今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/IGBT" target="_blank">IGBT的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。

一、IGBT模塊主要參數(shù)

RGint：模塊內(nèi)部柵極電阻:為了實現(xiàn)模塊內(nèi)部芯片均流，模塊內(nèi)部集成有柵極電阻。該電阻值應(yīng)該被當成總的柵極電阻的一部分來計算IGBT驅(qū)動器的峰值電流能力。

RGext：外部柵極電阻：      外部柵極電阻由用戶設(shè)置，電阻值會影響IGBT的開關(guān)性能。

上圖中開關(guān)測試條件中的柵極電阻為Rgext的最小推薦值。用戶可通過加裝一個退耦合二極管設(shè)置不同的Rgon和Rgoff。

已知柵極電阻和驅(qū)動電壓條件下，IGBT驅(qū)動理論峰值電流可由下式計算得到，其中柵極電阻值為內(nèi)部及外部之和。

實際上，受限于驅(qū)動線路雜散電感及實際柵極驅(qū)動電路非理想開關(guān)特性，計算出的峰值電流無法達到。       如果驅(qū)動器的驅(qū)動能力不夠，IGBT的開關(guān)性能將會受到嚴重的影響。       最小的Rgon由開通di/dt限制，最小的Rgoff由關(guān)斷dv/dt限制，柵極電阻太小容易導致震蕩甚至造成IGBT及二極管的損壞。

Cge：外部柵極電容：      高壓IGBT一般推薦外置Cge以降低柵極導通速度，開通的di/dt及dv/dt被減小，有利于降低受di/dt影響的開通損耗。

IGBT寄生電容參數(shù)：

IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固有的特性，芯片結(jié)構(gòu)及簡單的原理圖如下圖所示。輸入電容Cies及反饋電容Cres是衡量柵極驅(qū)動電路的根本要素，輸出電容Coss限制開關(guān)轉(zhuǎn)換過程的dv/dt，Coss造成的損耗一般可以被忽略。

其中：Cies=CGE+CGC：輸入電容（輸出短路）Coss=CGC+CEC：輸出電容（輸入短路）Cres=CGC：反饋電容（米勒電容）動態(tài)電容隨著集電極與發(fā)射極電壓的增加而減小，如下圖所示。

CGE的值隨著VCE的變化近似為常量。CCG的值強烈依賴于VCE的值，并可由下式估算出：

IGBT所需柵極驅(qū)動功率可由下式獲得：

或者

二、IGBT對柵極驅(qū)動電路的要求

IGBT對柵極驅(qū)動電路的要求主要是保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。IGBT驅(qū)動電路需要具備良好的絕緣性能、耐壓性能和耐溫性能，以及足夠的電流和電壓控制能力，以保證IGBT的正常工作。此外，IGBT驅(qū)動電路還需要具備足夠的電流和電壓控制能力，以保證IGBT的正常工作。

IGBT 的靜態(tài)和動態(tài)特性與柵極驅(qū)動條件密切相關(guān)。柵極的正偏壓+VGE、負偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT 的通態(tài)電壓、開關(guān)時間、開關(guān)損耗，承受短路能力以及dvce/dt 等參數(shù)都有不同程度的影響。

柵極驅(qū)動電路提供給IGBT 的正偏壓+VGE使IGBT 導通。在實際應(yīng)用中，綜合該電壓對開通時間、開通損耗以及器件在短路時承受短路電流時間等方面的因素，通常使用+15V。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT 的負偏壓-VGE使其關(guān)斷。它直接影響IGBT 的可靠運行，為了防止IGBT 產(chǎn)生動態(tài)擎住現(xiàn)象，柵極負偏壓應(yīng)為-5V 或更低一些的電壓，負偏壓的大小對關(guān)斷時間損耗的影響不大。

此外，柵極驅(qū)動電壓必須有足夠快的上升和下降速度，使IGBT 盡快開通和關(guān)斷，以減少開通和關(guān)斷損耗。在器件導通后，驅(qū)動電壓和電流應(yīng)保持足夠的幅度，保證IGBT 處于飽和狀態(tài)。由于IGBT 多用于高電壓、大電流場合，信號控制電路與驅(qū)動電路之間應(yīng)采用抗干擾能力強、信號傳輸時間短的高速光電隔離器件加以隔離。為了提高抗干擾能力，應(yīng)采用驅(qū)動電路到IGBT 模塊的引線盡可能短、引線為雙膠線或屏蔽線等措施。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)IGBT的內(nèi)容，如果你對本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day！