奈梅亨，2023年12月11日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術，開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。這項技術為太陽能和家用熱泵等可再生能源應用帶來諸多優(yōu)勢，進一步加強了Nexperia為可持續(xù)應用開發(fā)前沿器件技術的承諾。該技術還適用于廣泛的工業(yè)應用，如伺服驅動器、開關模式電源(SMPS)、服務器和電信應用。

Nexperia的創(chuàng)新型CCPAK封裝采用了Nexperia成熟的銅夾片封裝技術，無需內(nèi)部焊線，從而可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設計靈活性，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進一步改善散熱性能。

GAN039-650NTB的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，此外其穩(wěn)健可靠的柵極結構可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應用設計，無需復雜的柵極驅動器和控制電路，只需使用標準硅MOSFET驅動器即可輕松驅動這些器件。Nexperia的GaN技術提高了開關穩(wěn)定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的RDS(on)在25℃時僅為33 mΩ（典型值），同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效體二極管導通壓降。

Nexperia副總裁兼GaN FET業(yè)務部總經(jīng)理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻認識到，工業(yè)和可再生能源設備的設計人員需要一種高度穩(wěn)健的開關解決方案，以便在進行功率轉換時實現(xiàn)出色的熱效率。因此Nexperia決定將其級聯(lián)GaN FET的優(yōu)異開關性能與其CCPAK封裝的優(yōu)越熱性能結合起來，為客戶提供杰出的解決方案?！?

Nexperia不斷豐富其CCPAK產(chǎn)品組合，目前已推出頂部散熱型33 mΩ（典型值）、650 V GAN039-650NTB，很快還將推出底部散熱型版本GAN039-650NBB，其RDS(on)與前者相同。