2024年6月6日 - 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計算的龐大處理需求而變得越來越耗電，提高能效變得至關重要。安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的強大組合為數(shù)據(jù)中心應用提供了一種完整解決方案，該方案在更小的封裝尺寸下提供了無與倫比的能效和卓越的熱性能。

與一般的搜索引擎請求相比，搭載人工智能的引擎需要消耗超過10倍的電力，預計在未來不到兩年的時間，全球數(shù)據(jù)中心的電力需求將達到約1,000太瓦時（TWh）。從電網(wǎng)到處理器，電力需要經過四次轉換來為人工智能請求的處理提供電能，這可能導致約12%的電力損耗。通過使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案，數(shù)據(jù)中心能夠減少約1%的電力損耗。如果在全球的數(shù)據(jù)中心實施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時的能源消耗，相當于每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量。

EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的開關性能和更低的器件電容，可在數(shù)據(jù)中心和儲能系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率。與上一代產品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級結 (SJ) MOSFET 相比，它們在關斷時沒有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開關損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。

另外，T10 PowerTrench 系列專為處理對DC-DC功率轉換級至關重要的大電流而設計，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過屏蔽柵極溝槽設計實現(xiàn)的，該設計具有超低柵極電荷和小于 1 毫歐的導通電阻RDS(on)。此外，軟恢復體二極管和較低的 Qrr 有效地減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。T10 PowerTrench 系列還符合汽車應用所需的嚴格標準。

該組合解決方案還符合超大規(guī)模運營商所需的嚴格的開放式機架 V3 (ORV3) 基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。

"人工智能和電氣化正在重塑我們的世界，并使電力需求激增。加快功率半導體的創(chuàng)新以改善能效是實現(xiàn)這些技術大趨勢的關鍵，這也正是安森美負責任地為未來賦能的方式。"安森美電源方案分部總裁Simon Keeton表示，“我們的最新解決方案可以顯著降低能量轉換過程中的功率損耗，將對下一代數(shù)據(jù)中心的需求產生積極的影響。