一直以來，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。

一、MOSFET的應(yīng)用電路

1、簡單的MOSFET開關(guān)電路

下圖顯示了 N 溝道 MOSFET 和 P 溝道 MOSFET 的最簡單配置。

MOSFET 柵極通過電源電壓快速充電，從而將其打開。但是，如果在打開 MOSFET 后不去管柵極會怎樣呢？一旦電源從柵極移除，MOSFET 仍保持導(dǎo)通狀態(tài)！

就像普通電容器一樣，柵極會保留電荷，直到電荷被移除或通過非常小的柵極漏電流泄漏出去，為了消除這些電荷，必須對柵極進行放電。這可以通過將柵極連接回源極端子來完成。但是如果驅(qū)動電路使柵極保持浮動怎么辦？如果雜散電荷在柵極中積累得足以使柵極電壓超過閾值，則 MOSFET 會意外導(dǎo)通，這可能會損壞下游電路。因此，柵極和源極之間經(jīng)常會出現(xiàn) 下拉/上拉電阻 ，每當柵極電壓被移除時，該電阻就會從柵極移除電荷。最好添加一個上拉/下拉電阻無論驅(qū)動器的類型如何，MOSFET 的柵極之間都會存在這種情況。 10K 很值。

2、MOSFET柵極驅(qū)動和保護電路

MOSFET 的柵極非常敏感，因為將柵極與溝道絕緣的氧化層非常薄。大多數(shù)功率MOSFET的額定柵源電壓僅為±20V！因此，在柵極上安裝齊納二極管是一個很好的預(yù)防措施

由于柵極電容與引線電感相結(jié)合會導(dǎo)致開關(guān)時產(chǎn)生振鈴，可以通過添加與柵極串聯(lián)的小電阻（約 10Ω）來減輕振鈴。最終的 MOSFET 柵極電路如下圖所示。

MOSFET 的柵極通常不會吸取任何電流（除了小漏電流外），但當用于需要快速打開和關(guān)閉的開關(guān)應(yīng)用時，柵極電容必須快速充電和放電。這需要一些電流，在這些情況下，需要柵極驅(qū)動器，其可以采用分立電路、柵極驅(qū)動 IC或柵極驅(qū)動變壓器的形式。

二、MOSFET在什么應(yīng)用條件要考慮雪崩能量？

在實際的應(yīng)用中，雪崩的損壞大多是因為多個極端邊界條件共同的作用，例如：高溫下，系統(tǒng)輸出短路及過載測試，輸入過電壓測試以及動態(tài)的老化測試中。過壓損壞通常直接理解為雪崩失效損壞，因為雪崩的過程伴隨著過壓的現(xiàn)象，只有那些在MOSFET的D和S極產(chǎn)生較大的電壓尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量。

電壓尖峰產(chǎn)生的能量主要由電感和電流所決定，對于反激應(yīng)用，MOSFET關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰：VIN+輸出反射電壓+漏感，正常的情況下，有箝位電路，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，不會出現(xiàn)問題。

但是，在一些極端條件下，測試輸出短路啟動或工作中短路，然后短路保護起作用，系統(tǒng)關(guān)斷，然后重起，如此反復(fù)，輸出短路時，初級電感可能會飽和，產(chǎn)生較大的電流，箝位電路工作有可能不正常工作，漏感產(chǎn)生較大尖峰，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。

一些電機負載由于是感性負載，而且啟動和堵轉(zhuǎn)過程中產(chǎn)生極大的沖擊電流，因此這樣的應(yīng)用也要考慮器件的雪崩能量。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)淼挠嘘P(guān)MOSFET的所有介紹，如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容，不妨在我們網(wǎng)站進行探索哦。