據(jù)業(yè)內(nèi)信息，隨著印度總理莫迪訪美并與美國總統(tǒng)拜登發(fā)表聯(lián)合聲明，美國半導體工業(yè)協(xié)會(SIA)表示一直支持加強美印在半導體供應鏈方面的合作。

據(jù)悉，由 SIA 和印度電子半導體協(xié)會(IESA)委托、信息技術與創(chuàng)新基金會(ITIF)撰寫的一項新的初步評估發(fā)現(xiàn)，印度為半導體制造生態(tài)系統(tǒng)帶來了巨大的優(yōu)勢。美國和印度一月份加強了半導體生態(tài)系統(tǒng)的合作，并達成協(xié)議擴大兩國企業(yè)、學術機構和政府機構之間的戰(zhàn)略技術伙伴關系和國防工業(yè)合作。

作為這項名為關鍵和新興技術(iCET)倡議的一部分，SIA 和 IESA 同意進行前期狀態(tài)評估以確定近期行業(yè)機會并促進國家互補半導體的長期戰(zhàn)略發(fā)展生態(tài)系統(tǒng)。SIA 和 IESA 委托總部位于華盛頓的科技政策智庫 ITIF 撰寫這份評估報告，ITIF 代表為此目的于 2023 年 5 月前往印度進行了一次實況調(diào)查。

SIA 表示，印度和美國在尋求增強半導體行業(yè)競爭力并深化全球半導體供應鏈中的伙伴關系時有機會相互學習。美國商務部芯片項目辦公室應邀請印度半導體代表團的印度同行前往華盛頓進行能力建設之旅，并探索共同合作加強各自行業(yè)的途徑。

美國《芯片和科學法案》包括為美國芯片國際技術安全和創(chuàng)新基金提供 5 億美元。這些資金的很大一部分應分配給與印度利益相關者(可能同時還有其他四國合作伙伴)的伙伴關系。比如為了支持設計和代工利益可建立聯(lián)合代工廠來驗證創(chuàng)新芯片設計，而且合作不僅僅局限于硅活動，還可支持產(chǎn)品開發(fā)的早期研究。

該資金的一部分可用于印度和美國合作建立世界一流的研發(fā)中心和測試設施，用于開發(fā)嵌入式系統(tǒng)和半導體產(chǎn)品。電子制造中心(EMC)可以被設立為制造卓越中心，只需 300 萬美元的資金就可以建立多達 25 個 EMC。

半導體協(xié)會認為兩國應合作開發(fā)熱圖(即全面的跨國半導體供應價值鏈圖)，以支持強大且有彈性的半導體生態(tài)系統(tǒng)，印度將成為人才和技術的主要供應國，以培養(yǎng)科學家、工程師和技術人員，而隨著勞動力的擴大和培訓，以適應兩國半導體活動不斷增長的需求，這些人才和技術人員將需要這些人才和技術。

上個月，電子和 IT 聯(lián)盟部長 Ashwini·Vaishnaw 代表印度半導體代表團與普渡大學簽署了關于能力建設、研發(fā)和行業(yè)參與的諒解備忘錄(MoU)，并表示印度和美國應該在人才開發(fā)方面進行合作。

價值 2 億美元的美國芯片勞動力教育基金將為聯(lián)合課程開發(fā)、碩士和博士生交換創(chuàng)造機會。相關工程領域的水平，以及兩國在這一關鍵領域的學生乃至工人流動的可能新途徑，而且勞動力發(fā)展計劃還應考慮技術行業(yè)(例如建筑業(yè))，因為此類工人將是建設和運營半導體工廠的關鍵。

最后，美國國家科學基金會(NSF)和印度政府科學技術部(DST)上個月簽署了一項研究合作實施安排，允許兩國研究人員合作撰寫一份提案，將在 NSF 接受單一審查流程，這將為擴大美國和印度合作者之間的微電子研究活動創(chuàng)造一條新途徑。