?憑借這一突破性的 300 mm GaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長

?利用現有的大規(guī)模300 mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率

?300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平

【2024年9月11日，德國慕尼黑和奧地利菲拉赫訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規(guī)模生產環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。

300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓

基于GaN的功率半導體正在工業(yè)、汽車、消費、計算和通信應用中快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統等。先進的GaN制造工藝能夠提高器件性能，為終端客戶的應用帶來諸多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，憑借可擴展性，300 mm制造工藝在客戶供應方面具有極高的穩(wěn)定性。

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這項重大成功是英飛凌的創(chuàng)新實力和全球團隊努力工作的結果，進一步展現了我們在GaN和功率系統領域創(chuàng)新領導者的地位。這一技術突破將推動行業(yè)變革，使我們能夠充分挖掘GaN的潛力。在收購GaN Systems近一年后，我們再次展現了在快速增長的GaN市場成為領導者的決心。作為功率系統領域的領導者，英飛凌掌握了全部三種相關材料，即：硅、碳化硅和氮化鎵?！?

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck

英飛凌已在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠中，利用現有300 mm硅生產設備的整合試產線，成功地生產出300 mm GaN晶圓。英飛凌正通過現有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟產能發(fā)揮其優(yōu)勢，同時還將根據市場需求進一步擴大GaN產能。憑借300 mm GaN制程技術，英飛凌將推動GaN市場的不斷增長。據估計，到2030年末，GaN市場規(guī)模將達到數十億美元。

英飛凌位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠

這一開創(chuàng)性的技術成就彰顯了英飛凌在全球功率系統和物聯網半導體領域的領導者地位。英飛凌正通過布局300 mm GaN技術，打造更具成本效益價值、能夠滿足客戶系統全方位需求的產品，以加強現有解決方案并使新的解決方案和應用領域成為可能。2024年11月，英飛凌將在慕尼黑電子展（electronica）上向公眾展示首批300 mm GaN晶圓。

由于GaN和硅的制造工藝十分相似，因此300 mm GaN技術的一大優(yōu)勢是可以利用現有的 300 mm硅制造設備。英飛凌現有的大批量300 mm硅生產線非常適合試產可靠的GaN技術，既加快了實現的速度，又能夠有效利用資本。300 mm GaN的全規(guī)?；a將有助于實現GaN與硅的成本在同一RDS(on) 級別能夠接近，這意味著同級的硅和GaN產品的成本將能夠持平。

300 mm GaN是英飛凌戰(zhàn)略創(chuàng)新領導地位的又一里程碑，將助推英飛凌低碳化和數字化使命的達成。