當(dāng)?shù)貢r間6月30日，荷蘭政府正式頒布了有關(guān)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的額外出口管制的新條例。正如其在今年3月發(fā)布的消息中所述，這些新的出口管制條例主要針對先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)。

據(jù)悉，這些規(guī)定將于2023年9月1日正式生效。因此，光刻機(jī)巨頭ASML可以在此日期之前開始提交出口許可證申請，而荷蘭政府將會根據(jù)具體情況批準(zhǔn)或拒絕這些申請。

▲荷蘭升級管制新規(guī)

在荷蘭政府限制出口的消息傳出之后，ASML第一時間在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱，新規(guī)只涉及部分最新的DUV型號，包括TWINSCAN NXT:2000i以及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)。“EUV光刻系統(tǒng)在此前就已經(jīng)受到限制，而其他系統(tǒng)的發(fā)運未受荷蘭政府管控。”

ASML在聲明中強(qiáng)調(diào)，這些新的出口管制條例針對的對象為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括最先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)，并非所有浸潤式DUV光刻系統(tǒng)。

▲ASML發(fā)布聲明：并非所有DUV受限

根據(jù)ASML官網(wǎng)顯示，其浸潤式DUV光刻系統(tǒng)包括NXT:1980Di、TWINSCAN NXT:2000i和TWINSCAN NXT:2050i三款設(shè)備。它們能夠進(jìn)行38nm-45nm制程的晶圓加工，這其中2000i和2050i兩款是ASML在聲明中所指的產(chǎn)品。

而能夠進(jìn)行45nm以上晶圓加工的，比如65nm-220nm制程的干式DUV光刻機(jī)（TWINSCAN XT:400L、XT:1460K、NXT:870等型號）均不在荷蘭管制清單之內(nèi)。

▲圖片來源：ASML官網(wǎng)

除了上述ASML確認(rèn)的幾種型號之外，新規(guī)還將影響哪些DUV光刻系統(tǒng)？

以下是根據(jù)荷蘭管制清單進(jìn)行的中文翻譯和信息整理，僅供參考。如有錯誤，敬請指正！

用于半導(dǎo)體設(shè)備或材料的生產(chǎn)設(shè)備、軟件和技術(shù)，以及為其專門設(shè)計的零部件和配件。

3B001.l：EUV掩膜。

3B001.m：EUV掩膜生產(chǎn)設(shè)備。

3B001.f.4：使用普通光源或X射線進(jìn)行晶圓加工、對準(zhǔn)和重復(fù)曝光的光刻設(shè)備，具有以下任何特征：

    ? 光源的波長＜193nm；

    ? 光源的波長≥193nm，但能夠產(chǎn)生最小可分辨尺寸（MRF）小于或等于45nm的圖案，或者套刻精度≤1.50nm。

3B001.d.12：用于金屬原子層沉積（ALD）的設(shè)備，具備以下所有條件：

    ? 一種以上的金屬源，其中一種是以鋁（Al）為前體設(shè)計的；

    ? 具有溫度高于45℃的進(jìn)料容器。

以及設(shè)計用于沉積具有以下所有特征的金屬材料：

    ? 沉積碳化鈦鋁（Ti Al C）；

    ? 可以使晶體管勢壘高于4.0ev的金屬材料。

3B001.a.4：用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜硅鍺（SiGe）這幾種材料外延生長的設(shè)備，具有以下所有條件：

    ? 在多個腔室和工藝步驟之間保持高真空度（水和氧分壓≤0.01Pa）或形成惰性氣氛（水和氧分壓≤0.01Pa）的裝置；

    ? 至少有一個用于清潔晶圓表面的預(yù)處理室，等等；

    ? 外延沉積工作溫度≤685℃。

3B001.d.19：設(shè)計用于介電常數(shù)低于3.3的金屬線之間，在寬度小于25nm、長寬比≥1:1的空隙中，進(jìn)行無空隙等離子體放大沉積的設(shè)備。

3D007：專門用于開發(fā)、生產(chǎn)或操作本法規(guī)3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19項規(guī)定的設(shè)備而研發(fā)的軟件。

3E005：開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19項規(guī)定的設(shè)備所需的技術(shù)。