壓擺率：簡單說就是系統(tǒng)在進行高低電平轉換時所需要的時間，如數(shù)據(jù)手冊的解析圖所示：

從圖中可以知道，芯片在進行高低電平轉換時非常快（一般是ns級別），但是還是需要一定的時間的。

回到今天的H橋，原理圖如下：

H橋的組成方式有很多（開關管不一定使用圖中的三極管，也可以用mos等一些具備開關特性的元器件），這里就拿上圖做舉例。

H橋的工作方式簡單來說就是上下兩邊的對管會同時導通，以達到控制電流流向的目的。但是在進行電流方向轉換的過程中會存在一個上下管的導通轉換問題。

這里做一個夸張假設，假如說，開始電流是從左往右走：

現(xiàn)在需要對電流轉向，那在轉向的過程中，我們需要關閉左上管Q1以及右下管Q4。之后開通左下管Q2和右上管Q3以完成整個控制過程。

假設Q1與Q2的控制信號來源與同一個控制信號，如下圖：

這時如果拋開開關管的開通、關閉時間差異不說，僅僅假設D2的壓擺率比D1的壓擺率快1ms（夸張假設，僅作為舉例說明），這時候會出現(xiàn)Q2開通了，但是Q1還未關閉的問題。，這時就會出現(xiàn)上下管同時導通（串涌現(xiàn)象），此時Q1和Q2就會流過大電流，進而出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象。

在以上例子中，開關管發(fā)熱主要是由于壓擺率的原因導致。而在實際中，除了壓擺率以外，開關管的開通速度、寄生參數(shù)等因素（會導致上下管同時開通的因素）都會導致相同的問題。所以在實際中需要非常注意?。?！