10月19日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，三星電子于18日在日本東京都召開晶圓代工業(yè)務說明會，向客戶展示技術、產(chǎn)能展望，目標是進一步擴大其在日本的晶圓代工業(yè)務。

值得注意的是，臺積電與索尼半導體解決方案、日本電裝共同投資運營的熊本晶圓廠(JASM)已于今年4月在日本開建，預計總投資86億美元，目標于2024年底開始量產(chǎn)22~28nm制程，月產(chǎn)能5.5萬片12吋晶圓。未來還將升級至更高性能的12~16nm制程，后續(xù)不排除再提升制程。

從某種程度上來說，臺積電在日本布局似乎刺激了三星進一步加大了對于日本晶圓代工市場的重視程度。

三星集團是韓國最大的企業(yè)集團，包括26個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)19.6萬人，業(yè)務涉及電子、金融、機械、化學等眾多領域?！〖瘓F旗下3家企業(yè)進入美國《財富》雜志2006年世界500強行列，2003年三星集團營業(yè)額約965億美元，品牌價值高達108.5億美元，在世界百大品牌中排名第 25位，連續(xù)兩年成為成長最快的品牌。集團旗下的旗艦公司 -- 三星電子在2003年《商業(yè)周刊》IT百強中排名第三，日益成為行業(yè)領跑者，其影響力已經(jīng)超越了很多業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)巨頭。

三星有近20種產(chǎn)品世界市場占有率居全球企業(yè)之首，在國際市場上彰顯出雄厚實力。以三星電子為例，該公司在美國工業(yè)設計協(xié)會年度工業(yè)設計獎(Industrial Design Excellence Awards簡稱IDEA)的評選中獲得諸多獎項，連續(xù)數(shù)年成為獲獎最多的公司。這些證明三星的設計能力已經(jīng)達到了世界級水平。2003年三星在美國取得的專利高達1313項，在世界所有企業(yè)中排名第九。

三星電子計劃于2023年擴大多項目晶圓(MPW)服務，且制程技術將擴大至4nm。

值得一提的是，三星在德州奧斯汀地區(qū)原本就有一座14nm/28nm及以上成熟制程為主的晶圓廠。此次計劃投建的泰勒市新晶圓廠，將成為三星在美國第二座晶圓代工廠，同時也將是三星在美國最先進的晶圓代工工廠。目的是擴大三星與其他晶片制造商的競爭能力，對手就是已經(jīng)投資120億美元在美國建先進制程晶圓廠的臺積電。

三星在此前的Tech Day 2022 活動中指出，其第九代 V-NAND 正在開發(fā)中，計劃于 2024 年量產(chǎn)。到 2030 年，三星設想 NAND 堆疊超過 1,000 層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術。三星還宣布，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 將于今年年底向客戶提供。

韓國三星電子宣布，其最新與移動處理器大廠高通(Qualcomm) 合作的LPDDR5X DRAM，日前以8.5Gbps 的業(yè)界最快速度通過了驗證，該速度也超越了三星此前在3 月份達到的7.5Gbps 的最高速度。預計高通將會在即將推出的Snapdragon 8 Gen 2 移動平臺上，首發(fā)支持8.5Gbps 的LPDDR5X DRAM。

三星表示，受益于其低功耗和高性能的特點，LPDDR DRAM 正在迅速成為現(xiàn)代計算系統(tǒng)中的普及產(chǎn)品，并擴展到個人電腦、高性能計算(HPC)、服務器和汽車中。在過去幾年中，其在這些領域有了強勁的成長。另外，最近LPDDR DRAM 在PC 市場上的需求特別大，借以幫助PC 制造商制造出更小、更輕、更強大的筆記型電腦。

分析師指出，由于通貨膨脹飆升、高利率及俄烏沖突等因素影響，全球消費性電子產(chǎn)品需求疲軟，使得存儲芯片價格持續(xù)下滑，這也是三星第三季獲利表現(xiàn)失色的主要原因。

作為全球最大的存儲芯片制造商，今年二季度其存儲業(yè)務營業(yè)利潤為9.98萬億韓元，在整體營業(yè)利潤當中的占比高達70%

值得注意的是，韓國國家統(tǒng)計局(Statistics Korea)此前公布的數(shù)據(jù)顯示，8月韓國工業(yè)生產(chǎn)值環(huán)比下滑了0.3%。

三星高級副總裁 Moonsoo Kang表示，該公司的芯片合同制造部門(即晶圓代工業(yè)務部門)希望到2027年將其收入比2021年增加兩倍。為實現(xiàn)這一目標，該業(yè)務將需要取得多項技術飛躍，并進一步進軍美國晶圓代工市場。