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[導(dǎo)讀]據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日美國(guó)一家商業(yè)精密制造公司Zyvex表示制出了亞納米分辨率光刻系統(tǒng)ZyvexLitho1,這個(gè)系統(tǒng)沒有采用EUV光刻技術(shù),但是卻能產(chǎn)出只有0.7nm線寬的芯片,是目前最高制造精度。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日美國(guó)一家商業(yè)精密制造公司Zyvex表示制出了亞納米分辨率光刻系統(tǒng)ZyvexLitho1,這個(gè)系統(tǒng)沒有采用EUV光刻技術(shù),但是卻能產(chǎn)出只有0.7nm線寬的芯片,是目前最高制造精度。

在現(xiàn)階段的半導(dǎo)體領(lǐng)域,整個(gè)行業(yè)都還在向著5nm以下芯片發(fā)起沖鋒,而此級(jí)別的尖端半導(dǎo)體制程離不開ASML的EUV光刻機(jī),僅僅一臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格就高達(dá)數(shù)億美元,而且要想研發(fā)出更小制程的芯片,EUV光刻機(jī)也無能為力。

Zyvex是成立于上世紀(jì)末主要開發(fā)和商業(yè)化原子精密制造 (APM) 技術(shù)的企業(yè),以制造具有原子精密度的產(chǎn)品。目前公司的業(yè)務(wù)為開發(fā)APM和開發(fā)微細(xì)加工/3D微組裝技術(shù)。

本次的亞納米分辨率光刻系統(tǒng)ZyvexLitho1是基于STM掃描隧道顯微鏡,使用的是EBL電子束光刻方式,產(chǎn)出只有0.768nm線寬的芯片,僅僅相當(dāng)于2個(gè)Si原子的寬度,是EUV光刻機(jī)遠(yuǎn)無法達(dá)到的,也是當(dāng)前制造精度最高的光刻系統(tǒng)。

ZyvexLitho1所采用自我顯影的電子束光刻(EBL)技術(shù)的核心是使用氫去鈍化光刻(HDL)從Si(100) 2×1二聚體列(dimer row)重建表面去除氫(H)原子。同時(shí)擁有無失真成像、自適應(yīng)電流反饋回路、自動(dòng)晶格對(duì)準(zhǔn)、數(shù)字矢量光刻、自動(dòng)化和腳本、內(nèi)置計(jì)量這五大功能。

對(duì)于量子計(jì)算機(jī)來說,高精度的固態(tài)量子器件以及納米器件和材料都是非常重要的,因此ZyvexLitho1所產(chǎn)出的芯片將會(huì)用于量子計(jì)算機(jī)。而且ZvyvexLitho1系統(tǒng)并不是一款實(shí)驗(yàn)室原型產(chǎn)品,而是一款已經(jīng)可以商用的產(chǎn)品,Zyvex公司正在接收其訂單,預(yù)計(jì)大約6個(gè)月才能交貨。

從目前來看,ZyvexLitho1這類的EBL電子束光刻機(jī)的精度可以超過ASML的EUV光刻機(jī),但是相比之下前者也有一定的劣勢(shì),比如是產(chǎn)量很低,不具備大規(guī)模制造芯片的能力,只對(duì)少量高精度芯片/器件有直接幫助,因此價(jià)格也會(huì)非常昂貴。

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