業(yè)內(nèi)消息，近日英特爾表示其已成為第一家完成組裝荷蘭ASML的新型“High NA”（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外）光刻設(shè)備的公司，目前已轉(zhuǎn)向光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn)階段。這是這家美國芯片制造商超越競爭對手的重要舉措。

英特爾是第一家購買ASML生產(chǎn)的價值3.5億歐元（3.73億美元）光刻機(jī)的公司。盡管存在財務(wù)和工程風(fēng)險，但這些設(shè)備預(yù)計將帶來新一代更小、更快的芯片。英特爾光刻總監(jiān)Mark Phillips表示：“當(dāng)我們購買這些設(shè)備時，就同意其定價，如果我們不確信它具有成本效益，我們就不會這樣做?！?/span>

ASML是歐洲最大的科技公司，主導(dǎo)著光刻系統(tǒng)市場，光刻系統(tǒng)是使用光束幫助創(chuàng)建芯片電路的設(shè)備。光刻是芯片制造商用來改進(jìn)芯片的眾多技術(shù)之一，但它是芯片上特征尺寸能夠多小的一個限制因素——尺寸越小意味著速度越快、能效越高。

據(jù)悉，High NA設(shè)備預(yù)計將有助于將芯片設(shè)計縮小多達(dá)三分之二，但芯片制造商必須權(quán)衡這一優(yōu)勢與更高的成本，以及舊技術(shù)是否更可靠、已能滿足需求。英特爾的錯誤英特爾決定率先采用High NA并非偶然。

英特爾幫助開發(fā)了EUV技術(shù)——因其使用的“極紫外”光波長而得名。但它開始使用ASML的首款EUV產(chǎn)品晚于競爭對手臺積電，英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）承認(rèn)這是一個很大的錯誤。

相反，英特爾專注于所謂的“多重曝光”技術(shù)——本質(zhì)上是使用較低分辨率的光刻機(jī)執(zhí)行更多步驟來達(dá)到相同的效果?！拔覀兙褪窃谀莻€時候遇到了麻煩，”Mark Phillips說。盡管較舊型號的浸潤式DUV（深紫外）設(shè)備更便宜，但復(fù)雜的多重曝光會更耗時，并導(dǎo)致更多有缺陷的芯片，從而減緩了英特爾的商業(yè)進(jìn)展。

英特爾目前已在其最佳芯片的最關(guān)鍵部分采用第一代EUV，Mark Phillips表示預(yù)計向High NA EUV的過渡將會更加順利?！艾F(xiàn)在我們有了EUV，我們正在展望未來，我們不想重蹈覆轍，必須大力推動（ASML的第一代EUV設(shè)備）?！彼f。Mark Phillips表示，位于俄勒岡州希爾斯伯勒園區(qū)的設(shè)備將“在今年晚些時候全面啟動并運(yùn)行”。

英特爾計劃在2025年使用這臺雙層巴士大小的設(shè)備來開發(fā)Intel 14A芯片，預(yù)計于2026年早期生產(chǎn)，并于2027年全面商業(yè)化生產(chǎn)。在本周發(fā)布財報的同時，ASML表示，該公司已開始向一家客戶（可能是臺積電或三星電子）發(fā)貨第二套High NA系統(tǒng)設(shè)備。該設(shè)備的大量運(yùn)輸和安裝工作可能需要長達(dá)6個月的時間，這讓英特爾占據(jù)了先機(jī)。

（集微網(wǎng)）