在這篇文章中，小編將為大家?guī)?a href="/tags/MOSFET" target="_blank">MOSFET驅動電路電源的設計。如果你對本文即將要講解的內容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、MOSFET驅動電路的電源設計

1、變壓器隔離電源

當使用MOSFET驅動由上下橋臂構成的H橋、三相逆變器或類似的電路時，上橋臂和下橋臂的電源必須彼此隔離。

圖3.1顯示了使用變壓器的電源示例。

驅動MOSFET的下臂的電源可以共用。因此，H橋需要三個電源，而三相橋需要四個電源。

2、自舉電路

由二極管和電容器組成的自舉電路可以用來代替浮地電源。當MOSFET由逆變器或類似電路的上臂和下臂驅動時，可以在每個相中使用自舉電容C，如圖3.2所示，而不是浮置電源。最初，必須接通下臂中的器件以通過虛線的路徑從下臂的電源對電容C充電。下臂MOSFET每次導通時，電容C通過該路徑充電。由于上臂器件的占空比與電容C上存儲的電荷量有一定的關系，因此上臂的占空比存在限制。與輸出電壓的情況一樣，上臂的柵極電壓波動使其對噪聲敏感。因此，在設計上臂門電路時應謹慎。

3、電荷泵

電荷泵由振蕩電路、二極管和電容組成。電荷泵每一級提升的電壓存儲在電容器中，如圖3所示。當MOSFET由上下橋臂構成時，點荷泵可用于驅動高邊。與自舉電路不同，電荷泵對輸出器件的占空比沒有任何限制。

二、電源設計技巧

1、反激式電源中的鐵氧體磁放大器

對于兩個輸出端都提供實際功率(5V 2A 和 12V 3A，兩者都可實現(xiàn)± 5%調節(jié))的雙路輸出反激式電源來說，當電壓達到 12V 時會進入零負載狀態(tài)，而無法在 5%限度內進行調節(jié)。線性穩(wěn)壓器是一個可實行的解決方案，但由于價格昂貴且會降低效率，仍不是理想的解決方案。

我們建議的解決方案是在 12V 輸出端使用一個磁放大器，即便是反激式拓撲結構也可使用。為了降低成本，建議使用鐵氧體磁放大器。

然而，鐵氧體磁放大器的控制電路與傳統(tǒng)的矩形磁滯回線材料(高磁導率材料)的控制電路有所不用。鐵氧體的控制電路(D1 和 Q1)可吸收電流以便維持輸出端供電。該電路已經過全面測試。變壓器繞組設計為 5V 和 13V 輸出。該電路在實現(xiàn) 12V 輸出± 5%調節(jié)的同時，甚至還可以達到低于 1W 的輸入功率(5V 300 mW 和 12V 零負載)。

2、使用現(xiàn)有的消弧電路提供過流保護

考慮一下 5V 2A 和 12V 3A 反激式電源。該電源的關鍵規(guī)范之一便是當 12V 輸出端達到空載或負載極輕時，對 5V 輸出端提供過功率保護(OPP)。這兩個輸出端都提出了± 5%的電壓調節(jié)要求。

對于通常的解決方案來說，使用檢測電阻會降低交叉穩(wěn)壓性能，并且保險絲的價格也不菲。而現(xiàn)在已經有了用于過壓保護(OVP)的消弧電路。該電路能夠同時滿足 OPP 和穩(wěn)壓要求，使用部分消弧電路即可實現(xiàn)該功能。

從下圖可以看出，R1 和 VR1 形成了一個 12V 輸出端有源假負載，這樣可以在 12V 輸出端輕載時實現(xiàn) 12V 電壓調節(jié)。在 5V 輸出端處于過載情況下時，5V 輸出端上的電壓將會下降。假負載會吸收大量電流。R1 上的電壓下降可用來檢測這一大量電流。Q1 導通并觸發(fā) OPP 電路。

經由小編的介紹，不知道你對MOSFET驅動電路電源設計是否充滿了興趣?如果你想對它有更多的了解，不妨嘗試度娘更多信息或者在我們的網站里進行搜索哦。