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[導讀]3月11日,青禾晶元宣布正式推出全球首臺C2W&W2W雙模式混合鍵合設備SAB8210CWW。作為先進半導體鍵合集成技術與解決方案的提供商,青禾晶元此次發(fā)布標志著公司在技術創(chuàng)新領域的又一重要突破。

2025年3月11日,中國香港——中國半導體鍵合集成技術領域的領先企業(yè)青禾晶元半導體科技(集團)有限責任公司(簡稱“青禾晶元”)宣布,正式推出全球首臺C2W&W2W雙模式混合鍵合設備SAB8210CWW。作為先進半導體鍵合集成技術與解決方案的提供商,青禾晶元此次發(fā)布標志著公司在技術創(chuàng)新領域的又一重要突破。

青禾晶元新推出的混合鍵合設備SAB8210CWW具備多尺寸晶圓兼容、超強芯片處理能力、兼容不同的對準方式等優(yōu)勢,可以幫助客戶減少設備投資支出、占地面積以及大幅縮短研發(fā)轉量產(chǎn)周期等優(yōu)勢,能夠為Micro-LED、NAND/DRAM/HBM等存儲器、堆疊集成電路(SIC)和系統(tǒng)級芯片(SoC)提供廣泛的支持。

后摩爾時代,混合鍵合成為主流

自摩爾定律提出以來,芯片行業(yè)長期遵循其發(fā)展。但近年來,受限制于硅材料和半導體設備,芯片制造商難以繼續(xù)縮小晶體管尺寸。先進封裝因此成為提高芯片性能的有效手段,如臺積電CoWoS和HBM的興起就是例證?;旌湘I合作為先進封裝的關鍵技術,以高精度實現(xiàn)金屬-金屬和氧化物-氧化物面對面堆疊,提高了芯片性能。W2W混合鍵合已在多領域應用,C2W混合鍵合也在快速興起,成為異質異構集成的主流技術。然而,混合鍵合技術實現(xiàn)過程中面臨挑戰(zhàn),如鍵合精度、C2W鍵合效率等問題,對相關設備提出了更高要求,促使行業(yè)不斷創(chuàng)新。

SAB8210CWW設備:技術創(chuàng)新的集大成者

青禾晶元是一家致力于為全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈提供高精度、工藝穩(wěn)定、高性價比的鍵合裝備與方案的企業(yè),憑借在高端鍵合裝備研發(fā)制造與精密鍵合工藝方面的深厚積累,公司在全球首臺C2W&W2W雙模式混合鍵合設備SAB8210CWW上,將技術實力展現(xiàn)得淋漓盡致。

具體而言,SAB8210CWW擁有以下幾點優(yōu)勢:

雙模工藝集成:設備采用高度靈活的模塊化設計,支持C2W和W2W雙模式混合鍵合,實現(xiàn)無縫適配研發(fā)與生產(chǎn)需求,提升設備使用率。

多尺寸兼容:設備可兼容8寸和12寸晶圓,通過更換部件快速切換,提供更大的靈活性,滿足不同尺寸晶圓的鍵合需求。

超強芯片處理能力:設備能夠處理厚度最薄至35μm的超薄芯片,同時具備全尺寸兼容性,從0.5×0.5mm到50×50mm的芯片均可處理,保證生產(chǎn)良率和可靠性。

兼容不同的對準方式:提供片間同軸和紅外穿透兩種對準方式,對準精度優(yōu)于±300nm(同軸)和±100nm(紅外),應對不同尺寸和材質的芯片。

創(chuàng)新的鍵合方式:通過鍵合方式創(chuàng)新,最大程度的減少顆粒污染的風險,實現(xiàn)高良率鍵合。

高精度、高效率:C2W和W2W鍵合技術實現(xiàn)±30nm的對準精度和±100nm的鍵合精度,C2W單鍵合頭UPH最高可達1000片/小時。智能化偏移補償:配備高精度高通量檢測模塊和內(nèi)置算法,實現(xiàn)負反饋偏移補償,確保鍵合精度的穩(wěn)定性和一致性。

以SAB 82CWW系列為起點,青禾晶元將持續(xù)深耕先進鍵合技術,加大研發(fā)投入,推出更多滿足客戶需求的產(chǎn)品,攜手全球合作伙伴,推動半導體異質集成技術邁向新高度。

關于青禾晶元

青禾晶元半導體科技(集團)有限責任公司是中國半導體鍵合集成技術的高新技術企業(yè)。公司核心業(yè)務涵蓋高端鍵合裝備研發(fā)制造與精密鍵合工藝代工,技術廣泛應用于先進封裝、半導體器件制造、晶圓級異質材料集成及MEMS傳感器等前沿領域,通過“裝備制造+工藝服務”雙輪驅動,構建全產(chǎn)業(yè)鏈解決方案,已成功開發(fā)四大自主知識產(chǎn)權產(chǎn)品矩陣:超高真空常溫鍵合系統(tǒng)、混合鍵合設備、熱壓鍵合裝備及配套工藝服務。通過持續(xù)技術創(chuàng)新,公司致力于為全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈提供高精度、工藝穩(wěn)定、高性價比的鍵合裝備與方案,助力戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)崛起。

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