在下述的內(nèi)容中，小編將會對MOSTET的相關(guān)消息予以報道，如果MOSTET是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、MOSTET開關(guān)時間受什么影響

MOSFET的開關(guān)時間受到許多因素的影響，其中最主要的因素是 MOSFET 的內(nèi)部電容。MOSFET有三個內(nèi)部電容：柵源電容（Cgs），柵極電容（Cgd）和漏極電容（Cds）。這些電容對MOSFET的開關(guān)時間和性能有著重要的影響。在MOSFET導通時，Cgs和Cgd電容會儲存電荷，使得MOSFET的導通速度降低，因此會增加導通時間。同樣，在關(guān)閉時Cgd和Cds電容會釋放電荷，導致截止時間延遲。因此，減小MOSFET的內(nèi)部電容可以顯著地改進開關(guān)時間。除了內(nèi)部電容之外，MOSFET 的工作溫度也會對開關(guān)時間產(chǎn)生影響。當 MOSFET 的工作溫度增加時，其導熱性下降，內(nèi)部電容則增加，從而增加了其開關(guān)時間。因此，在設(shè)計MOSFET的電路時，需要考慮工作溫度對開關(guān)時間的影響，并且選擇適當?shù)纳峤鉀Q方案以減少熱效應(yīng)。在電路中使用MOSFET作為開關(guān)，它的控制端可以通過修改開關(guān)時間來改變電壓。以一系列開關(guān)時間為0-6微秒（us）的MOSFET為例，每次打開MOSFET需要花費3微秒，即導通時間為3微秒。當MOSFET被打開時，它可以導通，使得電路通過。當利用電路時MOSFET被關(guān)閉，截止時間為0.5微秒，則電路將停止通過。如果我們想要改變電路的輸出電壓，可以通過改變MOSFET的開關(guān)時間來實現(xiàn)。在導通時間和截止時間都保持不變的情況下，增加開關(guān)時間將導致電路輸出電壓的上升。反之，減少開關(guān)時間將導致電路輸出電壓的下降。

二、開關(guān)管MOSFET的損耗分析

MOSFET的損耗主要有以下部分組成：

1.通態(tài)損耗;2.導通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動損耗;5.吸收損耗;

隨著模塊電源的體積減小，需 要將開關(guān)頻率進一步提高，進而導致開通損耗和關(guān)斷損耗的增加，例如300kHz的驅(qū)動頻率下，開通損耗和關(guān)斷損耗的比例已經(jīng)是總損耗主要部分了。

MOSFET導通與關(guān)斷過程中都會產(chǎn)生損耗，在這兩個轉(zhuǎn)換過程中，漏極電壓與漏極電流、柵源電壓與電荷之間的關(guān)系如圖1和圖2所示，現(xiàn)以導通轉(zhuǎn)換過程為例進行分析：

t0-t1區(qū)間：柵極電壓從0上升到門限電壓Uth，開關(guān)管為導通，無漏極電流通過這一區(qū)間不產(chǎn)生損耗;

t1-t2區(qū)間：柵極電壓達到Vth，漏極電流ID開始增加，到t2時刻達到最大值，但是漏源電壓保持截止時高電平不變，從圖1可以看出，此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大;

t2-t3區(qū)間：從t2時刻開始，漏源電壓VDS開始下降，引起密勒電容效應(yīng)，使得柵極電壓不能上升而出現(xiàn)平臺，t2-t3時刻電荷量等于Qgd，t3時刻開始漏極電壓下降到最小值;此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大

t3-t4區(qū)間：柵極電壓從平臺上升至最后的驅(qū)動電壓(模塊電源一般設(shè)定為12V)，上升的柵壓使導通電阻進一步減少，MOSFET進入完全導通狀態(tài);此時損耗轉(zhuǎn)化為導通損耗。

關(guān)斷過程與導通過程相似，只不過是波形相反而已;關(guān)于MOSFET的導通損耗與關(guān)斷損耗的分析過程，有很多文獻可以參考，這里直接引用《張興柱之MOSFET分析》的總結(jié)公式如下：

備注：為上升時間， 為開關(guān)頻率， 為下降時間，為柵極電荷，為柵極驅(qū)動電壓 為MOSFET體二極管損耗。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。希望大家對MOSTET已經(jīng)具備了初步的認識，最后的最后，祝大家有個精彩的一天。