二極管已經是電子領域的朋友老生常談的一個話題了，但是大家對所有的二極管都有所了解嗎?為增進大家對二極管的認識，本文將對鍺二極管、鍺二極管死區(qū)電壓、鍺二極管特性等予以介紹。如果你對二極管具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、二極管

二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。

晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。

當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

二、什么是鍺二極管

鍺二極管是一種半導體器件，它由一個n型摻雜的鍺晶體和一個p型摻雜的鍺晶體組成。它的特點是具有較高的飽和電流，較低的漏電流，較高的阻斷電壓，較低的漏電壓，較高的溫度穩(wěn)定性和較低的噪聲。它的作用是用于放大信號，控制電流，控制電壓，控制功率，控制頻率，控制阻抗等。它的應用場景包括電源管理，放大器，濾波器，檢測器，控制器，調制器，變頻器等。

鍺二極管和二極管都是由兩個極性的半導體構成的電子器件，它們的主要區(qū)別在于材料不同，鍺二極管是由鍺材料制成，而二極管是由硅材料制成。此外，鍺二極管的放大增益更高，但其截止頻率更低，而硅二極管的放大增益更低，但其截止頻率更高。

鍺二極管和硅二極管的主要區(qū)別在于其特性參數不同，鍺二極管的放大增益更高，但其截止頻率更低，而硅二極管的放大增益更低，但其截止頻率更高。

此外，鍺二極管的漏電流更小，而硅二極管的漏電流更大，鍺二極管的溫度系數更小，而硅二極管的溫度系數更大。

具體測試方法是：將萬用表撥到RX100或RX1K檔位，測量二極管的正向導通電阻，根據表頭指針的偏轉角度來判斷。如果指針都指示在中間或者中間偏右的位置，表明該二極管為硅管，如果指針偏到靠近0歐姆的位置，表明該二極管是鍺管。

常見的鍺二極管型號有2N3819、2N3904、2N3906、2N4401、2N4403、2N5401、2N5551等。

三、鍺二極管的死區(qū)電壓是多少

鍺二極管的門檻電壓約為0.1V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.2V。

鍺二極管的死區(qū)電壓是指在鍺二極管的放大器中，當輸入電壓低于死區(qū)電壓時，放大器的輸出電壓將不再變化。主要是為了防止放大器的輸出電壓在輸入電壓微小變化時出現過大的變化，從而保證放大器的穩(wěn)定性。

鍺二極管的死區(qū)電壓一般在0.2V到0.5V之間，具體值取決于鍺二極管的型號。

四、鍺二極管特性與應用

鍺二極管(DO-7玻璃封裝)

1N60P(2-1K60)VR：40V，Cj：1pF;

1N60(1K60)VR：40V，Cj：1pF;

1N34A(1K34A)VR：40V，Cj：1pF。

主要用于：計算器，收音機，電視機等檢波電路。

鍺二極管壓降一般都在0.2v~0.4v。

像2AP9、2AP10這類小功率的鍺二極管有時還會用于收音機的檢波電路中。檢波電路采用鍺二極管的優(yōu)點就是效率高、檢波失真小。

鍺二極管壓降一般都在0.2v~0.4v。 主要用于：計算器，收音機，電視機等檢波電路。

鍺二極管特性還包括正向導通和反向截止。

正向導通：如果給二極管正極的電壓高于負極電壓(正向偏置電壓)，只要正極電壓達到一定的值，二極管導通，導通后二極管相當于一個導體，二極管的兩引腳之間的電阻很小，相當于接通。電流流動方向是從正極流向負極，電流不能從負極流向正極，否則二極管已損壞。

反向截止：如果給二極管正極加的電壓低于負極電壓(反向偏置電壓)，二極管處于截止狀態(tài)，二極管兩引腳之間電阻很大，相當于開路。只要是反向電壓，二極管中就沒有電流流動，如果加的反向電壓太大，二極管會擊穿，電流從負極流向正極，說明二極管損壞。

穩(wěn)壓二極管具有反向擊穿的特性，快恢復二極管相當于兩個穩(wěn)壓二極管。

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