一直以來，LED封裝技術都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞮ED封裝技術的相關介紹，詳細內(nèi)容請看下文。

LED封裝方面的技術有很多，下面我們主要介紹3種。

一、低熱阻封裝工藝

對于現(xiàn)有的LED光效水平而言，由于輸入電能的80%左右轉(zhuǎn)變成為熱量，且LED芯片面積小，因此，芯片散熱是LED封裝必須解決的關鍵問題。主要包括芯片布置、封裝材料選擇(基板材料、熱界面材料)與工藝、熱沉設計等。

LED封裝熱阻主要包括材料內(nèi)部熱阻和界面熱阻。散熱基板的作用就是吸收芯片產(chǎn)生的熱量，并傳導到熱沉上，實現(xiàn)與外界的熱交換。常用的散熱基板材料包括硅、金屬(如鋁，銅)、陶瓷(如 ，AlN，SiC)和復合材料等。如Nichia公司的第三代LED采用CuW做襯底，將1mm芯片倒裝在CuW襯底上，降低了封裝熱阻，提高了發(fā)光功率和效率;Lamina Ceramics公司則研制了低溫共燒陶瓷金屬基板，并開發(fā)了相應的LED封裝技術。該技術首先制備出適于共晶焊的大功率LED芯片和相應的陶瓷基板，然后將LED芯片與基板直接焊接在一起。由于該基板上集成了共晶焊層、靜電保護電路、驅(qū)動電路及控制補償電路，不僅結構簡單，而且由于材料熱導率高，熱界面少，大大提高了散熱性能，為大功率LED陣列封裝提出了解決方案。

德國Curmilk公司研制的高導熱性覆銅陶瓷板，由陶瓷基板(AlN或 )和導電層(Cu)在高溫高壓下燒結而成，沒有使用黏結劑，因此導熱性能好、強度高、絕緣性強。其中氮化鋁(AlN)的熱導率為160W/mk，熱膨脹系數(shù)為 (與硅的熱膨脹系數(shù)相當)，從而降低了封裝熱應力。

研究表明，封裝界面對熱阻影響也很大，如果不能正確處理界面，就難以獲得良好的散熱效果。例如，室溫下接觸良好的界面在高溫下可能存在界面間隙，基板的翹曲也可能會影響鍵合和局部的散熱。改善LED封裝的關鍵在于減少界面和界面接觸熱阻，增強散熱。因此，芯片和散熱基板間的熱界面材料(TIM)選擇十分重要。LED封裝常用的TIM為導電膠和導熱膠，由于熱導率較低，一般為0、5-2、5W/mK，致使界面熱阻很高。而采用低溫或共晶焊料、焊膏或者內(nèi)摻納米顆粒的導電膠作為熱界面材料，可大大降低界面熱阻。

LED封裝技術主要是往高發(fā)光效率、高可靠性、高散熱能力與薄型化發(fā)展。從芯片來看，目前最普遍的是水平式芯片，比較高端的廠商則研發(fā)垂直式芯片與覆晶型芯片，原先水平式LED使用藍寶石基板，散熱能力較差，且在高電流驅(qū)動下，光取出效率下降幅度也較大。因此，為了降低LED成本，高電流密度的芯片設計便以獲取更多的光輸出為主要研究方向，在這樣的考慮下，使用垂直式封裝的芯片便成為下一課題，此類芯片使用硅等高散熱基板，在高電流操作下有更好的散熱效率，所以也有更高的光輸出，但由于制作流程復雜，工藝良率過低，以致于無法達到理想的高性價比，由此可知，在高瓦數(shù)封裝上，工藝良率所導致的價格因素也是一大考慮。

LED封裝技術目前主要往高發(fā)光效率、高可靠性、高散熱能力與薄型化四個方向發(fā)展，目前主要的亮點有硅基LED和高壓LED，硅基LED之所以引起業(yè)界越來越多的關注，是因為它比傳統(tǒng)的藍寶石基底LED的散熱能力更強，因此功率可做得更大，Cree就重點在發(fā)展硅基LED，它目前存在的主要問題是良率還較低，導致成本還偏高。

二、封裝大生產(chǎn)技術

晶片鍵合技術是指芯片結構和電路的制作、封裝都在晶片上進行，封裝完成后再進行切割，形成單個的芯片;與之相對應的芯片鍵合是指芯片結構和電路在晶片上完成后，即進行切割形成芯片，然后對單個芯片進行封裝(類似現(xiàn)在的LED封裝工藝)。很明顯，晶片鍵合封裝的效率和質(zhì)量更高。由于封裝費用在LED器件制造成本中占了很大比例，因此，改變現(xiàn)有的LED封裝形式(從芯片鍵合到晶片鍵合)，將大大降低封裝制造成本。此外，晶片鍵合封裝還可以提高LED器件生產(chǎn)的潔凈度，防止鍵合前的劃片、分片工藝對器件結構的破壞，提高封裝成品率和可靠性，因而是一種降低封裝成本的有效手段。

此外，對于大功率LED封裝，必須在芯片設計和封裝設計過程中，盡可能采用工藝較少的封裝形式(Package-less Packaging)，同時簡化封裝結構，盡可能減少熱學和光學界面數(shù)，以降低封裝熱阻，提高出光效率。

三、封裝可靠性測試與評估

LED器件的失效模式主要包括電失效(如短路或斷路)、光失效(如高溫導致的灌封膠黃化、光學性能劣化等)和機械失效(如引線斷裂，脫焊等)，而這些因素都與封裝結構和工藝有關。LED的使用壽命以平均失效時間(MTTF)來定義，對于照明用途，一般指LED的輸出光通量衰減為初始的70%(對顯示用途一般定義為初始值的50%)的使用時間。由于LED壽命長，通常采取加速環(huán)境試驗的方法進行可靠性測試與*估。測試內(nèi)容主要包括高溫儲存(100℃，1000h)、低溫儲存(-55℃，1000h)、高溫高濕(85℃/85%，1000h)、高低溫循環(huán)(85℃～-55℃)、熱沖擊、耐腐蝕性、抗溶性、機械沖擊等。然而，加速環(huán)境試驗只是問題的一個方面，對LED壽命的預測機理和方法的研究仍是有待研究的難題。

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