Nexperia 是基本半導體領域的專家，最近宣布其最新產品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側面可濕性側面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅固耐用的組件有助于滿足智能和電動汽車中下一代應用的需求。可用的 AEC-Q101 設備系列涵蓋 Nexperia 的所有產品組，包括：

· BC817QBH-Q 和 BC807QBH-Q 系列 DFN1110D-3 中的 45 V、500 mA NPN/PNP 通用晶體管。

· DFN1006BD-2 中的 BAT32LS-Q 和 BAT42LS-Q 通用肖特基二極管

· 采用 DFN1006BD-2 封裝的 BAS21LS-Q 高速開關二極管。

· PDTA143/114/124/144EQB-Q 系列 50 V 100 mA PNP 配備電阻器的晶體管 (RET) 系列采用 DFN1110D-3 封裝。

· 2N7002KQB – 60 V N 溝道溝槽 MOSFET 和 BSS84AKQB – 50 V、P 溝道溝槽 MOSFET，采用 DFN1110D-3 封裝。

無引線 DFN 封裝比 SOT23 封裝小 90%，這有助于減少最新車輛中使用的電子元件數量迅速增加所需的電路板空間量。側面可潤濕的側面特征提供了非常可靠的焊點質量自動光學檢測 (AOI)。Nexperia 的 DFN 封裝具有出色的熱性能和高 P tot，并且通過了延長壽命和可靠性測試，也是業(yè)內最堅固的封裝。

“Nexperia 率先采用側潤濕 DFN，現在在這些微型無引線封裝中提供最廣泛的符合 AEC-Q101 標準的分立元件”，Nexperia 雙極分立器件業(yè)務集團高級副總裁兼總經理 Mark Roeloffzen 表示?！白罱l(fā)布的 DFN1412D-3、DFN1110D-3 和 DFN1006BD-2 封裝提供了 460 多種不同的大批量器件。通過在這些微型封裝中提供更多器件，Nexperia 為設計工程師提供了更多機會，使他們的設計面向未來，對未來的移動性產生影響。這項新技術已經在主要一級汽車供應商的設計和承諾方面取得了成功。”

Wise-integration 是GaN(氮化鎵)電源和 GaN IC數字控制專家，發(fā)布了其首款商用產品：120mOhm WI62120 半橋電源 IC，它為電力電子設計人員提供了前所未有的功率密度、效率、和成本效益。Wise-integration 的 WiseGaN® 系列功率器件包括經 JEDEC 認證的 WI62120，這是一種 650V 增強模式GaN-on-silicon集成電路。它利用 GaN 的固有特性來提高電流容量、電壓擊穿和開關頻率，適用于 30W 至 3kW的高效和高密度功率轉換應用。

“我們很自豪能夠將我們的第一個 WiseGan® 產品發(fā)布投入生產，”Wise-integration 首席執(zhí)行官 Thierry Bouchet 說?！?20 mOhm WI62120 是市場上最緊湊的半橋，采用 6×8 PQFN 封裝，可最大限度地提高客戶在高功率密度、性能和降低材料成本方面的利益。我們相信，我們的客戶會發(fā)現它在所有 ACF 拓撲和 PFC-LCC 架構中都非常有用，并將幫助他們利用更小、更高效和更具成本效益的電力電子設備所提供的優(yōu)勢。”

使用無橋圖騰柱功率因數轉換 (PFC) 有源鉗位反激式 (ACF)、雙電感單電感器的消費類(例如用于移動和桌面設備的超快速充電器)、電動汽車和工業(yè) AC/DC 電源和設計電容器 (LLC) 諧振轉換器和同步降壓或升壓半橋拓撲是目標市場領域。

氮化鎵 (GaN) 是下一代寬禁帶半導體技術，在開發(fā)卓越的電力電子設備方面變得至關重要。它的速度比硅快 20 倍，功率高達三倍(或電荷的三倍)，而硅器件的尺寸和重量只有硅器件的一半。

這款 WiseWare® 嵌入式數字控制軟件擴展了這些優(yōu)勢;后續(xù)幾代 WiseGan® 器件將把門控、保護、安全和其他設計人員友好的功能結合到 AC/DC GaN 應用中。