存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。存儲器有很多具體的類別，比如其中一種便是快閃存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對快閃存儲器予以介紹。如果你對存儲器、快閃存儲器具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

從智能手機、筆記型電腦、以及與各種云端應用相關(guān)的服務器，快閃存儲器儲存已經(jīng)在我們的現(xiàn)實世界中無處不在?？扉W存儲器技術(shù)已經(jīng)如此普遍，我們大多數(shù)人甚至都沒有意識到快閃存儲器技術(shù)本質(zhì)上并不是一種可靠的儲存媒介。實際上，快閃存儲器單元的使用壽命有限，快閃存儲器的特性意味著需要強大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術(shù)以便使其有更好的性能表現(xiàn)。

業(yè)界的好消息是，現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。

這對于終端用戶和設備制造商來說是項重大的裨益，因為只要選用合適的高品質(zhì)控制器，低成本、高容量、多級單元的MLC快閃存儲器儲存器就可以大幅使用在更關(guān)鍵的應用中。

由于當今接觸到的所有電子設備幾乎都在使用快閃存儲器儲存器，我們很容易忘記這項技術(shù)本身其實是一種苛求完美的媒介，面臨許多可靠性的挑戰(zhàn)。

P/E次數(shù)有限為最大挑戰(zhàn)雖然快閃存儲器儲存單元可讀取接近無限次數(shù)，但是它們被編程或擦除(P/E)的次數(shù)卻很有限?？扉W存儲器被編程或擦除的耐久性取決于快閃存儲器儲存器的類型，一般來說，對于SSD或eMMC等大多數(shù)采用NAND快閃存儲器儲存設備而言，其中所使用的是商用MLC型快閃存儲器儲存器，通常每個單元只有數(shù)千個編程或擦除周期。

盡管快閃存儲器在讀取時沒有太多問題，但快閃存儲器寫入過程的涉入程度更高?？扉W存儲器可以在頁面級寫入，大小以千位元為單位。數(shù)據(jù)在正確寫入之前，頁面必須要維持凈空。不幸的是，快閃存儲器儲存器每次只能擦除一個區(qū)塊，其大小為百萬位元。因此，寫入快閃存儲器儲存器之前首先需要擦除包含頁面在內(nèi)的大區(qū)塊存儲器。由于更新快閃存儲器某個單元就必須更新區(qū)塊中的所有單元，如此將縮短總體使用壽命。此過程通常被稱為寫入擴增(Write Amplification)。

為了減少快閃存儲器儲存器單元的磨損，所有快閃存儲器儲存設備必須使用磨損平衡技術(shù)。這些技術(shù)旨在驅(qū)動器上均勻地分散磨損，以最大幅度提高系統(tǒng)的耐久性。在DRAM、SRAM或未使用的快閃存儲器單元中的臨時緩沖區(qū)都可用來跟蹤驅(qū)動器下一步要寫入的位置以及需要擦除的舊位置。

快閃存儲器驅(qū)動器的另一個主要問題是電源故障保護。臨時緩沖區(qū)包含驅(qū)動器下一步應該寫入的數(shù)據(jù)以及必須擦除的舊位置等訊息，這些訊息儲存在容易流失的存儲器中，在此情況下，突然斷電會導致緩沖區(qū)被擦除，使得傳送數(shù)據(jù)失敗造成災難性的損失。

隨著光刻制程尺寸的降低以及快閃存儲器儲存器密度和性能的提高，影響快閃存儲器可靠性的最后一個問題是不斷增加的錯誤數(shù)量。最初的快閃存儲器驅(qū)動器使用單級單元(SLC)快閃存儲器，其中每個單元儲存一位元，但現(xiàn)代快閃存儲器驅(qū)動器通常將一個快閃存儲器單元分成多個位元，即MLC/TLC快閃存儲器。每個物理單元支持更多字節(jié)以增大儲存密度，但是會降低每個字節(jié)開/關(guān)狀態(tài)之間的閾值。這不僅會增大誤碼率，而且降低使用壽命。隨著光刻制程尺寸的減小，快閃存儲器密度會進一步提高，錯誤率也會增大。

高級控制器技術(shù)提升可靠度盡管快閃存儲器儲存可靠性面臨著上述挑戰(zhàn)，但我們?nèi)匀荒軌驅(qū)⑵溆糜谌粘５南M類、商業(yè)類甚至關(guān)鍵任務性的應用，這方面主要得益于先進的快閃存儲器控制器技術(shù)。這些控制器結(jié)合了在磨損平衡、電源故障管理和糾錯等方面的先進技術(shù)，使我們能夠安全可靠地使用當今的高密度快閃存儲器。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)存儲器的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應的頻道哦。