

此后，臺積電還將陸續(xù)增加N3P、N3S和N3X節(jié)點。但是，不要小看了這個FinFET。在N3節(jié)點中，臺積電采用了創(chuàng)新的FinFlex技術(shù)，進一步提升了3nm家族技術(shù)的PPA(效能、功耗及面積)。

3-2 FIN：最快的時鐘頻率和最高的性能，滿足最苛刻的計算需求

2-2 FIN：高效性能，在性能、功耗和密度之間取得良好平衡

2-1 FIN：超高能效，最低的功耗、最低的泄漏和最高的密度

FinFlex擴展了3nm系列半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)品性能、功率效率和密度范圍，允許芯片設(shè)計者使用相同的設(shè)計工具集為同一芯片上的每個關(guān)鍵功能塊選擇最佳方案。