以下內容中，小編將對包含寄生參數的功率MOSFET等效電路的相關內容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對功率MOSFET等效電路的了解，和小編一起來看看吧。

一、等效電路

所謂“等效”，是指在保持電路的效果不變的情況下，為簡化電路分析，將復雜的電路或概念用簡單電路或已知概念來代替或轉化，這種物理思想或分析方法稱為“等效”變換。需要注意的是，“等效”概念只是應用于電路的理論分析中，是電工教學中的一個概念，與真實電路中的“替換”概念不同，即“等效”僅是應用于理論假設中，不是真實電路中的“替換”?！暗刃А钡哪康氖菫榱嗽陔娐贩治鰰r，簡化分析過程，易于理解的一種電路分析手段。

在許多情況下，人們常利用作用的效果相同，來認識和處理復雜的問題?，F代電子技術中，在分析一些復雜電路時，人們常常只關注整個電路(或電路的某一部分)的輸入、輸出關系，即電流和電壓的變化關系。這樣我們就可以用一個簡單的電路代替復雜電路，使問題得到簡化。這個簡單的電路就是復雜電路的等效電路。在《電子線路》等相關書籍中所提到的戴維南定理其實就是采用等效電路的思想將一個個十分復雜的電路進行簡化。通常情況下將電流表作短路處理，電壓表作開路處理，結果是復雜的電路簡化為純電阻的串并聯關系，再運用并串聯電阻的求和方法將電路簡化為只有一個電阻的情形。

二、包含寄生參數的功率MOSFET等效電路

等效電路 說明： 實際的功率MOSFET 可用三個結電容，三個溝道電阻，和一個內部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結電容均與結電壓的大小有關，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。

功率MOSFET的開通和關斷過程原理 (1)：開通和關斷過程實驗電路

(2)：MOSFET 的電壓和電流波形

(3)：開關過程原理 開通過程[ t0 ~ t4 ]：

在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅動開通;

[t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;

[t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大;

[t2-t3]區(qū)間，至t2 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅動電壓對Millier 電容進行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減小;

[t3-t4]區(qū)間，至t3 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至飽和導通時的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅動電壓充電，GS 電容的電壓上升，至t4 時刻為止。此時GS 電容電壓已達穩(wěn)態(tài)，DS 電壓也達最小，即穩(wěn)定的通態(tài)壓降。

關斷過程[ t5 ~t9 ]：

在 t5 前，MOSFET 工作于導通狀態(tài)， t5 時，MOSFET 被驅動關斷;

[t5-t6]區(qū)間，MOSFET 的Cgs 電壓經驅動電路電阻放電而下降，在t6 時刻，MOSFET 的通態(tài)電阻微微上升，DS 電壓梢稍增加，但DS 電流不變;

[t6-t7]區(qū)間，在t6 時刻，MOSFET 的Millier 電容又變得很大，故GS 電容的電壓不變，放電電流流過Millier 電容，使DS 電壓繼續(xù)增加;

[t7-t8]區(qū)間，至t7 時刻，MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容迅速減小，GS 電容開始繼續(xù)放電，此時DS 電容上的電壓迅速上升，DS 電流則迅速下降;

[t8-t9]區(qū)間，至t8 時刻，GS 電容已放電至Vth，MOSFET 完全關斷;該區(qū)間內GS 電容繼續(xù)放電直至零。

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