業(yè)內(nèi)消息，AI年度大會英偉達(dá)GTC將于美國西部時間3月17日登場，市場預(yù)估H200及B100將提前發(fā)布搶市。據(jù)了解，H200及新一代B100將分別采臺積電4nm及3nm制程，H200將于第二季上市，傳聞B100采用Chiplet設(shè)計架構(gòu)、已下單投片。

法人指出，英偉達(dá)訂單強(qiáng)勁，臺積電3nm、4nm產(chǎn)能幾近滿載，首季運營淡季不淡。針對英偉達(dá)新一代芯片訂單占滿臺積電先進(jìn)制程一事，臺積電表示，產(chǎn)能制程仍依照上次法說會所述內(nèi)容，不再做進(jìn)一步說明。

據(jù)報道，英偉達(dá)Blackwell系列的B100被市場視為下一代英偉達(dá)GPU利器，除了首先采用臺積電3nm打造外，更是第一款以Chiplet及CoWoS-L形式封裝的英偉達(dá)產(chǎn)品，解決高耗電量與散熱問題，單卡效率及晶體管密度，預(yù)估將超過AMD首季推出的MI300系列。

服務(wù)器制造商戴爾透露了英偉達(dá)即將推出的人工智能（AI）GPU Blackwell，這些芯片的功耗高達(dá)1000W，比上一代芯片的功耗增加40%，需要戴爾利用其獨創(chuàng)性工程來冷卻這些GPU。

根據(jù)目前市場消息，英偉達(dá)B200較當(dāng)前H100產(chǎn)品，雖然運算性能更為強(qiáng)大，但是功耗也更為驚人，預(yù)計最高達(dá)到1000W，較H100增加40%以上。英偉達(dá)的H200芯片，因為采用Hopper架構(gòu)，搭配HBM3e高帶寬內(nèi)存，被視為業(yè)界性能最強(qiáng)大的AI運算芯片。

據(jù)預(yù)估，因為B100芯片運算能力至少是H200的2倍，也就是H100的4倍情況下，B200的運算性能將更加強(qiáng)大。臺積電先進(jìn)制程也持續(xù)滿載，臺積電2月產(chǎn)能利用率持續(xù)超過9成，人工智能（AI）需求不減。

供應(yīng)鏈表示，AI、高性能計算（HPC）等應(yīng)用一片晶圓能產(chǎn)出的芯片僅為消費產(chǎn)品的四分之一，生產(chǎn)制造難度更高、更復(fù)雜；臺積電能達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)，對芯片行業(yè)來說，非常重要。臺積電目前HPC／AI應(yīng)用平臺占營收比重達(dá)43％，已與智能手機(jī)齊平。

（來源：集微網(wǎng)）