在這篇文章中，小編將詳細(xì)分析如何檢測(cè)比亞迪高壓電控總成IGBT模塊，以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。

一、IGBT

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。

二、如何檢測(cè)比亞迪高壓電控總成IGBT模塊

1、比亞迪 e5高壓電控總成內(nèi) IGBT 模塊位置

2、比亞迪 e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊

3、比亞迪 e5高壓電控總成內(nèi)IGBT實(shí)物

4、IGBT實(shí)物圖與工作原理圖

圖左上方為一相上橋臂和下橋臂的IGBT實(shí)物圖，其側(cè)面一般標(biāo)有原理圖，如圖左下方所示。實(shí)際上上橋臂和下橋臂是由8個(gè)IGBT組成，上橋臂和下橋臂分別由4個(gè)IGBT并聯(lián)，再將上橋臂和下橋臂串接起來(lái)，如圖右側(cè)所示。連接T1、T2的是熱敏電阻（溫度傳感器）。

5、IGBT的檢查

a.未觸發(fā)導(dǎo)通性檢查  測(cè)量上橋臂IGBT的二極管的導(dǎo)通性（反向不導(dǎo)通），在IGBT未觸發(fā)狀態(tài)下用萬(wàn)用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“～”之間的正向?qū)ㄐ?，顯示導(dǎo)通，壓降為0.34 V。在IGBT未觸發(fā)狀態(tài)下用萬(wàn)用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“～”之間的反向?qū)ㄐ?，顯示不導(dǎo)通。   在IGBT未觸發(fā)狀態(tài)下用萬(wàn)用表二極管擋測(cè)量下橋臂“～”與“-”之間的正向?qū)ㄐ?，顯示導(dǎo)通，壓降為0.339 V，而反向不導(dǎo)通。

b.通電導(dǎo)通性檢查  用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT，用萬(wàn)用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“～”之間的導(dǎo)通性，顯示導(dǎo)通，壓降為0.379 V。

在觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT后，斷開(kāi)電源，1號(hào)IGBT的控制極C與控制級(jí)E仍保持導(dǎo)通。用萬(wàn)用表二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“～”之間的導(dǎo)通性，顯示導(dǎo)通，壓降為0.379 V。

c.放電后導(dǎo)通性檢查用螺絲刀將G11與Ex11短接放電后，上橋臂的1號(hào)IGBT的控制級(jí)C與控制級(jí)E不再導(dǎo)通，因其他3個(gè)IGBT也未觸發(fā)，故上橋臂“+”與“～”不再導(dǎo)通。實(shí)際的電路板上4個(gè)IGBT是一同觸發(fā)的。

依次對(duì)上橋臂的其他3個(gè)IGBT進(jìn)行觸發(fā)，檢查其導(dǎo)通性，檢查前注意先短接控制級(jí)G與控制級(jí)E，使其內(nèi)部電容放電。用相同方法可依次檢查下橋臂的各個(gè)IGBT。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)?lái)的所有介紹，如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容，不妨在我們網(wǎng)站進(jìn)行探索哦。