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[導(dǎo)讀]今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET驅(qū)動電路的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對MOSFET驅(qū)動電路具備清晰的認(rèn)識,主要內(nèi)容如下。

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/MOSFET" target="_blank">MOSFET驅(qū)動電路的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對MOSFET驅(qū)動電路具備清晰的認(rèn)識,主要內(nèi)容如下。

一、MOSFET驅(qū)動電路主要任務(wù)及對應(yīng)的電路設(shè)計(jì)

MOSFET驅(qū)動電路的基本任務(wù)是提供足夠的電流和電壓,以控制MOSFET的開啟和關(guān)斷過程,實(shí)現(xiàn)所需的電流和電壓輸出。以下是MOSFET驅(qū)動電路的主要任務(wù):

1. 調(diào)節(jié)輸入信號電平:MOSFET驅(qū)動電路需要將輸入信號的邏輯電平轉(zhuǎn)換為足夠的電壓來控制MOSFET的開啟和關(guān)斷。通常,輸入信號電平應(yīng)匹配驅(qū)動電路的工作電壓范圍。

2. 提供足夠的驅(qū)動電流:MOSFET需要足夠的電流來快速充放電柵極,以實(shí)現(xiàn)快速開啟和關(guān)斷。驅(qū)動電路應(yīng)提供足夠的驅(qū)動電流,以確保MOSFET能夠在短時間內(nèi)切換到所需的電流狀態(tài)。

3. 控制開關(guān)速度:MOSFET驅(qū)動電路要能夠控制MOSFET的開啟和關(guān)斷速度。通過精確地控制充放電柵極的電壓波形和過渡時間,可以最大限度地降低功耗和電壓波形失真,并提高系統(tǒng)的效率。

4. 提供保護(hù)功能:驅(qū)動電路通常還包括保護(hù)功能,以保護(hù)MOSFET和整個系統(tǒng)免受過電流、過溫和過壓等問題的損害。這些保護(hù)機(jī)制可以通過監(jiān)測電流和溫度等參數(shù),并采取適當(dāng)?shù)拇胧﹣泶_保系統(tǒng)的安全運(yùn)行。

5. 支持低功耗操作:驅(qū)動電路還應(yīng)能夠在低功耗模式下工作,盡量減少功耗并延長系統(tǒng)的電池壽命。這涉及到選擇合適的工作模式、優(yōu)化電路設(shè)計(jì)和控制策略等。

常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給MOSFET驅(qū)動。其中Lk是驅(qū)動回路的感抗,一般包含MOSFET引腳的感抗,PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應(yīng)用中,用于放大驅(qū)動信號的圖騰柱本身也是封裝在專門的驅(qū)動芯片中。本文要講的問題就是對于一個確定的功率管,如何合理地設(shè)計(jì)其對應(yīng)的驅(qū)動電路。

MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì),分立器件組成的MOSFET驅(qū)動電路分享!

圖1 常用的MOSFET驅(qū)動電路

注1:圖中的Rpd為MOSFET柵源極的下拉電阻,其作用是為了給MOSFET柵極積累的電荷提供泄放回路,一般取值在10k~幾十k這一數(shù)量級。由于該電阻阻值較大,對于MOSFET的開關(guān)瞬態(tài)工作情況基本沒有影響,因此在后文分析MOSFET的開關(guān)瞬態(tài)時,均忽略Rpd的影響。

注2:Cgd,Cgs,Cds為MOSFET的三個寄生電容,在考慮MOSFET開關(guān)瞬態(tài)時,這三個電容的影響至關(guān)重要。

二、分立器件組成的MOSFET驅(qū)動電路

由分立器件組成的驅(qū)動電路((如圖所示),驅(qū)動電路工作原理如下:

A.當(dāng)HS為高電平時,Q7、Q4導(dǎo)通,Q6關(guān)閉,電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極,使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電壓Vdc,所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動,電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來維持導(dǎo)通。

B. 當(dāng)HS為低電平時,Q7、Q4關(guān)閉,Q6導(dǎo)通,為Q5的柵極提供放電回路,從而使Q5很快關(guān)閉。當(dāng)Q5關(guān)閉后,由于下管的開通或負(fù)載的作用,使得Phase電壓下降接近0V,從而使C4經(jīng)過+15V→D2→C4→GND回路充電,為下一次導(dǎo)通做好準(zhǔn)備。

C. 當(dāng)LS為低電平時,Q8、Q11導(dǎo)通,Q10關(guān)閉,驅(qū)動電路通過R11為下管Q9的柵極充電,使Q9導(dǎo)通。

D. 當(dāng)LS為高電平時,Q8、Q11關(guān)閉,Q10導(dǎo)通,為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關(guān)斷。

E. 當(dāng)HS和LS同時為高電平時,上管開通下管關(guān)閉。當(dāng)HS和LS同時為低電平時,上管關(guān)閉下管開通。在實(shí)際應(yīng)用中,為了避免上下管同時開通,HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來保證。

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