己知參數：
輸入電壓： 12V Vin
占空比： don
輸出電壓： 36V Vout
輸出額定功率： 150W Pmon
輸出最大功率： 200W Pmax
輸出最小功率： 50W Pmin
升壓二極管壓降：1V Vd
工作頻率： 100KHZ f
設效率為： 88% η
穩(wěn)定工作時，第個開關周期導通期間電感電流的增加等于關斷期間電感電流的減小。
即：
(Vi*don)/(f*L)=[(Vout+Vd-Vi)*(1-don)]/(f*L) (1)
整理得：
Don=(Vout+Vd-Vi)/(Vout+Vd) (2)
don≈0.6756756757
don取0.68
設每個開關周期內電感初始電流等于輸出電流時的對應電感量。
電感量L：
L=(Vin∧2*don*Vout*η)/[2*f*Pout(Vout-Vin*η)] (3)
式中L為H
當輸出功率Pout為50W時
參數帶入：
L≈12.1938μH
L取12μH
dIL= Vi*Ton/L
dIL=0.2IL_ avg=0.2Iin
Iin=Vo*Io/Vi
IL_avg = Iin
IL_peak = 1.1Iin
IL_rms = ILavg*(1+0.22/12)0.5
L電感量的選取原則使電感紋波電流為電感電流的20%(可根據應用改變)
dIL—電感紋波電流峰峰值
IL_avg—電感電流平均值
IL_peak—電感峰值電流
IL_rms—電感電流有效值
Id_peak = 1.1Iin
Vrd = Vo
Id_peak—續(xù)流二極管峰值電流
Vrd—續(xù)流二級管反向耐壓(Ton期間)
Isw_peak = 1.1Iin
Vsw = Vo
Isw_peak—開關管峰值電流
Vsw_peak—開關管耐壓(Toff期間)
Icin_rms = dIL/120.5
Ico_rms = [Io2D+(Iin-Io)2(1-D)]0.5
電容選?。耗蛪?、紋波電流、電容量
Icin_rms—輸入電容的紋波電流有效值
Ico_rms—是輸出電容的紋波電流有效值
1)采用磁芯PQ3230，其Ae=161mm2 ，取Bmax=0.23T，
2)匝數N：
N=(L*Ipmax)/(Bmax*Ae) (4)
式中L為μH ，Ae為mm2 ， Bmax為T，Ipmax為輸出最大功率時的峰值電流A
3)當輸出(Pout)為最大值(Pmax)時峰值電流(Ipmax)為：
Ipmax=(2*Pout*L*f+Vin∧2*don*η)/(2*Vin*f*L*η) (5)
式中L為H
參數帶入：
Ipmax≈22.3393939A
Ipmax取22.34A
4)輸出功率最大(Pmax)，當MOS管導通時的電感電流Ion為：
Ion=(2*Pout-Ip*Vin*η)/(Vin*η) (6)
參數帶入：
Ion≈15.53878788A
5)驗正(3)(5)(6)式的正確性：
因電感的取值是在輸出功率為最小值(Pmin為50W)時，MOS管導通時的電感電流等于輸出電流(Pmin/Vout)。
參數帶入(5)式：
Ip=8.13484848A
Ip取8.13A
參數帶入(6)式：
Ion≈1.339697A
Pmin/Vout≈1.388889A
1.339697A ≈1.388889A
(3)(5)(6)式正確。因don，L，Ip等都是取的近似值所以結果也只能是近似值。
6)將Ipmax帶入(4)式：
N≈7.2395
N取7.5圈
7)當N為7.5圈L為12μH時PQ3230的磁飽和電流Is為：
Is=(N*Bs*Ae)/L (7)
參數帶入：
Is=36.225A
100℃時PQ3230的飽和磁密Bs為0.36T。
8)氣隙lg的計算：
lg=4πAe[(Np∧2)/(Lp*1000)-1/AL] (8)
式中Ae為平方厘米，Lp為微亨，AL為nH/N∧2
AL=5140
參數帶入：
lg≈0.0909厘米≈0.9mm
Imax-rms=(Pmax*don)/(vin*η)+Pmax/Vout (9)
參數帶入：
Imax-rms≈18.434343
Imax-rms取18A
2)線徑取300圓密爾每安培
18*300=5400圓密爾=3.483864mm∧2
采用線徑為0.2mm的銅線110根
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