近日，“國產(chǎn)替代”又傳來一則好消息！

據(jù)彭博社援引TechInsights報道稱，長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備取代了部分美系半導(dǎo)體設(shè)備。

該報道指出，長江存儲已使用國產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片，其自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三星、SK海力士等知名制造商相比，也具有極強(qiáng)的競爭優(yōu)勢！

（相關(guān)報道截圖）

盡管取得了這些進(jìn)展，但彭博社和TechInsights表示，長江存儲仍面臨技術(shù)障礙，其最新的使用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的3D NAND芯片比早期版本少了70層。而層數(shù)的減少，主要因為使用國產(chǎn)設(shè)備導(dǎo)致了制造過程中缺陷增多、良率降低。

對此，長江存儲回應(yīng)稱，公司正在不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，層數(shù)變化與設(shè)備產(chǎn)量無關(guān)；隨著制造工藝、流程及經(jīng)驗的不斷成熟，會不斷增加堆疊層數(shù)。

（圖片來源：長江存儲官網(wǎng)）

根據(jù)官網(wǎng)介紹，長江存儲成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，是一家集芯片設(shè)計、生產(chǎn)制造、封裝測試及系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品于一體的存儲器IDM企業(yè)，主要為全球合作伙伴提供3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案，其業(yè)務(wù)范圍覆蓋移動通信、消費數(shù)碼、計算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

● 2017年10月，長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計制造了中國首款3D NAND閃存；

● 2019年9月，搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtacking® 架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)；

● 2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量；

● 2022年10月，美國限制先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備對華出口，隨后將中國3D NAND Flash制造商長江存儲列入實體清單。

被制裁的兩年里，長江存儲仍在穩(wěn)步發(fā)展。此前，長江存儲一直依賴ASML、泛林集團(tuán)等外國供應(yīng)商提供的關(guān)鍵工具和設(shè)備。但現(xiàn)如今，中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商越來越多地承擔(dān)了生產(chǎn)流程的大部分，而長江存儲也已轉(zhuǎn)向國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商了，通過使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備、拓荊科技的沉積設(shè)備等，已成功用國產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片。

由此可以看出，美方芯片限制根本不能阻撓我國芯片前進(jìn)的腳步，反而會刺激我們加速突破的步伐，實現(xiàn)更多的“國產(chǎn)替代”。對此，不少外媒也評價道，“美方芯片限制基本落空了”。