在這篇文章中，小編將對晶圓的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。

一、晶圓是什么

晶圓(Wafer)是一種薄片狀的硅基底材料，用于集成電路芯片的制造。它是電子器件和集成電路制造的基礎(chǔ)材料之一。晶圓由單晶硅材料制成，并具有平整的表面和高度純凈的結(jié)構(gòu)。在芯片制造過程中，晶圓被切割成數(shù)百甚至數(shù)千個小方塊，每個小方塊都成為一個獨立的芯片。

晶圓具有非常高的純度和平整度。它通常由單晶硅材料制成，通過特殊的生長工藝形成大規(guī)模的圓盤形狀。晶圓的直徑通常為4英寸(約10厘米)、6英寸、8英寸或12英寸，尺寸越大，可以制造更多的芯片。

晶圓的制備過程包括選取適當純度的硅單晶材料，將其溶解并再結(jié)晶，經(jīng)過多道工序進行精磨和拋光，以獲得高度平整的表面。晶圓的表面質(zhì)量對于芯片制造的成功至關(guān)重要，因為任何微小的缺陷或污染都可能影響芯片的性能和可靠性。

那晶圓和芯片有什么關(guān)系呢?

1、晶圓作為芯片的基礎(chǔ)： 晶圓是芯片制造的基礎(chǔ)，它提供了一個平整且高度純凈的表面，用于在上面構(gòu)建集成電路。每個晶圓可以被切割成數(shù)百甚至數(shù)千個小方塊，每個小方塊都會成為一個獨立的芯片。因此，晶圓的質(zhì)量和制備過程的精確性直接影響到芯片的品質(zhì)和性能。

2、晶圓上的工藝步驟： 在晶圓上進行芯片制造需要經(jīng)歷多個工藝步驟。這些步驟包括光刻、薄膜沉積、離子注入、化學腐蝕、金屬沉積等，通過這些步驟在晶圓上逐漸構(gòu)建出復(fù)雜的集成電路結(jié)構(gòu)。每個步驟都需要高精度的設(shè)備和工藝控制，以確保芯片的可靠性和質(zhì)量。

3、晶圓和芯片的關(guān)系： 晶圓是芯片制造的起點。在芯片制造過程中，晶圓被切割成小方塊，每個小方塊都會成為一個獨立的芯片。這些芯片經(jīng)過后續(xù)工藝步驟，包括電路設(shè)計、封裝和測試等，最終形成完整的電子產(chǎn)品。因此，晶圓和芯片的關(guān)系是前者作為后者的基礎(chǔ)和原材料。

二、晶圓測試

(一)晶圓測試的目的

1.顧名思義要在這個測試階段，檢測wafer上的die是否滿足設(shè)計要求，是否具備每個die擁有的基本特性，包括電壓，電流，功能等等。將無法達標的die，壞的die，在這一過程中檢測標記出來，半導體行業(yè)所謂良率，即通過CP測試來顯現(xiàn)。

2.也會有一些芯片在封裝時，有些管腳將會被直接封在芯片內(nèi)部，導致封裝后無法對其功能進行測試，所以必須在此階段，尚未被封裝之前進行測試。

3.節(jié)省成本。對于一顆芯片來講，越早發(fā)現(xiàn)其不良就越好。避免進入到后續(xù)工藝步驟，帶來浪費。

4.某種意義上，通過CP測試，也是對fab廠工藝能力的一種檢驗。

(二)晶圓測試需要的硬件

下記三樣硬件搭配使用，才能實現(xiàn)CP測試的結(jié)果。

1.測試機(ATE)

目前世界測試機市場還是由美國泰瑞達和日本愛德萬兩大巨頭主導。

近些年，國內(nèi)測試機也雨后春筍般出現(xiàn)，如：華峰測控，合肥悅芯，南京宏泰，杭州長川、杭州加速，杭州國磊等，每家測試機對于芯片類型偏好也不同，如功率半導體專用測試機如上海忱芯，蘇州聯(lián)訊等。測試機功能不盡相同，主要還是根據(jù)芯片的種類和功能來選用合適的測試機。

2.探針卡(Probe Card)

作為CP測試過程中的定制治具，是檢驗設(shè)計公司芯片不可或缺的產(chǎn)品。測試機和探針卡的關(guān)系猶如打印機和打印機墨盒，探針卡的種類也很多樣，根據(jù)芯片類型不同和半導體制程不同，分為懸臂式探針卡，垂直探針卡和MEMS探針卡三種。

3.探針臺(Prober)

控制wafer移動，并且提供測試內(nèi)部環(huán)境的一臺高精密設(shè)備。

美國FFI，日本TEL，TSK等幾家是目前全球領(lǐng)先的探針臺廠商，提供12寸全自動高低溫探針臺。國內(nèi)目前也涌現(xiàn)一些國產(chǎn)的全自動探針臺廠商如森美協(xié)爾，中科精工，矽電等。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)晶圓的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。