以下內(nèi)容中，小編將對MOSFET柵極驅(qū)動電路的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對MOSFET柵極驅(qū)動電路的了解，和小編一起來看看吧。

驅(qū)動電路(Drive Circuit)，位于主電路和控制電路之間，用來對控制電路的信號進行放大的中間電路（即放大控制電路的信號使其能夠驅(qū)動功率晶體管），稱為驅(qū)動電路。下面，我們來看看MOSFET柵極驅(qū)動電路中的兩個重要參數(shù)。

一、MOSFET柵極驅(qū)動電路導通電阻

在低VGS時，一些SiC器件的導通電阻與結(jié)溫特性之間的關(guān)系曲線看起來是拋物線*（由于內(nèi)部器件特性的組合）。(*這適用于安森美M1和M2 SiC MOSFET。)當VGS = 14 V時，RDS似乎具有負溫度系數(shù)(NTC)特性，即電阻隨溫度升高而降低。SiC MOSFET的這一獨特特征直接歸因于其低增益，這意味著如果兩個或更多的SiC MOSFET并聯(lián)工作在低VGS(負溫度系數(shù))下，可能會導致災難性損壞。因此，只有當VGS足以確保可靠的正溫度系數(shù)工作時（即VGS>18V），才建議將SiC MOSFET并聯(lián)工作。

圖1：M1或M2 SiC MOSFET的導通電阻與結(jié)溫之間的關(guān)系曲線   新一代M3 SiC在所有VGS和所有溫度范圍都顯示正溫度系數(shù)

圖2：M3 SiC MOSFET的導通電阻與結(jié)溫之間的關(guān)系曲線

二、MOSFET柵極驅(qū)動功率解讀

MOSFET柵極驅(qū)動電路消耗的功率隨著其頻率而成比例地增大。本節(jié)介紹了柵極驅(qū)動電路（圖1.8中所示）的功耗。

在圖1.8中，通過柵極電阻器R1在MOSFET的柵極端子和源極端子之間施加了柵極脈沖電壓 VG。假設VGS從0V升高至VG（圖1.9為的10V）。VG足以開通MOSFET。MOSFET一開始處于關(guān)斷狀態(tài)，在VGS從0V升高至VG時開通。在此瞬態(tài)開關(guān)期間流過的柵電流計算如下：

從驅(qū)動電源供應的能量減去在柵極中積累的能量可以得出柵極電阻器消耗的能量。

關(guān)斷期間，在柵極中積累的能量就是柵極電阻器消耗的能量。

每個開關(guān)事件消耗的能量E等于驅(qū)動電路供應的能量。將E乘以開關(guān)頻率fsw，可計算出柵極驅(qū)動電路PG的平均功耗：

柵極驅(qū)動電路的平均功耗Pg也可以用輸入電容表示為：

但這樣計算得出的 PG 值和實際功率損耗有很大出入。這是因為CISS包括具有米勒電容的柵漏電容 CGD，因此是VDS的函數(shù)，且柵源電容CGS是VGS的函數(shù)。

上述所有信息便是小編這次為大家推薦的有關(guān)MOSFET柵極驅(qū)動電路的內(nèi)容，希望大家能夠喜歡，想了解更多有關(guān)它的信息或者其它內(nèi)容，請關(guān)注我們網(wǎng)站哦。