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[導(dǎo)讀]在這篇文章中,小編將通過(guò)公式推導(dǎo)的方式告訴大家為什么不建議肖特基并聯(lián)使用。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

在這篇文章中,小編將通過(guò)公式推導(dǎo)的方式告訴大家為什么不建議肖特基并聯(lián)使用。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、肖特基二極管結(jié)構(gòu)

肖特基二極管,利用金屬-半導(dǎo)體(M-S)接觸特性制成,有點(diǎn)接觸型和面結(jié)合型兩種管芯結(jié)構(gòu)。肖特基勢(shì)壘二極管利用金屬-半導(dǎo)體(M-S)接觸特性制成,由于金屬-半導(dǎo)體接觸的電流運(yùn)輸主要是依靠多數(shù)載流子(電子),其電子遷移率高,且M-S結(jié)可以在亞微米尺度上精確制造加工,使得肖特基勢(shì)壘二極管能運(yùn)用到亞毫米波、太赫茲波頻段。肖特基勢(shì)壘二極管有兩種管芯結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型和面結(jié)合型,如下圖所示。點(diǎn)接觸型管芯用一根金屬絲壓接在N型半導(dǎo)體外延層表面上形成金半接觸。面結(jié)合型管芯先要在N型半導(dǎo)體外延層表面上生成二氧化硅保護(hù)層,再用光刻的辦法腐蝕出一個(gè)小孔,暴露出N型半導(dǎo)體外延層表面,淀積一層金屬膜(一般采用金屬淚或鈦,稱(chēng)為勢(shì)壘金屬)形成金半接觸,再蒸餾或電鍍一層金屬(金、銀等)構(gòu)成電極。

從公式推導(dǎo)看,為什么不建議肖特基并聯(lián)使用

二、為什么不建議肖特基并聯(lián)使用

由半導(dǎo)體物理理論可以導(dǎo)出,在靜態(tài)條件下,二極管的電流與電壓的非線(xiàn)性關(guān)系為:

從公式推導(dǎo)看,為什么不建議肖特基并聯(lián)使用

式中I為二極管電流,Is為二極管反向飽和電流,Is一般取8~10uA,Is隨溫度升高而增大,V是作用于二極管兩端的電壓, VT為PN結(jié)的溫度電壓當(dāng)量,在室溫條件下VT=26mV。假設(shè)一般肖特基二極管導(dǎo)通壓降為0.4V,并聯(lián)二極管由于制造工藝和其他因素,造成正向?qū)▔航荡嬖?.1%的誤差, 則兩只肖特基二極管正向?qū)▔航捣謩e為0.4V和0.401V,此時(shí)假設(shè)IS僅為2uA,則由式(1)得出:

從公式推導(dǎo)看,為什么不建議肖特基并聯(lián)使用

由計(jì)算結(jié)果可知,肖特基二極管并聯(lián)無(wú)法實(shí)現(xiàn)均流,考慮到肖特基二極管最主要缺點(diǎn)是反向漏電流,漏電流隨溫度和反向電壓的增加而增加,IS會(huì)指數(shù)級(jí)增大。同時(shí)由于肖特基二極管的負(fù)溫度系數(shù)會(huì)導(dǎo)致正反饋,最終會(huì)使一個(gè)肖特基重載,一個(gè)肖特基輕載,若設(shè)計(jì)不合理,會(huì)導(dǎo)致重載的肖特基溫度過(guò)高,從而容易引發(fā)系統(tǒng)失效。

備注:所謂的不建議肖特基并聯(lián)使用是指在單個(gè)肖特基不能滿(mǎn)足系統(tǒng)需要的情況下,不能使用兩個(gè)同種規(guī)格的肖特基并聯(lián),若系統(tǒng)在僅僅使用一個(gè)肖特基時(shí)就已經(jīng)滿(mǎn)足需要,此時(shí)再并聯(lián)一個(gè)同樣規(guī)格的肖特基效果自然更好。比如,輸入12V,輸出5V/2.4A時(shí),使用一個(gè)SMA封裝的SS54不能滿(mǎn)足要求(封裝太小,溫度太高,長(zhǎng)時(shí)間工作容易失效),使用兩個(gè)SMA封裝的SS54并聯(lián),就可能會(huì)出現(xiàn)上述不良情況。這種情況下,使用一個(gè)SMC封裝的SS54的可以滿(mǎn)足要求。而對(duì)于使用一個(gè)SMC的SS54已經(jīng)能夠滿(mǎn)足要求的條件下,若再并聯(lián)一個(gè)SMC封裝的SS54,效果肯定優(yōu)于一個(gè)SMC封裝的SS54。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的內(nèi)容,如果你對(duì)本文內(nèi)容感到滿(mǎn)意,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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