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[導(dǎo)讀]場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種重要的半導(dǎo)體器件,屬于電壓控制型的電子元件。它的工作原理基于電場對導(dǎo)電溝道中載流子(電子或空穴)的控制,以此來改變通道中的電流大小。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和工作機理的不同,場效應(yīng)管主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種重要的半導(dǎo)體器件,屬于電壓控制型的電子元件。它的工作原理基于電場對導(dǎo)電溝道中載流子(電子或空穴)的控制,以此來改變通道中的電流大小。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和工作機理的不同,場效應(yīng)管主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。下面將詳細介紹這兩種類型的場效應(yīng)管的工作原理。

結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),結(jié)構(gòu)與工作原理

JFET通常由一個PN結(jié)或者NPN、PNP雙擴散形成的通道以及兩端的柵極構(gòu)成。在結(jié)構(gòu)上,其源極(Source)、漏極(Drain)同為一種摻雜類型,且它們之間形成一個連續(xù)的導(dǎo)電通道,而柵極(Gate)則通過兩側(cè)的PN結(jié)緊密接觸這個通道。

當沒有施加柵極電壓時,由于PN結(jié)自身的反向偏置作用,通道處于導(dǎo)通狀態(tài),電流可以從源極流向漏極。當逐漸增加從柵極到源極的負向電壓時,會在PN結(jié)附近產(chǎn)生更強的反向電場,該電場會將溝道中的多數(shù)載流子推離導(dǎo)電區(qū),導(dǎo)致溝道寬度變窄,從而增大電阻,降低從源極到漏極的電流。如果柵極電壓足夠大,溝道會被完全夾斷,阻止電流流動,即實現(xiàn)了電流的截止。因此,JFET是通過改變柵極電壓來調(diào)節(jié)溝道電阻進而控制漏極電流的。

特點

- JFET是電壓控制器件,輸入阻抗極高。

- 具有雙向?qū)щ娦裕蚝头聪蚨寄芄ぷ鳌?

- 由于PN結(jié)的存在,不存在二次擊穿現(xiàn)象。

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET),結(jié)構(gòu)與工作原理

MOSFET的結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜,包括P型襯底、N型阱(在增強型MOSFET中)或N型襯底(在耗盡型MOSFET中),以及位于絕緣層(通常是二氧化硅SiO?)上的金屬(或多晶硅)制成的柵極。MOSFET的核心部分是柵極與襯底之間的絕緣層,這使得MOSFET具有非常高的輸入阻抗。

在增強型MOSFET中,當柵極相對于源極沒有施加電壓時,即使VDS存在,由于絕緣層的作用,不會形成導(dǎo)電溝道,因此幾乎沒有漏極電流。當對柵極施加正電壓時,柵極附近的電荷吸引襯底中的少數(shù)載流子(對于NMOS是空穴,對于PMOS是電子),這些載流子在表面形成一個導(dǎo)電通道,使源極和漏極之間能夠流通電流。隨著柵極電壓的增加,通道內(nèi)的載流子數(shù)量增多,導(dǎo)電性能增強,漏極電流ID隨之增大。反之,減小柵極電壓會使通道消失或減弱,導(dǎo)致電流下降。

特點

- MOSFET同樣為電壓控制器件,且輸入阻抗遠高于JFET,接近無限大。

- 根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式和工作模式,MOSFET可以細分為增強型和耗盡型兩種類型。

- 由于柵氧層的存在,MOSFET能更好地抑制噪聲,更適合用于集成電路設(shè)計,并且可制造出高密度、高性能的微處理器和其他數(shù)字邏輯電路。

- 在功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用中,MOSFET的低導(dǎo)通電阻特性使其成為理想的開關(guān)器件。

場效應(yīng)管的應(yīng)用

無論是JFET還是MOSFET,因其獨特的電壓控制特點和優(yōu)越的電氣性能,在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用:

1. 模擬電路:作為放大器、濾波器、穩(wěn)壓器等電路的關(guān)鍵組件;

2. 數(shù)字電路:廣泛應(yīng)用于集成電路設(shè)計,尤其是大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路;

3. 電源管理:在開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等領(lǐng)域中用作高效的開關(guān)器件;

4. 射頻通信:在無線通信設(shè)備中,MOSFET被用作射頻功率放大器和混頻器等關(guān)鍵模塊;

5. 微電子機械系統(tǒng)(MEMS) 和 生物傳感器等高科技領(lǐng)域也有著廣泛的用途。

場效應(yīng)管憑借其獨特的電壓控制機制,不僅革新了傳統(tǒng)電子技術(shù),而且在現(xiàn)代電子科技發(fā)展中扮演著至關(guān)重要的角色,尤其在半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)中,MOSFET已經(jīng)成為不可或缺的基礎(chǔ)構(gòu)建單元。通過對場效應(yīng)管深入理解并有效利用其工作原理,工程師們得以不斷推動著電子技術(shù)的進步和發(fā)展。


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