近日，市場(chǎng)傳出臺(tái)積電為應(yīng)對(duì)成本上漲，計(jì)劃在下半年調(diào)整晶圓代工報(bào)價(jià)。這也是在半導(dǎo)體寒冬之后，晶圓代工費(fèi)用再次上漲，不過(guò)針對(duì)此消息，臺(tái)積電并沒(méi)有發(fā)表說(shuō)法。

作為代工行業(yè)的佼佼者，臺(tái)積電代工技術(shù)一直遙遙領(lǐng)先，雖然三星一直是臺(tái)積電在芯片行業(yè)的對(duì)手，但是在7納米、5納米以及4納米工藝中，臺(tái)積電都全面碾壓三星電子。

而且由于三星在5納米、4納米以及3納米GAA代工良品率過(guò)低，導(dǎo)致不少合作伙伴都倒向臺(tái)積電，其中最典型的就是高通和英偉達(dá)。

在5納米工藝時(shí)，采用三星5納米工藝制程打造的驍龍8翻了車，迫使高通不得不將之后的訂單悉數(shù)交給臺(tái)積電，而由臺(tái)積電代工的驍龍8+在性能功耗等各個(gè)方面都遠(yuǎn)超三星5n納米工藝的驍龍8。

這主要是因?yàn)槿堑?納米工藝對(duì)比臺(tái)積電的5納米工藝在晶體管密度這塊就相差了35%。足以看出三星代工方面問(wèn)題的嚴(yán)重，在可靠性方面，臺(tái)積電還是有著不小的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

目前蘋果、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科和英特爾已經(jīng)提前預(yù)訂了臺(tái)積電23年和24年的產(chǎn)能，即使是芯片行業(yè)日益蕭條的眼下，臺(tái)積電的代工業(yè)務(wù)依然如火如荼，這就是技術(shù)領(lǐng)先帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。

在此基礎(chǔ)上，臺(tái)積電的代工費(fèi)用也屢創(chuàng)新高，3納米12英寸晶圓更是突破2萬(wàn)美元的高價(jià)。這是一個(gè)什么概念呢，一塊12英寸的晶圓面積大約是70659平方毫米，而一塊3納米的芯片面積大概是70平方毫米。

在臺(tái)積電良品率100%且完全沒(méi)有邊角料浪費(fèi)的前提下，也只能切割出1000顆芯片。更何況這完全是不可能的事情，良品率達(dá)到90%就已經(jīng)非常高了，況且有傳聞稱三星在3納米工藝中的良品率僅為20%。

那么假設(shè)臺(tái)積電2萬(wàn)美元的代工費(fèi)可以切割出七八百顆芯片，每顆芯片的代工費(fèi)費(fèi)用就高達(dá)近200元人民幣，這還僅僅只是代工費(fèi)，還沒(méi)算后期研發(fā)、流片、封裝等一系列費(fèi)用。

如此一來(lái)，3nm工藝芯片的成本價(jià)就將高達(dá)千元以上，而這部分成本最后勢(shì)必會(huì)轉(zhuǎn)嫁到用戶身上。

回看臺(tái)積電這么多年以來(lái)的代工費(fèi)用，2004年90納米芯片的代工費(fèi)僅為2000美元，2016年的10納米就已經(jīng)飆升至6000美元，而7納米時(shí)代更是直接破萬(wàn)美元，5納米就已經(jīng)高達(dá)16000美元。

要是在此基礎(chǔ)上繼續(xù)漲價(jià)，難免會(huì)引起手機(jī)行業(yè)的價(jià)格震動(dòng)。不過(guò)業(yè)內(nèi)人士在聽(tīng)到這一消息后卻表示，這一消息或?yàn)檎`傳。

因?yàn)榕_(tái)積電的策略不會(huì)任意漲價(jià)，加上目前正值半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整關(guān)鍵期，臺(tái)積電應(yīng)會(huì)與客戶共體時(shí)艱，讓客戶先完成庫(kù)存去化，以利于產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)展。

去年中旬臺(tái)積電和IC設(shè)計(jì)客戶研討商議今年價(jià)格時(shí)，已將通貨膨脹與海內(nèi)外擴(kuò)產(chǎn)成本上漲等因素納入考慮，并于2023年初調(diào)漲各制程報(bào)價(jià)，平均漲幅約3%起。

不過(guò)即使如此，目前3nm工藝制程的代工費(fèi)比起之前也已水漲船高，隨著高端智能手機(jī)價(jià)格一路飆升，后續(xù)手機(jī)漲價(jià)或也難以避免了。