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[導(dǎo)讀]中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司和南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司共同擁有的發(fā)明專利“一種化學(xué)氣相沉積裝置及其清潔方法”榮獲第二十五屆中國(guó)專利獎(jiǎng)銀獎(jiǎng)。

2025年1月9日,中國(guó)上海——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”,上交所股票代碼:688012)和南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司共同擁有的發(fā)明專利“一種化學(xué)氣相沉積裝置及其清潔方法”(專利號(hào):ZL201510218357.1)榮獲第二十五屆中國(guó)專利獎(jiǎng)銀獎(jiǎng)。

中國(guó)專利獎(jiǎng)是我國(guó)專利領(lǐng)域的最高榮譽(yù),由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局和世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織聯(lián)合主辦,旨在鼓勵(lì)和表彰專利權(quán)人和發(fā)明人對(duì)技術(shù)創(chuàng)新及經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展所作出的突出貢獻(xiàn)。至此,中微公司已榮獲中國(guó)專利獎(jiǎng)2項(xiàng)金獎(jiǎng)、1項(xiàng)銀獎(jiǎng)和3項(xiàng)優(yōu)秀獎(jiǎng),這標(biāo)志著中微公司在技術(shù)創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)方面所取得的卓越成就。

本次獲獎(jiǎng)的發(fā)明專利是中微公司MOCVD設(shè)備產(chǎn)品的基礎(chǔ)核心專利。MOCVD設(shè)備是寬禁帶半導(dǎo)體各種微觀器件制造的最關(guān)鍵設(shè)備,采用單晶外延生長(zhǎng)技術(shù)生產(chǎn)LED芯片、功率器件以及其它第三代半導(dǎo)體器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。中微公司的MOCVD設(shè)備在業(yè)界享有盛譽(yù),其氮化鎵基LED生產(chǎn)用MOCVD設(shè)備的市場(chǎng)占有率在過(guò)去幾年內(nèi)躍居全球第一,市場(chǎng)占有率超過(guò)70%。

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本次獲獎(jiǎng)專利從反應(yīng)腔內(nèi)流體動(dòng)力學(xué)和氣流分布的角度提供了一種構(gòu)思新穎、巧妙的設(shè)計(jì),使反應(yīng)氣體排氣與反應(yīng)副產(chǎn)物沉積物的收集、存儲(chǔ)相互分離,避免了固體沉積物對(duì)排氣口的堵塞,巧妙解決了MOCVD設(shè)備領(lǐng)域一直困擾的排氣不均勻、工藝良率低、維護(hù)頻繁和生產(chǎn)效率低等業(yè)界難題。這一突破性的技術(shù),為客戶提供了更可靠、更高效的生產(chǎn)解決方案,有力推動(dòng)了MOCVD設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步,促進(jìn)了LED照明與顯示產(chǎn)業(yè)的新發(fā)展。這一創(chuàng)新成果進(jìn)一步鞏固了中微公司在MOCVD設(shè)備市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,也為國(guó)家節(jié)能減排、降低能耗作出了巨大貢獻(xiàn)。

“中微公司連續(xù)斬獲中國(guó)專利獎(jiǎng),彰顯了中微公司在研發(fā)創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理方面的領(lǐng)先地位?!敝形⒐径麻L(zhǎng)兼總經(jīng)理尹志堯博士表示,“創(chuàng)新是中微公司發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。中微公司將始終秉承技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品差異化和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的產(chǎn)品開發(fā)原則,強(qiáng)化研發(fā)投入,不斷突破技術(shù)瓶頸,為客戶提供更具創(chuàng)新性和卓越品質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù),為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)更大的力量?!?/span>

關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司

中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(證券簡(jiǎn)稱:中微公司,證券代碼:688012)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類,包括十幾種細(xì)分刻蝕設(shè)備已可以覆蓋大多數(shù)刻蝕的應(yīng)用。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)和國(guó)際一線客戶,涵蓋從65納米到5納米及更先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用。中微公司最近十年著重開發(fā)多種導(dǎo)體和半導(dǎo)體化學(xué)薄膜設(shè)備,如MOCVD,LPCVD,ALD和EPI設(shè)備,并取得了可喜的進(jìn)步。中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備早已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn),并在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。此外,中微公司也在布局光學(xué)和電子束量檢測(cè)設(shè)備,并開發(fā)多種泛半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備。這些設(shè)備都是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備,可加工和檢測(cè)微米級(jí)和納米級(jí)的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。在美國(guó)TechInsights(原VLSI Research)近五年的全球半導(dǎo)體設(shè)備客戶滿意度調(diào)查中,中微公司三次獲得總評(píng)分第三,薄膜設(shè)備三次被評(píng)為第一。

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