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[導讀]9月9日,Intel CEO基辛格宣布在美國俄亥俄州投資200億美元新建大型晶圓廠,這是Intel IDM 2.0戰(zhàn)略的一部分,整個投資計劃高達1000億美元,新工廠預計2025年量產,屆時“1.8nm”工藝將讓Intel重新回到半導體領導者地位。

9月9日,Intel CEO基辛格宣布在美國俄亥俄州投資200億美元新建大型晶圓廠,這是Intel IDM 2.0戰(zhàn)略的一部分,整個投資計劃高達1000億美元,新工廠預計2025年量產,屆時“1.8nm”工藝將讓Intel重新回到半導體領導者地位。

基辛格去年2月份擔任Intel CEO以來,開始大力推動在美國及全球建廠,其中美國本土的投資至少超過400億美元,去年已經在亞利桑那州投資200億美元建晶圓廠,這次是在俄亥俄州同樣投資200億美元,還在新墨西哥州建設新的封測工廠。

Intel這座工廠也是美國通過528億美元的芯片補貼法案之后本土新建的大型半導體芯片廠,為此美國總統(tǒng)也出席了開工儀式,還有俄亥俄州州長等地方部門高官。

Intel的芯片制造基地將有2座晶圓廠組成,最多可容納8個廠房及配套的生態(tài)支持系統(tǒng),占地面積將近1000英畝,也就是4平方公里之大,將創(chuàng)造3000個高薪工作崗位,7000多個建筑工崗位,以及數(shù)萬個供應鏈合作崗位。

這兩座晶圓廠預計會在2025年量產,Intel沒有具體提到工廠的工藝水平,但是Intel之前表示要在4年內掌握5代CPU工藝,2024年就要量產20A及18A兩代工藝,因此這里的工廠屆時應該也會量產18A工藝。

20A、18A是全球首個達到埃米級的芯片工藝,相當于友商的2nm、1.8nm工藝,還會首發(fā)Intel兩大黑科技技術Ribbon FET及PowerVia。

根據(jù)Intel所說,Ribbon FET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn),它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度,同時實現(xiàn)與多鰭結構相同的驅動電流,但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡,通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

美國發(fā)動科技戰(zhàn)失敗后,也是以不可思議的態(tài)度在琢磨中國,美國媒體關注我國的芯片工廠,近日報道我國在建的新芯片工廠,會領先全球,在產能和供貨量方面都會朝著更大程度邁步,中國芯片自給自足地可能更大了。

美國媒體認為,世界上任何一個國家的行業(yè)發(fā)展速度,都沒有中國的發(fā)展速度快,就算在高科技半導體領域的芯片制造,中國也有著讓世界吃驚的速度。

中國朝著半導體產品的自給自足又邁出重要的一步,如果中國能夠實現(xiàn)穩(wěn)定的量產和攻克芯片的制程難題,未來世界上的芯片需求方,估計和中國合作的可能會更大。

因為中國在今年為汽車提供芯片就已經顯出苗頭,歐美地區(qū)因為缺芯和產能不足,缺少車輛,中國出口汽車在今年已經超過了以往的數(shù)量,全球汽車采購從中國得到的訂貨是非常多的,中國在缺芯情況下,受到的影響是最小的。

不僅穩(wěn)定復工復產,而且還是和疫情之前一樣的交付能力,這種強大的生產實力,讓世界任何一個國家都無法匹敵。

而且在全球芯片都出現(xiàn)緊張的情況下,中國的芯片產能擴張速度反而在不斷加強,預計到2024年,中國會建設31家大型的半導體工廠,同期中國臺灣地區(qū)會有19家同類工廠也開工,國家半導體行業(yè)組織統(tǒng)計,美國的芯片工廠在同比之下會增加12家左右,而中國的新建芯片工廠的數(shù)量和規(guī)模都是最大的。

那么有的網(wǎng)友會覺得奇怪,不是說中國的芯片制造水平還是很落后嗎?最先進的芯片制程技術中國暫時還沒有掌握,的確是這樣的,但是中國芯片也有不可替代的優(yōu)勢。

綜合法新社等媒體報道,當?shù)貢r間9月9日,美國總統(tǒng)拜登出席俄亥俄州英特爾的動工儀式時提到中國,以強調制造復雜的計算機芯片是美國面臨的一個“國家安全問題”。

法新社稱,拜登此行是為了凸顯在其要求下最近通過的“芯片法案”,該法案將撥出520億美元用于推動美國半導體生產。他稱這項倡議是美國和中國之間更廣泛競爭的一部分。

“所有這些都符合我們的經濟利益,也符合我們的國家安全利益?!卑莸窃谟⑻貭栍媱澩顿Y200億美元建設的工廠現(xiàn)場發(fā)表講話時提到,“中國試圖在制造它們(半導體芯片)方面走在我們前面,這毫不奇怪,但有些不同尋常的是,中方積極游說美國企業(yè)反對這項法律?!?

拜登還稱,美國將需要最先進的工程技術用于未來的武器系統(tǒng)。“這些武器系統(tǒng)只會更加依賴計算機芯片。不幸的是,我們在美國生產的這種先進芯片是零?!?

隨著11月美國中期選舉臨近,拜登訪問處于“鐵銹地帶”的俄亥俄州帶有明顯的政治意圖,而“碰瓷”中國、利用中國渲染危機感,借此推動自己的政治議程,更是美國政客慣用的手段。

根據(jù)美媒的報道,為了實現(xiàn)芯片“自給自足”,中國正加大馬力,建設更多的芯片工廠,而且在這方面處于世界領先地位,就連美國也難以企及。美媒認為,這會讓中國在全球芯片供應鏈的話語權大大提高。隨著工廠的落成,供不應求的市場環(huán)境將得到緩解,很多企業(yè)會通過中國,大量購買成品芯片。

據(jù)悉,中國計劃在未來4年內建造31家晶圓廠,超過了臺積電的19家,以及美國的12家。很大一部分項目旨在制造技術更成熟的芯片,而非前沿產品。畢竟中國的半導體行業(yè)遭到美國的長期打壓,無法獲得最先進的光刻機。

但這也促使中國半導體企業(yè)重新調整方向,將精力集中在基礎芯片技術上。分析師認為,這是非常明智的選擇,能幫助中國在中低端市場掌握話語權,畢竟大部分電子產品不需要先進的芯片。

美媒稱,大多數(shù)世界頂級芯片制造商都避免大量投資于低端芯片,因為尖端處理器有著更高的利潤,并代表著行業(yè)的未來。以臺積電為例,在今年的第二季度財報中,該公司的7nm芯片技術盈利超過一半以上。

但不可否認的是,這也為中國留下了巨大的市場。市場分析師預計,在2030年之前,全球對中低端芯片的需求預計將增加兩倍多,市場規(guī)模達到281億美元。而按照中國的建設計劃,2025年時,全球40%的基礎芯片產能都會來自于中國。

美媒對此警告說,這就引發(fā)了一個問題,短期來看,美國及其盟友雖然暫時打壓中國芯片技術的發(fā)展,但卻因為過度注重高端領域,反而會把中低端市場拱手讓給中國。

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