這幾天準(zhǔn)備測(cè)試DCDC電源的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)沒(méi)有負(fù)載，想著要不買(mǎi)一個(gè)看看，淘寶搜了一下，看到網(wǎng)上好多都是給電池放電，測(cè)試放電曲線用的，價(jià)格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程電源大師課中有設(shè)計(jì)好的負(fù)載demo板，立即便下載下來(lái)準(zhǔn)備打樣，自己做一個(gè)動(dòng)態(tài)負(fù)載切換的PCBA負(fù)載切換的原理很簡(jiǎn)單，主要通過(guò)PWM控制MOS管導(dǎo)通截止來(lái)使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路，其中TP2為DCDC輸出電壓。

① Q1截止時(shí)，負(fù)載為R6=25Ω；② Q1導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載為R5//R6=25Ω//3Ω =2.68Ω 。

由于以前沒(méi)有MOS管驅(qū)動(dòng)的經(jīng)驗(yàn)，估計(jì)我自己設(shè)計(jì)的話，直接就用一個(gè)555定時(shí)器驅(qū)動(dòng)如上圖所示的Q1，結(jié)果可想而知，肯定達(dá)不到理想的狀態(tài)。

那什么地方出問(wèn)題了呢？MOSFET的驅(qū)動(dòng)難道不是VGS大于開(kāi)啟電壓就可以了嗎？為什么要在前級(jí)放一個(gè)專(zhuān)用MOS管驅(qū)動(dòng)芯片呢？

這時(shí)候就要說(shuō)到MOS管的寄生電容了，下圖是CSD17303Q5  MOS管的寄生電容參數(shù)和充電的電量。由于Q=Ig*t，Q不變的情況下，如果驅(qū)動(dòng)MOS管柵極的電流小，那么時(shí)間t就會(huì)很長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)級(jí)就變成了電容的充放電波形。。。所以像前面提到的555電路直接驅(qū)動(dòng)功率MOS，是得不到一個(gè)漂亮的方波的，很容易就會(huì)生成一個(gè)三角波，從而達(dá)不到想到的效果了。