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[導讀]隨著半導體市場需求疲軟,以及多家芯片制造商紛紛削減資本支出,預計今年12吋晶圓廠產能增加將趨緩,增幅將只有約6%。

隨著半導體市場需求疲軟,以及多家芯片制造商紛紛削減資本支出,預計今年12吋晶圓廠產能增加將趨緩,增幅將只有約6%。

不過,從長期來看,國際半導體產業(yè)協(xié)會(SEMI)預期,到2026 年,全球12吋晶圓月產能將達達到960萬片,創(chuàng)下歷史新高。其中,美國產能在全球的占比將自2022年的0.2%,大幅提升45倍至近9%。中國大陸也將自2022年的22%,提升至25%。

SEMI表示,全球12吋晶圓廠產能分別于2021年及2022年強勁成長11%及9%,2023年因存儲芯片及邏輯元件需求疲軟影響,成長可能趨緩,增幅將降至6%。

雖然12吋產能成長放緩,不過,半導體產業(yè)仍專注于增加產能,以滿足強勁的長期需求。

SEMI預期,2026年12吋月產能將達960萬片,晶圓代工、存儲及功率元件是驅動12吋產能創(chuàng)新高的主要動力。

SEMI指出,包括臺積電、聯(lián)電、英特爾(Intel)、中芯國際、格芯(GlobalFoundries)、三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)、美光(Micron)、鎧俠(Kioxia)、英飛凌(Infineon)、德州儀器(TI)等,將有82座新廠及產線于2023至2026年陸續(xù)量產。

在強勁的車用半導體需求及美國及歐洲政府的半導體制造補貼政策驅動下,美國及歐洲產能比重有望持續(xù)擴大。

比如美國在2022年8月簽署了《芯片與科學法案》,該法案配套了高達527億元美元的補貼。

其中,將有390億美元作為“芯片制造補貼”,其中20億美元明確用于專注于傳統(tǒng)成熟制程芯片的生產,剩下的370億美元,則主要用于先進制程芯片的生產。

在該激勵計劃中,高達60億美元可用于直接貸款和貸款擔保的成本。

在美國“芯片法案”公布之后,美光科技立馬宣布了400億美元的投資計劃,這一投資持續(xù)到2030年,將分階段在美國建設先進的存儲芯片制造。

設施臺積電去年12月宣布在美國亞利桑那州再建一座3nm晶圓廠,并將在建中的原本規(guī)劃的5nm晶圓廠升級為4nm,使得在美國的整體投資提升到了400億美元。

在此之前,英特爾已經啟動了在美國亞利桑那州投資200億美元建設兩座晶圓廠的計劃。去年9月,英特爾又斥資 200 億美元在俄亥俄州建造兩座先進制程晶圓廠,并表示其投資“在未來十年內可能增長到高達 1000 億美元”。

三星在德克薩斯州新建的一座12吋先進制程晶圓廠由于建設成本提升,其總體的投資預計也將由原計劃的170億美元提升至250億美元。

按照計劃,以上諸多在美國新建的晶圓廠項目都將于2026年底之前實現量產,屆時將極大提升美國本土的12吋晶圓產能。

根據SEMI的預測,美國12吋晶圓產能在全球當中的比重將自2022年的0.2%,躍升至2026年近9%。

除了美國之外,歐盟也推出了《歐洲芯片法案》,目標2030年芯片產能占全球20%,但是補貼金額由原計劃的450億歐元縮水到了430億歐元。

對此,恩智浦CEO就曾表示,要實現歐盟的目標,需要5000億歐元才夠!另外,由于補貼尚未談攏,英特爾在歐洲建廠計劃尚未啟動。歐盟希望引入臺積電在歐洲投資減產的計劃也仍未實現。

因此,根據SEMI的預測,2026年,歐洲12吋晶圓產能在全球當中的比重將自2022年的6%提升至7%。

目前中國大陸也正在大力發(fā)展本土芯片制造業(yè)。

根據2022年初的一份統(tǒng)計數據顯示,中國當時已有23座12吋晶圓廠正在投入生產,總計月產能約為104.2萬片,總規(guī)劃月產能為156.5萬片。

預計2022至2026年底的五年間,中國大陸預計還將新增25座12寸晶圓廠,這些晶圓廠總規(guī)劃月產能將超過160萬片。

預計至2026年底,中國12吋晶圓廠的總月產能將超過276.3萬片。

SEMI認為,中國大陸目前雖然面臨美國持續(xù)加碼的出口管制措施,但相關廠商仍在持續(xù)投資12吋成熟制程,預計2026年中國大陸12吋晶圓月產能仍有望達到240萬片的規(guī)模,在全球的比重也將自2022年的22%,提升至2026年的25%。

雖然臺積電、聯(lián)電等中國臺灣的晶圓代工大廠都在積極擴大產能,但是在面臨其他地區(qū)的更為龐大的產能擴張的競爭下,2026年中國臺灣的12吋晶圓產能在全球比重將也將自2022年的22%微幅滑落至21%。

日本雖然也在大力發(fā)展本土晶圓制造業(yè),但是在面臨其他地區(qū)的競爭下,2026年12吋產能全球比重將自2022年的13%降至12%。

雖然韓國政府近期提出了未來20年在首爾都會圈打造全球最大半導體制造基地的計劃,并且三星也承諾計劃到2042年將投資約300萬億韓元(約2300億美元)在韓國建造5座先進的晶圓廠。

但這個規(guī)劃距離現在還是太過于遙遠。目前韓國三星、SK海力士的存儲芯片制造大廠因存儲市場需求疲軟影響晶圓廠資本支出,再加上其他地區(qū)的更為龐大的產能擴張的競爭,SEMI預計韓國12吋晶圓產能占全球比重將自2022年的25%,降至2026年的23%。

SEMI預估,模擬及功率元件12吋晶圓廠產能2022年至2026年復合增長率將達30%,是成長最快速的項目;晶圓代工12吋產能年復合成長率約12%,存儲年復合增長率約4%。

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