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[導(dǎo)讀]在這篇文章中,小編將為大家?guī)砘旌霞呻娐返南嚓P(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

在這篇文章中,小編將為大家?guī)砘旌霞?a href="/tags/電路" target="_blank">電路的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、混合集成電路及其特點(diǎn)

混合集成電路是由半導(dǎo)體集成工藝與薄(厚)膜工藝結(jié)合而制成的集成電路?;旌霞呻娐肥窃诨嫌贸赡し椒ㄖ谱骱衲せ虮∧ぴ捌浠ミB線,并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝,再外加封裝而成。與分立元件電路相比,混合集成電路具有組裝密度大、可靠性高、電性能好等特點(diǎn)。相對于單片集成電路,它設(shè)計靈活,工藝方便,便于多品種小批量生產(chǎn);并且元件參數(shù)范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好,可以承受較高電壓和較大功率。

混合集成電路是將一個電路中所有元件的功能部分集中在一個基片上,能基本上消除電子元件中的輔助部分和各元件間的裝配空隙和焊點(diǎn),因而能提高電子設(shè)備的裝配密度和可靠性。由于這個結(jié)構(gòu)特點(diǎn),混合集成電路可當(dāng)作分布參數(shù)網(wǎng)絡(luò),具有分立元件網(wǎng)路難以達(dá)到的電性能?;旌霞呻娐返牧硪粋€特點(diǎn),是改變導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)三種膜的序列、厚度、面積、形狀和性質(zhì)以及它們的引出位置得到具有不同性能的無源網(wǎng)路。

為便于自動化生產(chǎn)和在電子設(shè)備中緊密組裝,混合集成電路的制造采用標(biāo)準(zhǔn)化的絕緣基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片,可將一個或幾個功能電路制作在一塊基片上。制作過程是先在基片上制造膜式無源元件和互連線,形成無源網(wǎng)絡(luò),然后安裝上半導(dǎo)體器件或半導(dǎo)體集成電路芯片。膜式無源網(wǎng)絡(luò)用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工藝順序,制造出具有各種不同形狀和寬度的導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)膜。把這些膜層相互組合,構(gòu)成各種電子元件和互連線。在基片上制作好整個電路以后,焊上引出導(dǎo)線,需要時,再在電路上涂覆保護(hù)層,最后用外殼密封即成為一個混合集成電路。

二、混合集成電路電路布局

在進(jìn)行混合微電路的布局劃分時,首先要考慮三個主要因素:輸入/輸出引腳的個數(shù),器件密度和功耗。一個實(shí)用的規(guī)則是片狀元件所占面積為基片的20%,每平方英寸耗散功率不大于2W。

在器件布置方面,原則上應(yīng)將相互有關(guān)的器件盡量靠近,將數(shù)字電路、模擬電路及電源電路分別放置,將高頻電路與低頻電路分開。易產(chǎn)生噪聲的器件、小電流電路、大電流電路等應(yīng)盡量遠(yuǎn)離邏輯電路。對時鐘電路和高頻電路等主要干擾和輻射源應(yīng)單獨(dú)安排,遠(yuǎn)離敏感電路。輸入輸出芯片要位于接近混合電路封裝的I/O 出口處。

高頻元器件盡可能縮短連線,以減少分布參數(shù)和相互間的電磁干擾,易受干擾元器件不能相互離得太近,輸入輸出盡量遠(yuǎn)離。震蕩器盡可能靠近使用時鐘芯片的位置,并遠(yuǎn)離信號接口和低電平信號芯片。元器件要與基片的一邊平行或垂直,盡可能使元器件平行排列,這樣不僅會減小元器件之間的分布參數(shù),也符合混合電路的制造工藝,易于生產(chǎn)。

在混合電路基片上電源和接地的引出焊盤應(yīng)對稱布置,最好均勻地分布許多電源和接地的I/O連接。裸芯片的貼裝區(qū)連接到最負(fù)的電位平面。

在選用多層混合電路時,電路板的層間安排隨著具體電路改變,但一般具有以下特征。

(1)電源和地層分配在內(nèi)層,可視為屏蔽層,可以很好地抑制電路板上固有的共模RF干擾,減小高頻電源的分布阻抗。

(2)板內(nèi)電源平面和地平面盡量相互鄰近,一般地平面在電源平面之上,這樣可以利用層間電容作為電源的平滑電容,同時接地平面對電源平面分布的輻射電流起到屏蔽作用。

(3)布線層應(yīng)盡量安排與電源或地平面相鄰以產(chǎn)生通量對消作用。

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