在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是在開關(guān)電源和逆變器等高頻開關(guān)電路中，尖峰吸收電路扮演著至關(guān)重要的角色，它是一種有效的防護(hù)措施，用于抑制因開關(guān)過程中產(chǎn)生的瞬態(tài)過電壓(電壓尖峰)及其伴隨的浪涌電流，從而保護(hù)功率半導(dǎo)體器件免受損害。本文將深入探討尖峰吸收電路的工作原理、設(shè)計(jì)要素及其在實(shí)際應(yīng)用中的重要性。

1. 尖峰現(xiàn)象的產(chǎn)生

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中，當(dāng)功率開關(guān)器件(如MOSFET、IGBT等)迅速開通或關(guān)斷時(shí)，由于電路內(nèi)部存在的寄生電感(如變壓器漏感、PCB走線電感等)與寄生電容(如開關(guān)管的柵源間電容、結(jié)電容等)共同作用，會(huì)形成諧振效應(yīng)，導(dǎo)致電壓和電流的劇烈波動(dòng)。特別是在開關(guān)管關(guān)斷瞬間，由于電流不能立即降至零，寄生電感會(huì)感應(yīng)出較高的反電動(dòng)勢(shì)，疊加在電源電壓上，產(chǎn)生極大的電壓尖峰，這個(gè)電壓遠(yuǎn)超器件所能承受的額定電壓，可能導(dǎo)致器件擊穿或者降低其壽命。

2. 尖峰吸收電路基礎(chǔ)原理

尖峰吸收電路的主要任務(wù)就是通過吸收和消耗這些瞬態(tài)能量，將電壓尖峰鉗位在一個(gè)安全水平內(nèi)。典型的尖峰吸收電路形式多種多樣，其中RCD尖峰吸收電路尤為常見且實(shí)用。RCD電路是由電阻(R)、電容(C)和二極管(D)組成的鉗位網(wǎng)絡(luò)。

電阻R：在電路中起到限流作用，限制通過開關(guān)管的浪涌電流，同時(shí)在電容放電時(shí)消耗存儲(chǔ)的能量，防止反復(fù)沖擊。

電容C：電容在電壓上升時(shí)充當(dāng)儲(chǔ)能元件，通過二極管迅速充電，當(dāng)電壓達(dá)到一定高度時(shí)，電容上的電壓與開關(guān)管兩端的電壓差接近平衡，開始吸收過高的電壓尖峰。

二極管D：通常選擇快速恢復(fù)或超快速恢復(fù)二極管，其在反向恢復(fù)時(shí)間極短的情況下導(dǎo)通，提供一條路徑讓電感釋放的能量流入電容，而不是繼續(xù)加在開關(guān)管上，從而達(dá)到鉗位電壓的目的。

當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，由于寄生電感產(chǎn)生的反向電壓超過電容兩端電壓，二極管迅速導(dǎo)通，使得原本可能加在開關(guān)管上的電壓尖峰被電容吸收并保持在大約等于電容電壓加上二極管正向壓降的水平。隨著電容通過電阻放電，電壓逐漸回落至正常范圍。

3. 參數(shù)選取與設(shè)計(jì)原則

設(shè)計(jì)尖峰吸收電路時(shí)，關(guān)鍵在于合理選擇R、C和D的參數(shù)，這涉及到以下因素：

電阻R的選擇既要保證能夠有效限制浪涌電流，又不致于增加過多的開關(guān)損耗。過大電阻會(huì)導(dǎo)致開關(guān)速度下降和損耗增加，過小則可能無(wú)法充分吸收尖峰能量。

電容C的容量應(yīng)足夠大，能在短時(shí)間內(nèi)吸收大量的能量，從而有效鉗位電壓尖峰。然而，電容值不宜過大，以免影響電路啟動(dòng)和動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能。

二極管D應(yīng)選用速度快、反向恢復(fù)時(shí)間短的類型，確保在電壓尖峰出現(xiàn)時(shí)能夠迅速導(dǎo)通，減少過沖。

4. 應(yīng)用實(shí)例——RCD鉗位電路

在反激式開關(guān)電源中，RCD尖峰吸收電路常被用于保護(hù)主開關(guān)管。當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，變壓器初級(jí)漏感產(chǎn)生的反向電壓通過RCD鉗位網(wǎng)絡(luò)得以限制，極大地提高了系統(tǒng)運(yùn)行的安全性和穩(wěn)定性。

總之，尖峰吸收電路是電力電子工程師手中的必備武器，通過精心設(shè)計(jì)和優(yōu)化，它可以顯著改善開關(guān)電源和逆變器等設(shè)備的可靠性，并延長(zhǎng)功率半導(dǎo)體器件的使用壽命。隨著電力電子技術(shù)的進(jìn)步，尖峰吸收策略也在不斷演進(jìn)和完善，以滿足更高效率、更高功率密度和更嚴(yán)格可靠性要求的現(xiàn)代電力電子設(shè)備需求。