目前，同業(yè)競爭氮化鎵技術均未推出插件式封裝的氮化鎵器件。采用符合產(chǎn)業(yè)標準的插件式封裝，電源能夠以更低的成本獲得功率密度優(yōu)勢。

加州戈利塔--2023年1月13日--(美國商業(yè)資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日宣布推出新的240瓦電源適配器參考設計。TDAIO-TPH-ON-240W-RD設計方案采用了CCM升壓PFC+半橋LLC拓撲結(jié)構(gòu)，功率密度高達30W/in3，最大功率轉(zhuǎn)換效率超過96%。該設計使用了三個Transphorm的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，該氮化鎵功率管的導通電阻為150毫歐，采用為業(yè)界所熟悉且深受信賴的三引腳TO-220封裝。在使用PFC架構(gòu)、較高電流的電源系統(tǒng)中，這種晶體管封裝形式具有出色的低壓線路散熱性能。

該參考設計旨在簡化并加速電源系統(tǒng)的開發(fā)，適用于高功率密度的交直流電源、快充、物聯(lián)網(wǎng)設備、筆記本電腦、醫(yī)療用電源、以及電動工具等應用。

主要規(guī)格及特點

TDAIO-TPH-ON-240W-RD是一款240W 24V 10A交直流電源適配器參考設計，采用Transphorm的TP65H150G4PS氮化鎵功率管，搭配onsemi的市售NCP1654 CCM PFC控制器和NCP1399 LLC控制器。使用一個25毫米的散熱器，該設計的功率密度超過了24W/in3?；诓煌纳崞髟O計，功率密度可提高約25%，達到30W/in3。

如此高的功率密度和轉(zhuǎn)換效率主要得益于設計中使用了TO-220封裝的功率管。目前，業(yè)界只有Transphorm提供這種封裝形式的高壓氮化鎵器件。電源適配器以及所有通用交直流電源的低壓線路(即90Vac)具有高電流，需要并聯(lián)兩個PQFN封裝(常見于增強型氮化鎵器件)的功率管，以達到所要求的功率輸出——使用這種方法，器件數(shù)量翻倍，降低了電源的功率密度。Transphorm的TO-220封裝有效解決了這一問題，以更低的成本實現(xiàn)卓越的功率密度，這是目前增強型氮化鎵器件無法做到的。

其它規(guī)格及特點還包括：

· 可運行于90至264 Vac的寬輸入電壓下

· 峰值效率超過96%，不同電路及負載下效率曲線平坦

· 精準的開關頻率調(diào)節(jié)，提高輸入EMI濾波器的利用率

· 超過180kHz的開關頻率，適用于緊湊型設計

此款新參考設計，豐富了Transphorm的適配器/快充設計工具組合。該產(chǎn)品組合目前包括五個開放式USB-C PD參考設計，功率等級覆蓋45瓦至100瓦，以及兩個用于65瓦和140瓦的開放式USB-C PD/PPS適配器參考設計。

SuperGaN®的技術優(yōu)勢

在設計SuperGaN平臺時，Transphorm的工程團隊借鑒了以往產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的經(jīng)驗，將這些知識與對性能、可制造性和成本的改進相結(jié)合，進而開發(fā)出一個由專利技術組成的新GaN平臺。該平臺在諸多方面均有實質(zhì)性的改進和極大的簡化，例如：

· 性能：更平坦、更高的效率曲線，品質(zhì)因數(shù)(RON*QOSS)提高約10%。

· 易設計性：在高輸出電流下, 開關節(jié)點不需增加緩沖電路。

· 成本：簡化器件組裝有助于降低成本。

· 穩(wěn)健性：業(yè)界領先的+/-20Vmax柵極穩(wěn)健性和4V抗干擾性能。

· 可靠性：業(yè)界領先的可靠性，在超過850億小時的現(xiàn)場應用中，F(xiàn)IT失效率<0.10。