2025年3月21日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與Micron合作推出了全新電子書，探討內(nèi)存在AI邊緣應(yīng)用中的重要性，以及有效部署邊緣人工智能 (AI) 的關(guān)鍵設(shè)計考慮因素。Micron是創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的行業(yè)知名企業(yè)，在邊緣計算、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)連接和移動等關(guān)鍵市場領(lǐng)域，為AI、機器學(xué)習(xí)和自動駕駛汽車的發(fā)展提供支持。

在《5 Experts On Addressing The Hidden Challenges of Embedding Edge AI into End Products》(5位專家探討將邊緣AI嵌入終端產(chǎn)品的隱性挑戰(zhàn))中，AI領(lǐng)域的專家探討了如何在邊緣處理數(shù)據(jù)，這樣數(shù)據(jù)系統(tǒng)可以在更接近數(shù)據(jù)源的地方進(jìn)行實時數(shù)據(jù)處理和決策，而無需擔(dān)心與云連接相關(guān)的延遲和安全問題。邊緣AI應(yīng)用對內(nèi)存的需求極高，需要高性能、低延遲的內(nèi)存解決方案來處理AI推理中涉及的海量數(shù)據(jù)。這些需求推動了內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展，催生了高帶寬和低功耗內(nèi)存等解決方案。這些解決方案在AI生態(tài)系統(tǒng)中，從一種商品變成了AI設(shè)備和應(yīng)用中的關(guān)鍵差異化因素。

這本電子書探討了內(nèi)存在邊緣AI應(yīng)用中的重要性、與部署邊緣AI相關(guān)的設(shè)計考慮因素，以及貿(mào)澤和Micron如何憑借業(yè)界超高性能和超高密度的內(nèi)存解決方案推動行業(yè)發(fā)展：

Micron LPDDR5 DRAM內(nèi)存旨在滿足新一代AI推理架構(gòu)的需求，與LPDDR4相比，數(shù)據(jù)訪問速度提高了50%，而出色的1-beta LPDDR5X則提供了更高的性能，最高可達(dá)9.6Gbps。所有這些特性都可以提高邊緣應(yīng)用的效率和AI體驗。

Micron LPDDR4 DRAM內(nèi)存經(jīng)過優(yōu)化，可解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題，與電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備中的 DDR4 相比，峰值帶寬快33%。

Micron e.MMC托管型NAND技術(shù)結(jié)合了高容量應(yīng)用間互操作性，提供雙電壓支持和優(yōu)異的耐用性，非常適合各種消費、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和汽車應(yīng)用。

Micron串行NOR閃存采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝、引腳分配、指令集和芯片組兼容性，可簡化設(shè)計過程，能滿足多種消費電子、工業(yè)、有線通信和計算應(yīng)用的需求。